MC74LVXT4066
四路模拟开关/
复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4066利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
关信道泄漏电流。这种双向开关/多路复用器/
信号分离器控制的模拟和数字电压是可以变化
在整个电源电压范围（从V
CC
到GND） 。
该LVXT4066是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14066和高速CMOS HC4066A 。每个器件有四个
独立开关。该设备已被设计成使得所述开
电阻（R
ON
）更为线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟开关。
的ON / OFF控制输入与标准兼容的输入通道
输出。此设备上的输入保护电路允许
过电压容差上的ON / OFF控制输入，使
装置被用来作为一个逻辑电平转换为3.0 V CMOS逻辑来
5.0 V CMOS或1.8 V CMOS逻辑3.0 V CMOS逻辑
在较高的电压电源而工作。
该MC74LVXT4066输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74LVXT4066接口5.0 V的电路，以
3.0 V的电路。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
LVXT4066
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
LVXT
4066
ALYW
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0 6.0 V
模拟输入电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
无铅包可用*
14
SOEIAJ14
M后缀
CASE 965
1
74LVXT4066
ALYW
14
1
A
WL或L
Y
WW或W
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第2版
出版订单号：
MC74LVXT4066/D
MC74LVXT4066
逻辑图
X
A
A ON / OFF控制
X
B
B ON / OFF控制
X
C
C ON / OFF控制
X
D
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
10
Y
D
9
Y
C
3
Y
B
类似物
输出/输入
2
Y
A
引脚连接
（ TOP VIEW ）
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF
控制
C ON / OFF
控制
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF
控制
D ON / OFF
控制
X
D
Y
D
Y
C
X
C
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
订购信息
设备
MC74LVXT4066DR2
MC74LVXT4066DR2G
MC74LVXT4066DTR2
MC74LVXT4066M
MC74LVXT4066MG
MC74LVXT4066MEL
MC74LVXT4066MELG
包
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74LVXT4066
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
500
450
mA
P
D
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
参数
民
2.0
最大
5.5
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
GND
V
CC
V
CC
1.2
V
IO
*
T
A
工作温度，所有封装类型
– 55
0
0
+ 85
100
20
_C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
输入端（图10）
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
NS / V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限额
v
85_C
1.2
2.0
2.0
- 55 25_C
1.2
2.0
2.0
v
125_C
1.2
2.0
2.0
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
（注1 ）
R
on
=每规格
V
IL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
（注1 ）
R
on
=每规格
0.53
0.8
0.8
0.53
0.8
0.8
0.53
0.8
0.8
V
I
in
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
4.0
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
V
in
= V
CC
或GND V
IO
= 0 V
1.规格仅作为设计目标。没有最终的规格限制。
http://onsemi.com
3
在电源电压（V
CC
）接近2 V中的模拟开关的导通电阻变得极其非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
.
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，ON / OFF控制输入：吨
r
= t
f
= 6纳秒）
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
符号
符号
DR
on
t
PLH
,
t
PHL
t
PZL
,
t
PZH
t
PLZ
,
t
PHZ
C
PD
R
on
I
on
I
关闭
C
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
最大电容
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大“开”电阻
参数
参数
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（图4）
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND （端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
- GND ）
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关（图3 ）
ON / OFF控制输入
测试条件
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
MC74LVXT4066
http://onsemi.com
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
—
—
—
2.0
3.0
4.5
5.5
V
CC
V
5.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
- 55 25_C
- 55
25_C
4.0
3.0
1.0
1.0
35
1.0
20
12
8.0
8.0
10
30
20
15
15
0.1
0.1
15
10
10
—
30
25
20
—
40
25
20
保证限额
保证限额
15
v
85_C
v
85_C
6.0
5.0
2.0
2.0
0.5
0.5
35
1.0
—
35
28
25
—
45
28
25
10
25
14
10
10
35
25
18
18
20
12
12
v
125_C
v
125_C
8.0
6.0
2.0
2.0
1.0
1.0
35
1.0
10
30
15
12
12
40
30
22
20
25
15
15
—
40
35
30
—
50
35
30
单位
单位
mA
mA
pF
pF
ns
ns
ns
W
W
4
MC74LVXT4066
四路模拟开关/
复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4066利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
关信道泄漏电流。这种双向开关/多路复用器/
信号分离器控制的模拟和数字电压是可以变化
在整个电源电压范围（从V
CC
到GND） 。
该LVXT4066是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14066和高速CMOS HC4066A 。每个器件有四个
独立开关。该设备已被设计成使得所述开
电阻（R
ON
）更为线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟开关。
的ON / OFF控制输入与标准兼容的输入通道
输出。此设备上的输入保护电路允许
过电压容差上的ON / OFF控制输入，使
装置被用来作为一个逻辑电平转换为3.0 V CMOS逻辑来
5.0 V CMOS或1.8 V CMOS逻辑3.0 V CMOS逻辑
在较高的电压电源而工作。
该MC74LVXT4066输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74LVXT4066接口5.0 V的电路，以
3.0 V的电路。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ14
M后缀
CASE 965
1
LVXT4066
A
WL ，L
Y
WW, W
G或
G
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
LVXT4066
ALYWG
LVXT
4066
ALYWG
G
LVXT4066G
AWLYWW
14
1
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 6.0 V
模拟输入电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
这些器件是无铅和符合RoHS标准
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年5月
第3版
1
出版订单号：
MC74LVXT4066/D
MC74LVXT4066
逻辑图
X
A
A ON / OFF控制
X
B
B ON / OFF控制
X
C
C ON / OFF控制
X
D
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
10
Y
D
9
Y
C
3
Y
B
类似物
输出/输入
2
Y
A
引脚连接
（ TOP VIEW ）
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF
控制
C ON / OFF
控制
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF
控制
D ON / OFF
控制
X
D
Y
D
Y
C
X
C
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
订购信息
设备
MC74LVXT4066DR2G
MC74LVXT4066DTR2G
MC74LVXT4066MG
包
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
SOEIAJ14
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74LVXT4066
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
500
450
mA
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
●降额
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
T
A
参数
民
2.0
最大
5.5
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
GND
V
CC
V
CC
1.2
V
IO
*
t
r
, t
f
工作温度，所有封装类型
– 55
0
0
+ 85
100
20
_C
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
输入端（图10）
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
NS / V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限额
v
85_C
1.2
2.0
2.0
- 55 25_C
1.2
2.0
2.0
v
125_C
1.2
2.0
2.0
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
（注1 ）
R
on
=每规格
V
IL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
（注1 ）
R
on
=每规格
0.53
0.8
0.8
0.53
0.8
0.8
0.53
0.8
0.8
V
I
in
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
4.0
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
V
in
= V
CC
或GND V
IO
= 0 V
1.规格仅作为设计目标。没有最终的规格限制。
http://onsemi.com
3
MC74LVXT4066
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
—
45
28
25
—
35
28
25
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25_C
—
40
25
20
—
30
25
20
v
125_C
—
50
35
30
—
40
35
30
25
15
15
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND （端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
GND ）
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关（图3 ）
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
15
10
10
20
12
12
W
I
关闭
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
0.1
0.5
1.0
mA
I
on
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（图4）
5.5
0.1
0.5
1.0
mA
在电源电压（V
CC
）接近2 V中的模拟开关的导通电阻变得极其非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，ON / OFF控制输入：吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
—
—
—
保证限额
v
85_C
6.0
5.0
2.0
2.0
35
25
18
18
25
14
10
10
10
- 55 25_C
4.0
3.0
1.0
1.0
30
20
15
15
v
125_C
8.0
6.0
2.0
2.0
40
30
22
20
30
15
12
12
10
单位
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
20
12
8.0
8.0
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
15
C
PD
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
.
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