MC74VHC1G125
同相三态缓冲器
该MC74VHC1G125是一种先进的高速CMOS
倒相三态缓冲器制造与硅栅CMOS
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
三态输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G125输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74VHC1G125接口5.0 V的电路，以
3.0 V的电路。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
SC88A/SOT353/SC70
DF后缀
CASE 419A
W0
d
这些无铅器件
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 58 ;等效门= 15
销1
D =日期代码
TSOP5/SOT23/SC59
DT后缀
CASE 483
销1
W0
d
D =日期代码
引脚分配
1
OE
1
5
V
CC
2
3
IN A
2
4
5
GND
3
4
输出Y
A输入
OE
IN A
GND
输出Y
V
CC
功能表
OE输入
L
L
H
Y输出
L
H
Z
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
L
H
X
OE
IN A
EN
订购信息
输出Y
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 12牧师
出版订单号：
MC74VHC1G125/D
MC74VHC1G125
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
-65到+150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
特征
民
2.0
0.0
0.0
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 110
°
C
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G125
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
OZ
I
IN
I
CC
最大的三态
漏电流
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.25
±0.1
1.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
$2.5
±1.0
20
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
$2.5
$1.0
40
mA
mA
mA
V
最大
55
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
V
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
民
T
A
= 25°C
典型值
4.5
6.4
3.5
4.5
4.5
6.4
3.5
4.5
6.5
8.0
4.8
7.0
4.0
6.0
T
A
≤
85°C
55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
最大
8.0
11.5
5.5
7.5
民
最大
单位
ns
最大传播
延迟，
输入A至Y
（图3和4）
最大输出
启用时间，
输入OE为Y
（图4和5）
最大输出
禁用时，
输入OE为Y
（图4和5）
最大输入
电容
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
12.0
16.0
8.5
10.5
t
PZL
,
t
PZH
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1000
W
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1000
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
1000
W
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1000
W
C
L
= 50 pF的
8.0
11.5
5.1
7.1
9.5
13.0
6.0
8.0
11.5
15.0
ns
8.5
10.5
t
PLZ
,
t
PHZ
9.7
13.2
6.8
8.8
10
11.5
15.0
8.0
10.0
10
14.5
18.0
10.0
12.0
10
ns
C
IN
pF
pF
C
OUT
最大三态输出
把电容（输出
在高阻抗
状态）
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
8.0
C
PD
功率耗散电容（注5 ）
pF
5. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G125
开关波形
OE
50%
t
PZL
Y
50% V
CC
t
PZH
Y
50% V
CC
t
PHZ
t
PLZ
V
CC
GND
高
阻抗
V
OL
+ 0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
A
t
PLH
50%
t
PHL
50% V
CC
V
CC
GND
Y
图4.开关波形
图5中。
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL 。
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH 。
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
设备订货信息
设备命名
设备
订单号
MC74VHC1G125DFT1
MC74VHC1G125DFT1G
MC74VHC1G125DFT2
MC74VHC1G125DFT2G
MC74VHC1G125DTT1
MC74VHC1G125DTT1G
电路
指标
MC
MC
MC
MC
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
74
74
74
74
设备
功能
125
125
125
125
125
125
包
苏FFI X
DF
DF
DF
DF
DT
DT
磁带&
REEL
苏FFI X
T1
T1
T2
T2
T1
T1
套餐类型
（名称/ SOT ＃ /
通用名）
SC88A/SOT353
/SC70
SC88A/SOT353
/SC70
（无铅）
SC88A/SOT353
/SC70
TSC88A/SOT353
/SC70
（无铅）
TSOP5/SOT23
/SC59
磁带和
带尺寸
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
技术
VHC1G
VHC1G
VHC1G
VHC1G
VHC1G
VHC1G
TSOP5/SOT23
178 mm (7”)
/SC59
3000单元
（无铅）
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
MC74VHC1G125
同相三态缓冲器
该MC74VHC1G125是一种先进的高速CMOS
倒相三态缓冲器制造与硅栅CMOS
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
三态输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G125输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74VHC1G125接口5.0 V的电路，以
3.0 V的电路。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
SC88A/SOT353/SC70
DF后缀
CASE 419A
W0
d
这些无铅器件
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 58 ;等效门= 15
销1
D =日期代码
TSOP5/SOT23/SC59
DT后缀
CASE 483
销1
W0
d
D =日期代码
引脚分配
1
OE
1
5
V
CC
2
3
IN A
2
4
5
GND
3
4
输出Y
A输入
OE
IN A
GND
输出Y
V
CC
功能表
OE输入
L
L
H
Y输出
L
H
Z
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
L
H
X
OE
IN A
EN
订购信息
输出Y
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 12牧师
出版订单号：
MC74VHC1G125/D
MC74VHC1G125
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
-65到+150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
特征
民
2.0
0.0
0.0
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 110
°
C
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G125
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
OZ
I
IN
I
CC
最大的三态
漏电流
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.25
±0.1
1.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
$2.5
±1.0
20
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
$2.5
$1.0
40
mA
mA
mA
V
最大
55
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
V
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
民
T
A
= 25°C
典型值
4.5
6.4
3.5
4.5
4.5
6.4
3.5
4.5
6.5
8.0
4.8
7.0
4.0
6.0
T
A
≤
85°C
55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
最大
8.0
11.5
5.5
7.5
民
最大
单位
ns
最大传播
延迟，
输入A至Y
（图3和4）
最大输出
启用时间，
输入OE为Y
（图4和5）
最大输出
禁用时，
输入OE为Y
（图4和5）
最大输入
电容
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
12.0
16.0
8.5
10.5
t
PZL
,
t
PZH
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1000
W
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1000
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
1000
W
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1000
W
C
L
= 50 pF的
8.0
11.5
5.1
7.1
9.5
13.0
6.0
8.0
11.5
15.0
ns
8.5
10.5
t
PLZ
,
t
PHZ
9.7
13.2
6.8
8.8
10
11.5
15.0
8.0
10.0
10
14.5
18.0
10.0
12.0
10
ns
C
IN
pF
pF
C
OUT
最大三态输出
把电容（输出
在高阻抗
状态）
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
8.0
C
PD
功率耗散电容（注5 ）
pF
5. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
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3
MC74VHC1G125
开关波形
OE
50%
t
PZL
Y
50% V
CC
t
PZH
Y
50% V
CC
t
PHZ
t
PLZ
V
CC
GND
高
阻抗
V
OL
+ 0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
A
t
PLH
50%
t
PHL
50% V
CC
V
CC
GND
Y
图4.开关波形
图5中。
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL 。
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH 。
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
设备订货信息
设备命名
设备
订单号
MC74VHC1G125DFT1
MC74VHC1G125DFT1G
MC74VHC1G125DFT2
MC74VHC1G125DFT2G
MC74VHC1G125DTT1
MC74VHC1G125DTT1G
电路
指标
MC
MC
MC
MC
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
74
74
74
74
设备
功能
125
125
125
125
125
125
包
苏FFI X
DF
DF
DF
DF
DT
DT
磁带&
REEL
苏FFI X
T1
T1
T2
T2
T1
T1
套餐类型
（名称/ SOT ＃ /
通用名）
SC88A/SOT353
/SC70
SC88A/SOT353
/SC70
（无铅）
SC88A/SOT353
/SC70
TSC88A/SOT353
/SC70
（无铅）
TSOP5/SOT23
/SC59
磁带和
带尺寸
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
技术
VHC1G
VHC1G
VHC1G
VHC1G
VHC1G
VHC1G
TSOP5/SOT23
178 mm (7”)
/SC59
3000单元
（无铅）
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
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