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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2587页 > MC74VHC157M
MC74VHC157
四双通道多路复用器
-
该MC74VHC157是一种先进的高
-speed CMOS四
2-
声道多路复用器,制造与硅栅CMOS
技术。它实现了高
类似等价速控速
双极性
-Schottky TTL,同时保持CMOS低
- 电源
耗散。
它包括四个2-
- 输入数字多路复用器与常见的选择
( S)和启用( E)的投入。当E为High ,选择数据是
抑制和所有的输出变为低电平。
选择解码决定了A或B输入端是否被路由
到相应的Y输出。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲
输出,提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7 V ,允许5 V系统接口
3 V系统。
http://onsemi.com
记号
图表
16
9
SOIC-
-16
后缀
CASE 751B
VHC157
AWLYYWW
1
8
高速:吨
PD
= 4.1纳秒(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4
mA
(最大)在T
A
= 25°C
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2 V至5.5 V工作范围
低噪音: V
OLP
= 0.8 V(最大值)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
芯片的复杂性: 82场效应管
这些器件采用有铅
-free包(多个) 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站:
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号,或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
16
9
TSSOP-
-16
DT后缀
CASE 948F
VHC
157
ALYW
1
8
16
9
SOIC EIAJ-
-16
M后缀
CASE 966
74VHC157
ALYW
1
8
S
A0
B0
Y0
A1
B1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
E
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
A
L, WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74VHC157D
MC74VHC157DR2
MC74VHC157DT
SOIC--16
SOIC--16
TSSOP--16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
MC74VHC157DTR2 TSSOP - 16 2500个/卷
MC74VHC157M
MC74VHC157MEL
SOIC
EIAJ--16
SOIC
EIAJ--16
50单位/铁
2000个/卷
图1.引脚分配
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月 - 修订版5
-
1
出版订单号:
MC74VHC157/D
MC74VHC157
A0
B0
A1
B1
轻咬
输入
A2
B2
A3
B3
E
S
2
3
5
6
11
10
14
13
15
1
12 Y3
9
Y2
7
Y1
数据
输出
4
Y0
图2.扩展逻辑图
E
S
A0
B0
A1
B1
15
1
2
3
5
6
EN
G1
1
1
MUX
4
7
9
12
Y0
Y1
Y2
Y3
11
A2
10
B2
14
A3
13
B3
图3. IEC逻辑符号
功能表
输入
E
H
L
L
S
X
L
H
输出
Y0 - Y3
-
L
A0--A3
B0--B3
A0 - A3 , B0 - B3 =水平
字 - 的相应的数据
输入。
http://onsemi.com
2
MC74VHC157
最大额定值
(注1 )
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
θ
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数: 30 % - 35 %
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
及以下GND在85_C (注5 )
V
I
& LT ;
GND
V
O
& LT ;
GND
参数
价值
0.5
to
+7.0
0.5
到V
CC
+7.0
0.5
到V
CC
+7.0
20
±20
±25
±100
65
to
+150
260
+150
250
250
LEVEL 1
UL - 94 - VO (0.125英寸)
>2000
>200
不适用
±500
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
I
锁存器 - 最多
锁存器 - 性能最多
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大的功能操作 - 额定
条件是不是暗示。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 - 一个。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 - 一个。
4.经测试JESD22 - C101 - 一个。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围,所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
(注6 )
特征
2.0
0
0
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
125
100
20
单位
V
V
V
_C
NS / V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到高 - 逻辑电压电平或低 - 逻辑输入电压电平。
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
连接点
温度
_C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
T
J
= 90_C
T
J
= 80_C
100
时间,岁月
1
1
10
1000
图4.故障率与时间的结温
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3
MC74VHC157
DC特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
高 - 级别
输入电压
低 - 级
输入电压
高 - 级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --4毫安
I
OH
= --8毫安
V
OL
低 - 级
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 4毫安
I
OH
= 8毫安
I
IN
I
CC
输入漏
当前
电源电流
V
IN
= 5.5 V或
GND
V
IN
= V
CC
or
GND
条件
(V)
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
4.0
2.0
3.0
4.5
1.5
0.7 V
CC
0.5
0.3 V
CC
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
40.0
T
A
= 25_C
典型值
最大
T
A
≤85_C
1.5
0.7 V
CC
0.5
0.3 V
CC
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40.0
mA
mA
V
最大
-
-55_C
≤T
A
≤125_C
1.5
0.7 V
CC
0.5
0.3 V
CC
最大
单位
V
V
V
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒)
T
A
= 25_C
符号
t
PLH
,
t
PHL
特征
传播延迟,
A到B为Y
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
t
PLH
,
t
PHL
传播延迟,
S到
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
t
PLH
,
t
PHL
传播延迟,
为Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
IN
输入电容
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
典型值
6.2
8.7
4.1
5.6
8.4
10.9
5.3
6.8
8.7
11.2
5.6
7.1
4
最大
9.7
13.2
6.4
8.4
13.2
16.7
8.1
10.1
13.6
17.1
8.6
10.6
10
T
A
≤85_C
典型值
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
11.5
15.0
7.5
9.5
15.5
19.0
9.5
11.5
16.0
19.5
10.0
12.0
10
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(注7 )
20
pF
7. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
被用于确定所述无 - 负载动态
功耗:P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
-
-55_C
≤T
A
≤125_C
典型值
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
11.5
15.0
7.5
9.5
15.5
19.0
9.5
11.5
16.0
19.5
10.0
12.0
10
pF
ns
ns
单位
ns
http://onsemi.com
4
MC74VHC157
噪声特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒;
L
= 50 pF的; V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25_C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
特征
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
0.3
最大
0.8
0.8
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
V
CC
A,B或S
50%
t
PLH
Y
50% V
CC
t
PHL
GND
E
V
CC
50%
t
PLH
t
PHL
50% V
CC
GND
Y
图5.开关波形
图6.反向交换
测试点
产量
设备
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容。
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
四路2通道多路复用器
该MC74VHC157是一种先进的高速CMOS四2通道
多路复用器制造与硅栅CMOS技术。它实现了高
同时保持类似相当于双极肖特基TTL高速运转
CMOS的低功耗。
它包括四个带有共用的选择(S) - 二输入数字多路复用器和
启用( E)的投入。当E为High ,选择数据被禁止,所有
输出变为低电平。
选择解码决定了A或B输入端是否被路由到
对应的Y输出。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ,允许5V系统的接口, 3V的系统。
高速: tPD的= 4.1ns (典型值) ,在VCC = 5V
低功耗: ICC = 4μA (最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音: VOLP = 0.8V (最大)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性: 82场效应管或20个等效门
膨胀逻辑图
2
A0
B0
A1
B1
轻咬
输入
A2
B2
A3
B3
E
S
10
14
13
15
1
12 Y3
9
Y2
3
5
6
11
7
Y1
数据
输出
4
Y0
MC74VHC157
后缀
16引脚SOIC封装
CASE 751B -05
DT后缀
16引脚TSSOP封装
CASE 948F -01
M后缀
16引脚SOIC封装EIAJ
CASE 966-01
订购信息
MC74VHCXXXD
MC74VHCXXXDT
MC74VHCXXXM
SOIC
TSSOP
EIAJ SOIC
引脚分配
S
A0
B0
Y0
A1
B1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
E
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
功能表
输入
E
S
输出
Y0 – Y3
H
X
L
L
L
A0 – A3
L
H
B0 – B3
A0 - A3 , B0 - B3 =的水平
各个数据字的输入。
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC157
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中,
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR , TF
VIL
VIN
TA
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
VCC = 5.0V
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V CC) 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
V
V
V
V
MC74VHC157
DC电气特性
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
TA = 25°C
典型值
TA = - 40 85°C
最大
±
1.0
40.0
最大
单位
A
A
最大输入
漏电流
VIN = 5.5 V或GND
VIN = VCC或GND
0至5.5
5.5
±
0.1
4.0
ICC
最大静态
电源电流
AC电气特性
(输入TR = TF = 3.0ns )
符号
S B升
tPLH的,
的TPH1
参数
P
TA = 25°C
典型值
6.2
8.7
4.1
5.6
TA = - 40 85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
试验C迪我
T
条件
最大
单位
U I
ns
最大传播延迟,
A或B与Y
VCC = 3.3
±
0.3 V
VCC - 5.0
±
0.5 V
VCC = 3.3
±
0.3 V
VCC - 5.0
±
0.5 V
VCC = 3.3
±
0.3 V
VCC - 5.0
±
0.5 V
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
9.7
13.2
6.4
8.4
11.5
15.0
7.5
9.5
tPLH的,
的TPH1
最大传播延迟,
S到
8.4
10.9
5.3
6.8
13.2
16.7
15.5
19.0
9.5
11.5
ns
8.1
10.1
tPLH的,
的TPH1
最大传播延迟,
为Y
8.7
11.2
5.6
7.1
4
13.6
17.1
16.0
19.5
10.0
12.0
10
ns
8.6
10.6
10
CIN
最大输入电容
pF
典型的25°C , VCC = 5.0V
20
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容(N
i
(注1 )
1.)
pF
F
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到: ICC (OPR
)
= CPD

VCC

散热片+ ICC 。 CPD用于确定空载动态
功耗; PD = CPD

VCC2

散热片+ ICC

VCC 。
噪声特性
(输入TR = TF = 3.0ns , CL = 50pF的, VCC = 5.0V )
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
特征
Ch
i i
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
– 0.3
最大
0.8
– 0.8
3.5
1.5
单位
U I
V
V
V
V
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74VHC157
开关波形
VCC
A,B或S
TPLH
Y
50 % VCC
50%
的TPH1
Y
E
GND
的TPH1
50 % VCC
50%
TPLH
VCC
GND
图1.开关波形
测试点
产量
设备
TEST
CL *
图2.反向交换
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
输入
图4.输入等效电路
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
MC74VHC157
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–A
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
DT后缀
塑料TSSOP封装
CASE 948F -01
发行
16X
K
REF
0.10 (0.004)
0.15 ( 0.006 )T ü
S
M
ü
S
V
S
K
K1
16
2X
L/2
9
J1
B
–U–
L
销1
IDENT 。
1
8
第N-N
J
N
0.25 (0.010)
0.15 ( 0.006 )T ü
S
A
–V–
N
F
DETAIL ê
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A不包括塑模毛边。
突出或毛刺。塑模毛边或
GATE毛刺不得超过0.15 ( 0.006 ) PER
SIDE 。
4.尺寸b不包括引脚间
FLASH或突出。间的薄膜或
PROTRUSION不得超过
0.25 ( 0.010 ),每边。
5.尺寸k不包括密封条
前伸。允许的dambar突出
SHALL BE 0.08 ( 0.003 )总计超过K型
DIMENSION在最大的物质条件。
6.端子数列
仅供参考。
7,维A和B是待确定AT
基准面-W- 。
MILLIMETERS
最大
4.90
5.10
4.30
4.50
–––
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.18
0.28
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0
_
8
_
英寸
最大
0.193
0.200
0.169
0.177
–––
0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.007
0.011
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0
_
8
_
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
C
0.10 (0.004)
–T–
座位
飞机
H
D
G
DETAIL ê
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
5
–W–
摩托罗拉
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