MC74LVXT4052
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4052利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低截止
漏电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
（从V
CC
到V
EE
).
该LVXT4052是在引出线的高速HC4052A类似
和金属栅MC14052B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接，通过装置
模拟开关的，以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
TTL电平。
该设备经特别设计，导通电阻（R
ON
）更
线性的输入电压与R-
ON
的金属栅CMOS模拟
开关和高速CMOS模拟开关。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
LVXT4052
AWLYYWW
1
8
16
9
选择引脚兼容TTL电平
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
模拟电源电压范围（V
CC
– V
EE
) =
*3.0
V到
)3.0
V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
LVXT
4052
AWLYWW
1
8
16
9
改进的线性度和低导通电阻比金属栅，
HSL或VHC同行
低噪音
分离电源达
$
3.0 V
先开后合式电路
SO EIAJ - 16
M后缀
CASE 966
LVXT4052
ALYW
1
8
设计工作在单电源与V
EE
= GND ，或者使用
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74LVXT4052D
MC74LVXT4052DR2
MC74LVXT4052DT
MC74LVXT4052DTR2
MC74LVXT4052M
MC74LVXT4052MEL
包
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
SO EIAJ - 16
SO EIAJ - 16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年1月 - 第3版
出版订单号：
MC74LVXT4052/D
MC74LVXT4052
归一化故障率
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 90_C
80
90
100
110
120
130
140
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
T
J
= 80_C
时间，时间
时间，岁月
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
最大额定值
（注1 ）
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
V
CC
V
IS
（参考GND）
（参考V
EE
)
*
7.0以
)0.5
*
0.5
)7.0
*
0.5
)7.0
*
为0.5 7.0
$20
V
EE
*
0.5 V
CC
)0.5
V
IN
I
（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
*
65
)150
260
)150
143
164
500
450
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中，
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
UL- 94 -VO （0.125英寸）
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
参数
（参考GND）
民
最大
GND
6.0
6.0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
（参考GND）
（参考V
EE
)
2.5
2.5
V
EE
0
V
CC
6.0
125
100
20
V
IN
（注6）（参照GND ）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围，所有封装类型
*
6.0
*
55
0
0
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
NS / V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
MC74LVXT4052
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4052利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低截止
漏电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
（从V
CC
到V
EE
).
该LVXT4052是在引出线的高速HC4052A类似
和金属栅MC14052B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接，通过装置
模拟开关的，以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
TTL电平。
该设备经特别设计，导通电阻（R
ON
）更
线性的输入电压与R-
ON
的金属栅CMOS模拟
开关和高速CMOS模拟开关。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
LVXT4052
AWLYYWW
1
8
16
9
选择引脚兼容TTL电平
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
模拟电源电压范围（V
CC
– V
EE
) =
*3.0
V到
)3.0
V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
LVXT
4052
AWLYWW
1
8
16
9
改进的线性度和低导通电阻比金属栅，
HSL或VHC同行
低噪音
分离电源达
$
3.0 V
先开后合式电路
SO EIAJ - 16
M后缀
CASE 966
LVXT4052
ALYW
1
8
设计工作在单电源与V
EE
= GND ，或者使用
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74LVXT4052D
MC74LVXT4052DR2
MC74LVXT4052DT
MC74LVXT4052DTR2
MC74LVXT4052M
MC74LVXT4052MEL
包
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
SO EIAJ - 16
SO EIAJ - 16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年1月 - 第3版
出版订单号：
MC74LVXT4052/D
MC74LVXT4052
归一化故障率
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 90_C
80
90
100
110
120
130
140
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
T
J
= 80_C
时间，时间
时间，岁月
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
最大额定值
（注1 ）
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
V
CC
V
IS
（参考GND）
（参考V
EE
)
*
7.0以
)0.5
*
0.5
)7.0
*
0.5
)7.0
*
为0.5 7.0
$20
V
EE
*
0.5 V
CC
)0.5
V
IN
I
（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
*
65
)150
260
)150
143
164
500
450
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中，
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
UL- 94 -VO （0.125英寸）
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
参数
（参考GND）
民
最大
GND
6.0
6.0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
（参考GND）
（参考V
EE
)
2.5
2.5
V
EE
0
V
CC
6.0
125
100
20
V
IN
（注6）（参照GND ）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围，所有封装类型
*
6.0
*
55
0
0
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
NS / V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
MC74AC86 ， MC74ACT86
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
电源电压
直流输入电压，输出电压（参考到GND）
输入上升和下降时间（注1 ）
“ AC
除施密特输入设备
输入上升和下降时间（注2 ）
“ ACT
除施密特输入设备
结温（ PDIP ）
工作环境温度范围
输出电流
高
输出电流
低
V
CC
@ 3.0 V
V
CC
@ 4.5 V
V
CC
@ 5.5 V
V
CC
@ 4.5 V
V
CC
@ 5.5 V
参数
“ AC
“ ACT
民
2.0
4.5
0
40
150
40
25
10
8.0
25
典型值
5.0
5.0
最大
6.0
5.5
V
CC
140
85
24
24
NS / V
°C
°C
mA
mA
NS / V
单位
V
V
t
r
, t
f
T
J
T
A
I
OH
I
OL
1. V
in
从30％到70 ％的V
CC
;看到各个数据表的不同于典型的输入上升和下降时间的设备。
2. V
in
从0.8 V至2.0 V ;看到各个数据表的不同于典型的输入上升和下降时间的设备。
DC特性
74AC
74AC
T
A
=
40°C
to
+85°C
单位
V
条件
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
I
OUT
=
50
mA
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
T
A
= +25°C
典型值
1.5
2.25
2.75
1.5
2.25
2.75
2.99
4.49
5.49
0.002
0.001
0.001
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
4.0
保证限制
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
75
75
40
V
IL
V
V
OH
V
V
*V
IN
= V
IL
或V
IH
12
mA
I
OH
24
mA
24
mA
I
OUT
= 50
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
V
V
*V
IN
= V
IL
或V
IH
12毫安
I
OL
24毫安
24毫安
V
I
= V
CC
， GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
V
IN
= V
CC
或GND
I
IN
I
老
I
OHD
I
CC
最大输入
漏电流
最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
5.5
5.5
5.5
5.5
mA
mA
mA
mA
*所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
.
http://onsemi.com
2
MC74AC86 ， MC74ACT86
AC特性
（对于图和波形
参见安森美半导体FACT第3数据簿， DL138 / D ）
74AC
T
A
= +25°C
C
L
= 50 pF的
民
2.0
1.5
2.0
1.5
典型值
6.0
4.5
6.5
4.5
最大
11.5
8.5
11.5
8.5
74AC
T
A
=
40°C
至+ 85°C
C
L
= 50 pF的
民
1.5
1.0
1.5
1.0
最大
12.5
9.0
12.5
9.5
单位
ns
ns
符号
t
PLH
t
PHL
传播延迟
输入到输出
传播延迟
输入到输出
参数
V
CC
*
(V)
3.3
5.0
3.3
5.0
图。
号
35
35
*电压范围3.3 V是3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V.
DC特性
74ACT
74ACT
T
A
=
40°C
to
+85°C
单位
V
V
V
条件
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
I
OUT
=
50
mA
*V
IN
= V
IL
或V
IH
24
mA
I
OH
24
mA
I
OUT
= 50
mA
*V
IN
= V
IL
或V
IH
24毫安
I
OL
24毫安
V
I
= V
CC
， GND
V
I
= V
CC
2.1 V
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
V
IN
= V
CC
或GND
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
1.5
75
75
40
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
T
A
= +25°C
典型值
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
0.001
0.001
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.86
4.86
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
0.6
4.0
保证限制
V
V
OL
最大低电平
输出电压
4.5
5.5
4.5
5.5
V
V
I
IN
DI
CCT
I
老
I
OHD
I
CC
最大输入
漏电流
其他最大我
CC
/输入
最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
mA
mA
mA
mA
mA
*所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
AC特性
（对于图和波形
参见安森美半导体FACT第3数据簿， DL138 / D ）
74ACT
T
A
= +25°C
C
L
= 50 pF的
民
1.5
1.5
典型值
8.5
7.0
最大
9.5
9.5
74ACT
T
A
=
40°C
至+ 85°C
C
L
= 50 pF的
民
1.0
1.0
最大
10.0
10.5
单位
ns
ns
符号
t
PLH
t
PHL
传播延迟
传播延迟
参数
V
CC
*
(V)
5.0
5.0
图。
号
35
35
*电压范围5.0 V是5.0 V
±0.5
V.
http://onsemi.com
3
MC74AC86 ， MC74ACT86
电容
符号
C
IN
C
PD
输入电容
功率耗散电容
参数
价值
典型值
4.5
35
单位
pF
pF
测试条件
V
CC
= 5.0 V
V
CC
= 5.0 V
订购信息
设备
MC74AC86N
MC74AC86NG
MC74ACT86N
MC74ACT86NG
MC74AC86D
MC74AC86DG
MC74AC86DR2
MC74AC86DR2G
MC74ACT86D
MC74ACT86DG
MC74ACT86DR2
MC74ACT86DR2G
MC74AC86DTR2
MC74ACT86DTR2
MC74ACT86MEL
MC74ACT86MELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
航运
25单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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