2输入与非门
开漏输出
MC74VHC1G03
该MC74VHC1G03是一种先进的高速CMOS 2输入或非门与一个开漏输出制造与硅栅
CMOS技术。它实现了类似相当于双极肖特基TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个开路漏极输出提供的能力来设置输出开关
的水平。这允许使用的MC74VHC1G03接口5伏的电路与V之间的任何电压的电路
CC
和7 V使用外部
电阻器和电源。
该MC74VHC1G03输入结构时提供保护电压高达7V的施加，而与电源电压无关。
高速：吨
PD
= 3.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
内部低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62 ;等效门= 16
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
VP
d
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
VP
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
TSOP–5/SOT–23/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
L
L
L
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VH3–1/4
MC74VHC1G03
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
不适用
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
时间，
时间，
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间
结温
VH3–2/4
MC74VHC1G03
DC电气特性
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
CC
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
2.0
0.25
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
20
2.5
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
典型值
最大
最大
民
1.5
2.1
3.15
3.85
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
40
5.0
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0 to5.5
5.5
0
2.0
3.0
4.0
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
V
I
IN
I
CC
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
最大断态
漏电流
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
A
A
A
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
符号
t
PZL
T
A
＆ LT ;
85°C -55°C至125°C
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
11.4
7.5
10
参数
最大输出
启用时间，
输入A或B与Y
测试条件
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= R
I
= 500
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
L
= 15 pF的
民
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
8.1
5.1
4
民
最大
9.5
13.0
6.5
8.5
13.0
8.5
10
民
最大单位
11.0
15.5
8.0
10.0
15.5
10.0
10
pF
ns
ns
t
PLZ
最大输出
禁止时间
R
L
= R
I
= 500
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
L
= 50 pF的
R
L
= R
I
= 500
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
L
= 50 pF的
R
L
= R
I
= 500
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
18
pF
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
x
V
CC
x
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
x
V
CC 2
x
f
in
+ I
CC
x
V
CC
.
VH3–3/4
乐山无线电公司， LTD 。
2输入与非门
开漏输出
MC74VHC1G03
该MC74VHC1G03是一种先进的高速CMOS 2输入或非门与一个开漏输出制造与硅栅
CMOS技术。它实现了类似相当于双极肖特基TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个开路漏极输出提供的能力来设置输出开关
的水平。这允许使用的MC74VHC1G03接口5伏的电路与V之间的任何电压的电路
CC
和7 V使用外部
电阻器和电源。
该MC74VHC1G03输入结构时提供保护电压高达7V的施加，而与电源电压无关。
高速：吨
PD
= 3.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
内部低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62 ;等效门= 16
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
VP
d
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
VP
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
TSOP–5/SOT–23/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
L
L
L
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VH3–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MC74VHC1G03
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
不适用
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
时间，
时间，
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间
结温
VH3–2/4
乐山无线电公司， LTD 。
MC74VHC1G03
DC电气特性
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
CC
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
2.0
0.25
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
20
2.5
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
典型值
最大
最大
民
1.5
2.1
3.15
3.85
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
40
5.0
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0 to5.5
5.5
0
2.0
3.0
4.0
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
V
I
IN
I
CC
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
最大断态
漏电流
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
A
A
A
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
符号
t
PZL
T
A
＆ LT ;
85°C -55°C至125°C
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
11.4
7.5
10
参数
最大输出
启用时间，
输入A或B与Y
测试条件
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= R
I
= 500
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
L
= 15 pF的
民
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
8.1
5.1
4
民
最大
9.5
13.0
6.5
8.5
13.0
8.5
10
民
最大单位
11.0
15.5
8.0
10.0
15.5
10.0
10
pF
ns
ns
t
PLZ
最大输出
禁止时间
R
L
= R
I
= 500
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
L
= 50 pF的
R
L
= R
I
= 500
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
L
= 50 pF的
R
L
= R
I
= 500
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
18
pF
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
x
V
CC
x
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
x
V
CC 2
x
f
in
+ I
CC
x
V
CC
.
VH3–3/4
MC74VHC1G135
产品预览
2输入与非
施密特触发器
与开漏输出
该MC74VHC1G135是单栅CMOS施密特与非
有一个开漏输出与制造硅栅CMOS触发
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个开放的
漏极输出，提供给设置输出开关的能力
的水平。这允许使用的MC74VHC1G135接口5V
电路使用一个VCC和7V之间的任何电压的电路
外部电阻器和电源。
该MC74VHC1G135输入结构时提供保护
电压为7V被施加，而与电源电压无关。
该MC74VHC1G135可以用来增强抗噪声能力，或
正视慢慢改变波形。
高速： tPD的= 4.9ns （典型值） ，在VCC = 5V
内部低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
掉电保护的输入端
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ; MM > 200V ， CDM > 1500V
http://onsemi.com
SC - 88A / SOT- 353
DF后缀
CASE 419A
标记图
VZd
销1
D =日期代码
引脚分配
1
2
3
4
IN B
IN A
GND
输出Y
VCC
IN B
1
OVT
5
VCC
5
IN A
2
订购信息
GND
3
4
输出Y
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
功能表
图1. 5引脚SOT- 353引脚
（ TOP VIEW ）
输入
产量
B
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
逻辑符号
IN A
IN B
＆放大器;
A
L
L
H
H
输出Y
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 第1版
出版订单号：
MC74VHC1G135/D
MC74VHC1G135
最大额定值*
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流， VCC和GND
在静止的空气中， SC -88A 功耗
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
（ VOUT < GND ， VOUT > VCC ）
符号
VCC
VIN
VOUT
IIK
IOK
IOUT
ICC
PD
TL
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
–20
+20
+25
+50
200
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
TSTG
-65到+150
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
推荐工作条件
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
符号
VCC
VIN
VOUT
TA
民
4.5
0.0
0.0
–55
最大
5.5
5.5
7.0
+85
单位
V
V
V
°C
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G135
DC电气特性
VCC
符号
VT +
参数
正阈值
电压
负阈值
电压
滞后电压
测试条件
(V)
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
VIN = VIH或VIL
IOH = -50μA
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
0
民
1.50
2.35
2.80
0.65
1.10
1.45
0.30
0.40
0.50
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
2.0
0.25
TA = 25°C
典型值
1.88
2.66
3.21
1.03
1.62
2.02
0.85
1.05
1.20
2.0
3.0
4.5
最大
2.25
3.10
3.70
1.40
2.10
2.60
1.60
2.00
2.25
TA
≤
85°C
民
1.50
2.35
2.80
0.65
1.10
1.45
0.30
0.40
0.50
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
2.5
最大
2.25
3.10
3.70
1.40
2.10
2.60
1.60
2.00
2.25
TA
≤
125°C
民
1.50
2.35
2.80
0.65
1.10
1.45
0.30
0.40
0.50
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
5.0
A
A
A
V
最大
2.25
3.10
3.70
1.40
2.10
2.60
1.60
2.00
2.25
单位
V
VT-
V
VH
V
VOH
最小高级别
输出电压
IOH = -50μA
V
V
IOH = -4mA
IOH = -8mA
VOL
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
V
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
IIN
ICC
IOPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
最大断态
漏电流
VIN = 5.5V或GND
VIN = VCC或GND
VOUT = 5.5V
AC电气特性
（ C负载= 50 pF的输入TR / TF = 3.0ns ）
符号
参数
测试条件
TA = 25°C
典型值
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
民
最大
民
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
民
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
单位
ns
tPZL
最大输出
启用时间，
A或B与Y
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1K
W
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1K
W
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
7.6
10.1
4.9
6.4
11.9
15.4
7.7
9.7
14.0
17.5
9.0
11.0
16.1
19.6
10.3
12.3
19.6
12.3
10
tPLZ
最大输出
禁止时间
迪BL钛
最大输入
电容
VCC - 3.0
±
0.3V ， RL = 1K
W
， CL = 50 pF的
VCC - 5.0
±
0.5V ， RL = 1K
W
， CL = 50 pF的
10.1
6.4
5.0
15.4
9.7
10
17.5
11.0
10
ns
CIN
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
16
CPD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC 。 CPD用于确定空载动态
功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
VCC
A
OVT
VCC = 7V
RL
B
图2.输出电压不匹配的应用
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3
MC74VHC1G135
10个间距
累积的
公差
TAPE
±0.2
mm
(±0.008”)
E
A0
B1
K0
SEE
注2
见注2
K
t
顶部
盖
TAPE
D
P2
P0
F
W
+
B0
P
+
+
D1
对于组件
2.0 mm
×
1.2 mm
和更大
机床参考
只
包括草案和半径
同心AROUND B0
浮雕
饲料用户方向
中心线
腔
* TOP COVER
带的厚度（ t1）的
0.10 mm
（ 0.004 “ ）最大。
R最小值。
胶带及部件
应通过周围半径“R”
无损伤
弯曲半径
压花
支架
浮雕
10°
最大体旋转
典型
部件腔
中线
100 mm
(3.937”)
1毫米MAX
TAPE
1 mm
（ 0.039 “ ）最大
250 mm
(9.843”)
典型
部件
中线
康贝（ TOP VIEW ）
容许弯曲度为1mm / 100毫米NONACCUMULATIVE 250
mm
图5.载带规格
压纹载体尺寸
（见注1和2 ）
TAPE
SIZE
8 mm
B1
最大
4.35 mm
(0.171”)
D
1.5 +0.1/
–0.0 mm
(0.059
+0.004/
–0.0”)
D1
1.0 mm
民
(0.039”)
E
1.75
±0.1
mm
(0.069
±0.004”)
F
3.5
±0.5
mm
(1.38
±0.002”)
K
2.4 mm
(0.094”)
P
4.0
±0.10
mm
(0.157
±0.004”)
P0
4.0
±0.1
mm
(0.156
±0.004”)
P2
2.0
±0.1
mm
(0.079
±0.002”)
R
25 mm
(0.98”)
T
0.3
±0.05
mm
(0.01
+0.0038/
–0.0002”)
W
8.0
±0.3
mm
(0.315
±0.012”)
1.公制尺寸治理，英语在括号仅供参考。
2. A0 ， B0和K0是由组件的大小来确定。组件和腔体之间的间隙必须是0.05mm以内分钟至
0.50毫米最大。该组件无法确定的空腔内旋转超过10 °
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5
MC74VHC1G03
产品预览
2输入或非门
开漏输出
该MC74VHC1G03是一种先进的高速CMOS 2输入
NOR具有漏极开路输出门制造与硅栅
CMOS技术。它实现了类似于高速操作
相当于双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低
功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个开放的
漏极开路输出可提供的能力来设置输出切换
的水平。这允许使用的MC74VHC1G03接口5V
电路使用一个VCC和7V之间的任何电压的电路
外部电阻器和电源。
该MC74VHC1G03输入结构时提供保护
电压为7V被施加，而与电源电压无关。
高速： tPD的= 3.6ns （典型值） ，在VCC = 5V
内部低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
掉电保护的输入端
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ; MM > 200V ， CDM > 1500V
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SC - 88A / SOT- 353
DF后缀
CASE 419A
标记图
VPD
销1
D =日期代码
引脚分配
1
IN B
IN A
GND
输出Y
VCC
IN B
1
OVT
5
VCC
2
3
4
5
IN A
2
GND
3
4
输出Y
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图1. 5引脚SOT- 353引脚
（ TOP VIEW ）
逻辑符号
IN A
IN B
≥
1
输出Y
A
L
L
H
H
功能表
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
L
L
L
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
1999年10月 - 修订版0.0
出版订单号：
MC74VHC1G03/D
MC74VHC1G03
最大额定值*
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流， VCC和GND
在静止的空气中， SC -88A 功耗
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
（ VOUT < GND ， VOUT > VCC ）
符号
VCC
VIN
VOUT
IIK
IOK
IOUT
ICC
PD
TL
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
–20
+20
+25
+50
200
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
TSTG
-65到+150
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
推荐工作条件
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
VCC = 3.3V
±
0.3V
VCC = 5.0V
±
0.5V
符号
VCC
VIN
VOUT
TA
TR ， TF
民
2.0
0.0
0.0
–55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+85
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G03
DC电气特性
VCC
符号
VIH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
VIN = VIH或VIL
IOH = -50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = -4mA
IOH = -8mA
VOL
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
IIN
ICC
IOPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
最大断态
漏电流
VIN = 5.5V或GND
VIN = VCC或GND
VOUT = 5.5V
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
0
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
2.0
0.25
2.0
3.0
4.5
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
2.5
TA = 25°C
典型值
最大
TA
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
5.0
A
A
A
V
最大
TA
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
VIL
最底层
输入电压
V
VOH
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
V
V
V
AC电气特性
（ C负载= 50 pF的输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
参数
测试条件
民
TA = 25°C
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
8.1
5.1
4
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
民
最大
民
最大
单位
ns
tPZL
最大输出
启用时间，
输入A或B与Y
VCC - 3.0
±
0.3V
RL = 1K
W
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1K
W
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
11.0
15.5
8.0
10.0
tPLZ
最大输出
禁止时间
迪BL钛
最大输入
电容
VCC - 3.0
±
0.3V ， RL = 1K
W
， CL = 50 pF的
VCC - 5.0
±
0.5V ， RL = 1K
W
， CL = 50 pF的
11.4
7.5
10
13.0
8.5
10
15.5
10.0
10
ns
CIN
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
18
CPD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC 。 CPD用于确定空载动态
功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
VCC
A
B
OVT
VCC = 7V
RL
图2.输出电压不匹配的应用
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G03
10个间距
累积的
公差
TAPE
±0.2
mm
(±0.008”)
E
A0
B1
K0
SEE
注2
见注2
K
t
顶部
盖
TAPE
D
P2
P0
F
W
+
B0
P
+
+
D1
对于组件
2.0 mm
×
1.2 mm
和更大
机床参考
只
包括草案和半径
同心AROUND B0
浮雕
饲料用户方向
中心线
腔
* TOP COVER
带的厚度（ t1）的
0.10 mm
（ 0.004 “ ）最大。
R最小值。
胶带及部件
应通过周围半径“R”
无损伤
弯曲半径
压花
支架
浮雕
10°
最大体旋转
典型
部件腔
中线
100 mm
(3.937”)
1毫米MAX
TAPE
1 mm
（ 0.039 “ ）最大
250 mm
(9.843”)
典型
部件
中线
康贝（ TOP VIEW ）
容许弯曲度为1mm / 100毫米NONACCUMULATIVE 250
mm
图5.载带规格
压纹载体尺寸
（见注1和2 ）
TAPE
SIZE
8 mm
B1
最大
4.35 mm
(0.171”)
D
1.5 +0.1/
–0.0 mm
(0.059
+0.004/
–0.0”)
D1
1.0 mm
民
(0.039”)
E
1.75
±0.1
mm
(0.069
±0.004”)
F
3.5
±0.5
mm
(1.38
±0.002”)
K
2.4 mm
(0.094”)
P
4.0
±0.10
mm
(0.157
±0.004”)
P0
4.0
±0.1
mm
(0.156
±0.004”)
P2
2.0
±0.1
mm
(0.079
±0.002”)
R
25 mm
(0.98”)
T
0.3
±0.05
mm
(0.01
+0.0038/
–0.0002”)
W
8.0
±0.3
mm
(0.315
±0.012”)
1.公制尺寸治理，英语在括号仅供参考。
2. A0 ， B0和K0是由组件的大小来确定。组件和腔体之间的间隙必须是0.05mm以内分钟至
0.50毫米最大。该组件无法确定的空腔内旋转超过10 °
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5
乐山无线电公司， LTD 。
2输入与非门
开漏输出
MC74VHC1G03
该MC74VHC1G03是一种先进的高速CMOS 2输入或非门与一个开漏输出制造与硅栅
CMOS技术。它实现了类似相当于双极肖特基TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个开路漏极输出提供的能力来设置输出开关
的水平。这允许使用的MC74VHC1G03接口5伏的电路与V之间的任何电压的电路
CC
和7 V使用外部
电阻器和电源。
该MC74VHC1G03输入结构时提供保护电压高达7V的施加，而与电源电压无关。
高速：吨
PD
= 3.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
内部低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62 ;等效门= 16
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
VP
d
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
VP
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
TSOP–5/SOT–23/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
L
L
L
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VH3–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MC74VHC1G03
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
不适用
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
时间，
时间，
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间
结温
VH3–2/4
乐山无线电公司， LTD 。
MC74VHC1G03
DC电气特性
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
CC
T
A
= 25°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
2.0
0.25
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
20
2.5
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
典型值
最大
最大
民
1.5
2.1
3.15
3.85
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
40
5.0
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0 to5.5
5.5
0
2.0
3.0
4.0
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
V
I
IN
I
CC
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
最大断态
漏电流
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
A
A
A
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
符号
t
PZL
T
A
＆ LT ;
85°C -55°C至125°C
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
11.4
7.5
10
参数
最大输出
启用时间，
输入A或B与Y
测试条件
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= R
I
= 500
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
L
= 15 pF的
民
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
8.1
5.1
4
民
最大
9.5
13.0
6.5
8.5
13.0
8.5
10
民
最大单位
11.0
15.5
8.0
10.0
15.5
10.0
10
pF
ns
ns
t
PLZ
最大输出
禁止时间
R
L
= R
I
= 500
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
L
= 50 pF的
R
L
= R
I
= 500
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
L
= 50 pF的
R
L
= R
I
= 500
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
18
pF
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
x
V
CC
x
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
x
V
CC 2
x
f
in
+ I
CC
x
V
CC
.
VH3–3/4
MC74VHC1G03
单路2输入或非门
与开漏输出
该MC74VHC1G03是一种先进的高速CMOS 2输入
NOR具有漏极开路输出门制造与硅栅
CMOS技术。
该内部电路由多个级的，包括一个
开漏输出，提供给设置的输出能力
切换水平。这允许MC74VHC1G03被用来
接口5 V电路V之间的任何电压的电路
CC
和7 V
使用一个外部电阻和电源。
该MC74VHC1G03输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
5
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
1
TSOP - 5 / SOT - 23 / SC- 59
DT后缀
CASE 483
VP M
G
G
M
高速：吨
PD
= 3.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
内部低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62
无铅包可用
VP M
G
G
VP
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
5
OVT
V
CC
IN B
1
引脚分配
1
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
IN A
2
2
3
GND
3
4
输出Y
4
5
功能表
图1.引脚（顶视图）
输入
A
IN A
IN B
≥
1
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
L
L
L
输出Y
图2.逻辑符号
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 14牧师
出版订单号：
MC74VHC1G03/D
MC74VHC1G03
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
功率消耗在静止空气中，在85°C
热阻
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
存储温度范围
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC705/SC88A
TSOP5
SC70-5 / SC- 88A （注1 ）
TSOP5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
150
200
350
230
260
)150
*65
to
)150
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
$500
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸， 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
2.0
0.0
0.0
55
0
0
最大
5.5
5.5
7.0
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G03
DC电气特性
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
V
IL
最底层
输入电压
测试条件
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
LKG
I
IN
I
CC
I
关闭
Z-态输出
漏电流
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
关闭电源输出
漏电流
V
IN
= V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= 5.5 V
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
0
5.5
5.5
0
0.0
0.0
0.0
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
$5
±0.1
1.0
0.25
T
A
= 25°C
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
$10
±1.0
20
2.5
最大
55
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
$10
±1.0
40
5
mA
mA
mA
mA
最大
单位
V
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
AC电气特性
输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PZL
参数
测试条件
T
A
= 25°C
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
8.1
5.1
4
T
A
≤
85°C
55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
民
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
民
最大
单位
ns
最大输出
启用时间，
输入A或B与Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
11.0
15.5
8.0
10.0
t
PLZ
最大输出
禁止时间
C
L
= 50 pF的
11.4
7.5
10
13.0
8.5
10
15.5
10.0
10
ns
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
18
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G03
V
CC
A
B
Y
OVT
V
CC
7 V
A或B
R
L
50%
GND
t
PZL
50% V
CC
t
PLZ
高
阻抗
VOL + 0.3V
V
CC
图4.输出电压不匹配的应用
V
CC
图5.开关波形
脉冲
发电机
R
T
R
1
DUT
C
L
R
L
V
CC
x 2
C
L
= 50 pF的当量（包括夹具和探头电容）
R
L
= R
1
= 500
W
或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（一般为50
W)
图6.测试电路
V
CC
MC74VHC1G01
A
B
MC74VHC1G03
C
D
3
E = （A
B） + （C + D）
6
A
B
GTL
2.2千瓦
A
2
B
1
5
R
LED
V
CC
V
CC
MC74VHC1G03
3.3 V
1.5 V
220
W
图7.复杂的布尔函数
图8. LED驱动器
图9. GTL驱动程序
订购信息
设备
MC74VHC1G03DFT1
MC74VHC1G03DFT1G
MC74VHC1G03DFT2
MC74VHC1G03DFT2G
MC74VHC1G03DTT1
MC74VHC1G03DTT1G
包
SC70-5 / SC - 88A / SOT- 353
SC70-5 / SC - 88A / SOT- 353
（无铅）
SC70-5 / SC - 88A / SOT- 353
SC70-5 / SC - 88A / SOT- 353
（无铅）
SOT23-5 / TSSOP - 5 / SC59-5
SOT23-5 / TSSOP - 5 / SC59-5
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
MC74VHC1G03
包装尺寸
SC- 88A ， SOT- 353 ， SC- 70
CASE 419A -02
ISSUE
A
G
5
4
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419A -01过时。新标准
419A02.
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
S
1
2
3
B
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
H
K
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
