MC74VHC1G50
卜FF器
该MC74VHC1G50是一种先进的高速CMOS缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G50输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74VHC1G50接口5.0 V的电路至3.0V
电路。
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记号
图表
SC-
-88A / SOT-
-353/SC-
-70
DF后缀
CASE 419A
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性： FET = 104 ;等效门= 26
这些器件采用有铅
-free包（多个） 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
VR
d
销1
D =日期代码
TSOP-
-5/SOT-
-23/SC-
-59
DT后缀
CASE 483
VR
d
销1
D =日期代码
NC
1
5
V
CC
1
引脚分配
NC
IN A
GND
输出Y
V
CC
2
3
4
IN A
2
GND
3
4
输出Y
5
功能表
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
A输入
L
H
Y输出
L
H
IN A
1
输出Y
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月 - 12牧师
-
1
出版订单号：
MC74VHC1G50/D
MC74VHC1G50
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC - 88A ， TSOP - 5
SC - 88A ， TSOP - 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到V
CC
+ 0.5
--20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
--65到150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
±500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
锁存器 - 最多
锁存器 - 性能最多
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。最大的 - - 在绝对功能操作额定条件是不是暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 - 一个
3.经测试EIA / JESD22 - A115 - 一个
4.经测试JESD22 - C101 - 一个
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
2.0
0.0
0.0
--55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
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2
MC74VHC1G50
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高 - 级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --4毫安
I
OH
= --8毫安
V
OL
最大低 - 级
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
1.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
最大
-
-55
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
V
IL
最大低 - 级
输入电压
V
V
OH
最小高 - 级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
V
V
mA
mA
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大Propaga-
化延迟，
输入A至Y
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
民
典型值
4.5
6.4
3.5
4.5
4
最大
7.1
10.6
5.5
7.5
10
T
A
≤
85°C
民
最大
8.5
12.0
6.5
8.5
10
-
-55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
10.0
14.5
8.0
10.0
10
pF
单位
ns
C
IN
最大输入Ca的
pacitance
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
8.0
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
被用于确定所述无 - 负载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G50
测试点
A或B
V
CC
50%
t
PHL
Y
50% V
CC
*包括所有探测和夹具电容
t
PLH
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图4.开关波形
图5.测试电路
设备订货信息
设备命名
电路
指标
MC
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
74
设备
功能
50
50
50
包
苏FFI X
DF
DF
DT
磁带&
REEL
苏FFI X
T1
T2
T1
磁带和
带尺寸
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
设备订单号
MC74VHC1G50DFT1
MC74VHC1G50DFT2
MC74VHC1G50DTT1
技术
VHC1G
VHC1G
VHC1G
套餐类型
SC - 88A /
SOT - 353 / SC - 70
SC - 88A /
SOT - 353 / SC - 70
TSOP - 5 / SOT - 23
/ SC - 59
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
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