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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2995页 > MC74VHC139DR2G
MC74VHC139
双路2至4解码器/
多路解复用器
该MC74VHC139是一种先进的高速CMOS 2至4
解码器/多路分解器制造与硅栅CMOS
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ,同时保持CMOS低功耗
耗散。
当设备被使能( E =低)时,它可用于选通或作为
一个数据输入端用于解复用操作。当使能输入是
举高,所有四个输出固定的高,独立于其他投入。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲
输出,提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7 V ,允许5 V接口
系统3 V系统。
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标记DIAGRAMS
16
9
SOIC16
后缀
CASE 751B
VHC139
AWLYYWW
1
8
16
9
高速:吨
PD
= 5.0纳秒(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4
mA
(最大)在T
A
= 25°C
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2 V至5.5 V工作范围
低噪音: V
OLP
= 0.8 V(最大值)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能:人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性: 100场效应管或25个等效门
无铅包可用*
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
VHC
139
ALYW
1
8
16
9
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
74VHC139
ALYW
1
8
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
Ea
A0a
A1a
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
GND
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Eb
A0b
A1b
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第3版
出版订单号:
MC74VHC139/D
MC74VHC139
地址
输入
A0a
A1a
2
3
4
5
6
7
1
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
ACTIVE -LOW
输出
表1.功能表
输入
E
H
L
A1
X
L
L
H
H
A0
X
L
H
L
H
Y0
H
L
H
H
H
输出
Y1
H
H
L
H
H
Y2
H
H
H
L
H
Y3
H
H
H
H
L
Ea
L
L
地址
输入
A0b
A1b
14
13
12
11
10
9
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
ACTIVE -LOW
输出
L
Eb
15
图1.逻辑图
En
Y0
A0
Y1
Y2
A1
Y3
图2.扩展逻辑图
( DEVICE 1/2 )
A1a
输入
A0a
Ea
3
2
1
1
2
EN
X / Y
0
1
2
3
4 Y0A
5 Y1A
6 Y2A
7 Y3A
12 Y0B
11 Y1B
10 Y2B
9 Y3B
A1a
A0a
Ea
3
2
1
0
1
多路分解器
0
0
G
3
1
2
3
4 Y0A
5 Y1A
6 Y2A
7 Y3A
12 Y0B
11 Y1B
10 Y2B
9 Y3B
A1B 13
A0B 14
EB 15
A1B 13
A0B 14
EB 15
图3.输入等效电路
图4. IEC逻辑图
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2
MC74VHC139
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
连接点
温度(℃)
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 110
°
C
1
1
10
时间,岁月
100
1000
图5.故障率与时间
结温
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3
TJ = 80
°
C
TJ = 90
°
C
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
V
OUT
I
IK
直流输出电压
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
±20
±25
±75
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
OUT
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
500
450
mW
°C
T
英镑
-65到+150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值(未正常工作条件下),并且
同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
参数
2.0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
V
CC
V
in
直流电源电压
直流输入电压
V
OUT
T
A
直流输出电压
V
CC
工作温度
55
0
0
+125
100
20
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
(图3)
V
CC
= 3.3 V
±0.3V
V
CC
=5.0 V
±0.5V
NS / V
q
JA
包的等于1 /降额。较高的结温会影响
预期每表中的设备的寿命和下图。
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
DC电气特性
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns )
符号
符号
C
PD
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
C
IN
I
CC
I
IN
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
最大输入
电容
最大
传播延迟,
为Y
最大
传播延迟,
一个为Y
最大
静态电源
当前
最大输入
漏电流
最大
低电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最低
高电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最大
低电平输入
电压
最低
高电平输入
电压
功率耗散电容( 1 )
参数
参数
V
CC
= 5.0
±
0.5 VC
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 VC
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 VC
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 VC
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
测试条件
测试条件
V
CC
(V)
0
5.5
5.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD

V
CC

f
in
+ I
CC
/ 2 (每个解码器) 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD

V
CC2

f
in
+ I
CC

V
CC
.
http://onsemi.com
MC74VHC139
1.5
2.1
3.15
3.85
2.58
3.94
1.9
2.9
4.4
4
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
典型值
典型值
4.4
5.9
6.4
8.9
5.0
6.5
7.2
9.7
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
4
±
0.1
9.2
12.7
最大
0.36
0.36
最大
11.0
14.5
0.5
0.9
1.35
1.65
6.3
8.3
7.2
9.2
4.0
0.1
0.1
0.1
10
T
A
= - 4085 ℃下
1.5
2.1
3.15
3.85
2.48
3.80
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.9
2.9
4.4
T
A
=
85°C
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
±
1.0
8.5
10.5
13.0
16.5
最大
40.0
0.44
0.44
最大
11.0
14.5
0.5
0.9
1.35
1.65
7.5
9.5
0.1
0.1
0.1
10
1.5
2.1
3.15
3.85
2.34
3.66
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.9
2.9
4.4
26
T
A
= - 55 125°C
T
A
=
125°C
±
1.0
8.5
10.5
13.0
16.5
最大
40.0
0.52
0.52
最大
11.0
14.5
0.5
0.9
1.35
1.65
7.5
9.5
0.1
0.1
0.1
10
pF
单位
单位
mA
mA
pF
ns
ns
V
V
V
V
MC74VHC139
开关波形
A
t
PLH
Y
50%
t
PHL
50% V
CC
V
CC
GND
图6 。
测试点
产量
设备
TEST
E
V
CC
50%
t
PHL
t
PLH
GND
C
L
*
Y
50% V
CC
*包括所有探测和夹具电容
图7 。
图8.测试电路
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5
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数量
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC74VHC139DR2G
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    -
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
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联系人:朱咸华
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