MC74VHC1G50
卜FF器
该MC74VHC1G50是一种先进的高速CMOS缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G50输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74VHC1G50接口5.0 V的电路至3.0V
电路。
http://onsemi.com
记号
图表
SC-
-88A / SOT-
-353/SC-
-70
DF后缀
CASE 419A
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性： FET = 104 ;等效门= 26
这些器件采用有铅
-free包（多个） 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
VR
d
销1
D =日期代码
TSOP-
-5/SOT-
-23/SC-
-59
DT后缀
CASE 483
VR
d
销1
D =日期代码
NC
1
5
V
CC
1
引脚分配
NC
IN A
GND
输出Y
V
CC
2
3
4
IN A
2
GND
3
4
输出Y
5
功能表
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
A输入
L
H
Y输出
L
H
IN A
1
输出Y
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月 - 12牧师
-
1
出版订单号：
MC74VHC1G50/D
MC74VHC1G50
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC - 88A ， TSOP - 5
SC - 88A ， TSOP - 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到V
CC
+ 0.5
--20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
--65到150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
±500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
锁存器 - 最多
锁存器 - 性能最多
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。最大的 - - 在绝对功能操作额定条件是不是暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 - 一个
3.经测试EIA / JESD22 - A115 - 一个
4.经测试JESD22 - C101 - 一个
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
2.0
0.0
0.0
--55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G50
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高 - 级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --4毫安
I
OH
= --8毫安
V
OL
最大低 - 级
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
1.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
最大
-
-55
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
V
IL
最大低 - 级
输入电压
V
V
OH
最小高 - 级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
V
V
mA
mA
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大Propaga-
化延迟，
输入A至Y
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
民
典型值
4.5
6.4
3.5
4.5
4
最大
7.1
10.6
5.5
7.5
10
T
A
≤
85°C
民
最大
8.5
12.0
6.5
8.5
10
-
-55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
10.0
14.5
8.0
10.0
10
pF
单位
ns
C
IN
最大输入Ca的
pacitance
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
8.0
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
被用于确定所述无 - 负载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G50
测试点
A或B
V
CC
50%
t
PHL
Y
50% V
CC
*包括所有探测和夹具电容
t
PLH
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图4.开关波形
图5.测试电路
设备订货信息
设备命名
电路
指标
MC
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
74
设备
功能
50
50
50
包
苏FFI X
DF
DF
DT
磁带&
REEL
苏FFI X
T1
T2
T1
磁带和
带尺寸
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
设备订单号
MC74VHC1G50DFT1
MC74VHC1G50DFT2
MC74VHC1G50DTT1
技术
VHC1G
VHC1G
VHC1G
套餐类型
SC - 88A /
SOT - 353 / SC - 70
SC - 88A /
SOT - 353 / SC - 70
TSOP - 5 / SOT - 23
/ SC - 59
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
MC74VHC1G50
产品预览
卜FF器
该MC74VHC1G50是一种先进的高速CMOS缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL而
保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G50输入结构时提供保护
电压为7V被施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1G50接口5V电路3V
电路。
高速： tPD的=为3.5ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 1500V ; MM > 200V
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SC - 88A / SOT- 353
DF后缀
CASE 419A
标记图
VRD
销1
D =日期代码
NC
1
5
VCC
引脚分配
1
NC
IN A
GND
输出Y
VCC
2
3
IN A
2
GND
3
4
输出Y
4
5
图1. 5引脚SOT- 353引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
逻辑符号
IN A
1
输出Y
功能表
A输入
L
H
Y输出
L
H
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 修订版0
出版订单号：
MC74VHC1G50/D
MC74VHC1G50
最大额定值*
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流， VCC和GND
在静止的空气中， SC -88A 功耗
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
（ VOUT < GND ， VOUT > VCC ）
VCC = 0
高电平或者低电平状态
符号
VCC
VIN
VOUT
IIK
IOK
IOUT
ICC
PD
TL
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5 VCC + 0.5
–20
+20
+25
+50
200
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
TSTG
-65到+150
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
推荐工作条件
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
VCC = 3.3V
±
0.3V
VCC = 5.0V
±
0.5V
符号
VCC
VIN
VOUT
TA
TR ， TF
民
2.0
0.0
0.0
–55
0
0
最大
5.5
5.5
VCC
+85
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G50
DC电气特性
VCC
符号
VIH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
VIN = VIH或VIL
IOH = -50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = -4mA
IOH = -8mA
VOL
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
IIN
ICC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
VIN = 5.5V或GND
VIN = VCC或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
2.0
2.0
3.0
4.5
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
TA = 25°C
典型值
最大
TA
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
A
A
V
最大
TA
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
VIL
最底层
输入电压
V
VOH
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
V
V
V
AC电气特性
（ C负载= 50 pF的输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
参数
测试条件
民
TA = 25°C
典型值
4.5
6.4
3.5
4.5
4
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
最大
民
最大
民
最大
单位
ns
tPLH的，
的TPH1
最大
传播延时，
输入A至Y
VCC - 3.0
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
7.1
10.6
5.5
7.5
10
8.5
12.0
6.5
8.5
10
10.0
14.5
8.0
10.0
10
CIN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
8.0
CPD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC 。 CPD用于确定空载动态
功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G50
10个间距
累积的
公差
TAPE
±0.2
mm
(±0.008”)
E
A0
B1
K0
SEE
注2
见注2
K
t
顶部
盖
TAPE
D
P2
P0
F
W
+
B0
P
+
+
D1
对于组件
2.0 mm
×
1.2 mm
和更大
机床参考
只
包括草案和半径
同心AROUND B0
浮雕
饲料用户方向
中心线
腔
* TOP COVER
带的厚度（ t1）的
0.10 mm
（ 0.004 “ ）最大。
R最小值。
胶带及部件
应通过周围半径“R”
无损伤
弯曲半径
压花
支架
浮雕
10°
最大体旋转
典型
部件腔
中线
100 mm
(3.937”)
1毫米MAX
TAPE
1 mm
（ 0.039 “ ）最大
250 mm
(9.843”)
典型
部件
中线
康贝（ TOP VIEW ）
容许弯曲度为1mm / 100毫米NONACCUMULATIVE 250
mm
图4.载带规格
压纹载体尺寸
（见注1和2 ）
TAPE
SIZE
8 mm
B1
最大
4.35 mm
(0.171”)
D
1.5 +0.1/
–0.0 mm
(0.059
+0.004/
–0.0”)
D1
1.0 mm
民
(0.039”)
E
1.75
±0.1
mm
(0.069
±0.004”)
F
3.5
±0.5
mm
(1.38
±0.002”)
K
2.4 mm
(0.094”)
P
4.0
±0.10
mm
(0.157
±0.004”)
P0
4.0
±0.1
mm
(0.156
±0.004”)
P2
2.0
±0.1
mm
(0.079
±0.002”)
R
25 mm
(0.98”)
T
0.3
±0.05
mm
(0.01
+0.0038/
–0.0002”)
W
8.0
±0.3
mm
(0.315
±0.012”)
1.公制尺寸治理，英语在括号仅供参考。
2. A0 ， B0和K0是由组件的大小来确定。组件和腔体之间的间隙必须是0.05mm以内分钟至
0.50毫米最大。该组件无法确定的空腔内旋转超过10 °
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5
QQ：2881677436 复制
