2输入或门
MC74VHC1G32
该MC74VHC1G32是一种先进的高速CMOS 2输入或门制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极不久TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出，提供高抗噪声和稳定的输出。
该MC74VHC1G32输入结构时提供保护电压高达7V的施加，而与电源电压无关。这
允许使用的MC74VHC1G32接口5伏的电路到3V的电路。
高速：吨
PD
= 3.7纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 60 ;等效门= 15
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
V4
d
SC–70/SC–88A/SOT–353
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
V4
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
SOT–23/TSOP–5/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
H
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VH32–1/4
MC74VHC1G32
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
不适用
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
连接点
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间的结温
VH32–2/4
MC74VHC1G32
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IL
最底层
输入电压
2.0
3.0
4.5
5.5
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
3.0
4.5
0.36
0.36
±
0.1
T
A
= 25°C
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
最小值典型值最大值最小值最大值最小值最大值单位
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
2.0
3.0
4.0
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
V
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
V
IN
= 5.5 V或GND 0 to5.5
V
IN
= V
CC
或GND
5.5
A
A
2.0
20
40
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延迟，
输入A或B与Y
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
11
pF
3.7
4.4
5.5
5.5
7.5
10
6.5
8.5
10
8.0
10.0
10
pF
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
T
A
= 25°C
最小值典型值
最大值最小值最大值最小值最大值单位
4.8
6.1
7.9
11.4
9.5
13.0
11.5
15.5
ns
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
VH32–3/4
MC74VHC1G32
2输入或门
该MC74VHC1G32是一种先进的高速CMOS 2输入或
门制造与硅栅CMOS技术。它实现了高
类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转
保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G32输入结构时提供保护
电压为7V被施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1G32接口5V电路3V
电路。
http://onsemi.com
高速： tPD的= 3.7ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ; MM > 200V ， CDM > 1500V
SC - 88A / SOT- 353
DF后缀
CASE 419A
标记图
V4d
销1
D =日期代码
IN B
1
5
VCC
引脚分配
IN A
2
1
2
GND
3
4
输出Y
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
VCC
图1. 5引脚SOT- 353引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
逻辑符号
IN A
IN B
≥
1
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
输出Y
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
H
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
1999年12月 - 第3版
出版订单号：
MC74VHC1G32/D
MC74VHC1G32
最大额定值*
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流， VCC和GND
在静止的空气中， SC -88A 功耗
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
（ VOUT < GND ， VOUT > VCC ）
VCC = 0
高电平或者低电平状态
符号
VCC
VIN
VOUT
IIK
IOK
IOUT
ICC
PD
TL
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5 VCC + 0.5
–20
+20
+25
+50
200
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
TSTG
-65到+150
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
推荐工作条件
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
VCC = 3.3V
±
0.3V
VCC = 5.0V
±
0.5V
符号
VCC
VIN
VOUT
TA
TR ， TF
民
2.0
0.0
0.0
–55
0
0
最大
5.5
5.5
VCC
+85
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G32
DC电气特性
VCC
符号
VIH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
VIN = VIH或VIL
IOH = -50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = -4mA
IOH = -8mA
VOL
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
IIN
ICC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
VIN = 5.5V或GND
VIN = VCC或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
2.0
2.0
3.0
4.5
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
TA = 25°C
典型值
最大
TA
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
A
A
V
最大
TA
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
VIL
最底层
输入电压
V
VOH
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
V
V
V
AC电气特性
（ C负载= 50 pF的输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
参数
测试条件
民
TA = 25°C
典型值
4.8
6.1
3.7
4.4
5.5
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
10
民
最大
民
最大
单位
ns
tPLH的，
的TPH1
最大
传播延时，
输入A或B与Y
VCC - 3.0
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
10
11.5
15.5
8.0
10.0
10
CIN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
11
CPD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC 。 CPD用于确定空载动态
功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G32
10个间距
累积的
公差
TAPE
±0.2
mm
(±0.008”)
E
A0
B1
K0
SEE
注2
见注2
K
t
顶部
盖
TAPE
D
P2
P0
F
W
+
B0
P
+
+
D1
对于组件
2.0 mm
×
1.2 mm
和更大
机床参考
只
包括草案和半径
同心AROUND B0
浮雕
饲料用户方向
中心线
腔
* TOP COVER
带的厚度（ t1）的
0.10 mm
（ 0.004 “ ）最大。
R最小值。
胶带及部件
应通过周围半径“R”
无损伤
弯曲半径
压花
支架
浮雕
10°
最大体旋转
典型
部件腔
中线
100 mm
(3.937”)
1毫米MAX
TAPE
1 mm
（ 0.039 “ ）最大
250 mm
(9.843”)
典型
部件
中线
康贝（ TOP VIEW ）
容许弯曲度为1mm / 100毫米NONACCUMULATIVE 250
mm
图4.载带规格
压纹载体尺寸
（见注1和2 ）
TAPE
SIZE
8 mm
B1
最大
4.35 mm
(0.171”)
D
1.5 +0.1/
–0.0 mm
(0.059
+0.004/
–0.0”)
D1
1.0 mm
民
(0.039”)
E
1.75
±0.1
mm
(0.069
±0.004”)
F
3.5
±0.5
mm
(1.38
±0.002”)
K
2.4 mm
(0.094”)
P
4.0
±0.10
mm
(0.157
±0.004”)
P0
4.0
±0.1
mm
(0.156
±0.004”)
P2
2.0
±0.1
mm
(0.079
±0.002”)
R
25 mm
(0.98”)
T
0.3
±0.05
mm
(0.01
+0.0038/
–0.0002”)
W
8.0
±0.3
mm
(0.315
±0.012”)
1.公制尺寸治理，英语在括号仅供参考。
2. A0 ， B0和K0是由组件的大小来确定。组件和腔体之间的间隙必须是0.05mm以内分钟至
0.50毫米最大。该组件无法确定的空腔内旋转超过10 °
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
