乐山无线电公司, LTD 。
2输入与门
MC74VHC1G08
该MC74VHC1G08是一种先进的高速CMOS 2输入与门制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转,同时保持CMOS低功耗issipation 。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲器输出,提供高抗噪声和稳定的输出。
该MC74VHC1G08输入结构时提供保护电压高达7V的施加,而与电源电压无关。
这允许使用的MC74VHC1G08接口5伏的电路到3V的电路。
高速:吨
PD
= 3.5纳秒(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 2 MA(最大)在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性:场效应管= 62 ;等效门= 15
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
V2
d
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
( TOP VIEW )
1
2
3
V2
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
TSOP–5/SOT–23/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VH8–1/4
乐山无线电公司, LTD 。
MC74VHC1G08
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
& GT ; V
CC
SC- 88A , TSOP- 5
SC- 88A , TSOP- 5
-65到+150
°C
人体模型(注2 )
>2000
V
机器模型(注3 )
& GT ; 200
带电器件模型(注4 )
不适用
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
± 500
mA
I
LATCH -UP
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
时间,
时间,
1
1
10
100
1000
时间,岁月
图3.故障率与时间
结温
VH8–2/4
乐山无线电公司, LTD 。
MC74VHC1G08
DC电气特性
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
CC
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
2.0
2.0
3.0
4.0
典型值
最大
T
A
& LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
20
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
40
A
A
V
最大
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
V
V
最大
单位
V
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
V
IL
最底层
输入电压
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0 to5.5
5.5
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延时,
输入A或B与Y
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(注6 )
11
pF
3.5
4.2
5.5
5.9
7.9
10
7.0
9.0
10
9.0
11.0
10
pF
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
T
A
& LT ;
85°C -55°C至125°C
T
A
= 25°C
最小值典型值
最大值最小值最大值最小值最大值单位
4.1
5.9
8.8
12.3
10.5
14.0
12.5
16.5
ns
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR )
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
VH8–3/4
2输入与门
MC74VHC1G08
该MC74VHC1G08是一种先进的高速CMOS 2输入与门制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转,同时保持CMOS低功耗issipation 。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲器输出,提供高抗噪声和稳定的输出。
该MC74VHC1G08输入结构时提供保护电压高达7V的施加,而与电源电压无关。
这允许使用的MC74VHC1G08接口5伏的电路到3V的电路。
高速:吨
PD
= 3.5纳秒(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 2 MA(最大)在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性:场效应管= 62 ;等效门= 15
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
V2
d
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
( TOP VIEW )
1
2
3
V2
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
TSOP–5/SOT–23/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VH8–1/4
MC74VHC1G08
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
& GT ; V
CC
SC- 88A , TSOP- 5
SC- 88A , TSOP- 5
-65到+150
°C
人体模型(注2 )
>2000
V
机器模型(注3 )
& GT ; 200
带电器件模型(注4 )
不适用
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
± 500
mA
I
LATCH -UP
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
时间,
时间,
1
1
10
100
1000
时间,岁月
图3.故障率与时间
结温
VH8–2/4
MC74VHC1G08
DC电气特性
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
CC
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
2.0
2.0
3.0
4.0
典型值
最大
T
A
& LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
20
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
40
A
A
V
最大
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
V
V
最大
单位
V
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
V
IL
最底层
输入电压
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0 to5.5
5.5
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延时,
输入A或B与Y
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(注6 )
11
pF
3.5
4.2
5.5
5.9
7.9
10
7.0
9.0
10
9.0
11.0
10
pF
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
T
A
& LT ;
85°C -55°C至125°C
T
A
= 25°C
最小值典型值
最大值最小值最大值最小值最大值单位
4.1
5.9
8.8
12.3
10.5
14.0
12.5
16.5
ns
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR )
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
VH8–3/4