MC74LVXT4051
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4051利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低泄漏
电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制模拟
电压穿越整个电源范围可能会有所不同（从
V
CC
到V
EE
).
该LVXT4051在引出线的LVX8051的HC4051A相似，
和金属栅MC14051B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接，通过装置
模拟开关的，以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
TTL电平。这些输入过压容限（ OVT ）的水平
翻译从6.0 V下降到3.0V。
该设备经特别设计，导通电阻（R
ON
）更
线性的输入电压与R-
ON
的金属栅CMOS模拟
开关和高速CMOS模拟开关。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
LVXT4051
AWLYYWW
1
8
16
9
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
LVXT
4051
AWLYWW
1
8
选择引脚兼容TTL电平
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
模拟电源电压范围（V
CC
– V
EE
) =
*3.0
V到
)3.0
V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
SO EIAJ - 16
M后缀
CASE 966
16
9
LVXT4051
ALYW
1
8
改进的线性度和低导通电阻比金属栅，
HSL或VHC同行
低噪音
分离电源达
$
3.0 V
先开后合式电路
设计工作在单电源与V
EE
= GND ，或者使用
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74LVXT4051D
MC74LVXT4051DR2
MC74LVXT4051DT
MC74LVXT4051DTR2
MC74LVXT4051M
MC74LVXT4051MEL
包
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
SO EIAJ - 16
SO EIAJ - 16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年1月 - 第3版
出版订单号：
MC74LVXT4051/D
MC74LVXT4051
归一化故障率
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 90_C
80
90
100
110
120
130
140
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
T
J
= 80_C
时间，时间
时间，岁月
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
最大额定值
（注1 ）
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
V
CC
V
IS
（参考GND）
（参考V
EE
)
*
7.0以
)0.5
*
0.5
)7.0
*
0.5
)7.0
*
为0.5 7.0
$20
V
EE
*
0.5 V
CC
)0.5
V
IN
I
（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
*
65
)150
260
)150
143
164
500
450
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中，
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
UL- 94 -VO （0.125英寸）
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
参数
（参考GND）
民
最大
GND
6.0
6.0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
（参考GND）
（参考V
EE
)
2.5
2.5
V
EE
0
V
CC
6.0
125
100
20
V
IN
（注6）（参照GND ）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围，所有封装类型
*
6.0
*
55
0
0
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
NS / V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
MC74LVXT4051
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4051利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低泄漏
电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制模拟
电压穿越整个电源范围可能会有所不同（从
V
CC
到V
EE
).
该LVXT4051在引出线的LVX8051的HC4051A相似，
和金属栅MC14051B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接，通过装置
模拟开关的，以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
TTL电平。这些输入过压容限（ OVT ）的水平
翻译从6.0 V下降到3.0V。
该设备经特别设计，导通电阻（R
ON
）更
线性的输入电压与R-
ON
的金属栅CMOS模拟
开关和高速CMOS模拟开关。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
LVXT4051
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
LVXT
4051
ALYW
选择引脚兼容TTL电平
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
模拟电源电压范围（V
CC
V
EE
) =
*3.0
V到
)3.0
V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
16
改进的线性度和低导通电阻比金属栅，
HSL或VHC同行
低噪音
分离电源达
$
3.0 V
先开后合式电路
无铅包可用*
LVXT4051
ALYW
设计工作在单电源与V
EE
= GND ，或者使用
A
WL或L
Y
WW或W
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号：
MC74LVXT4051/D
MC74LVXT4051
功能表
V
CC
16
X2
15
X1
14
X0
13
X3
12
A
11
B
10
C
9
控制输入
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X =无关
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
A
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
无
1
X4
2
X6
3
X
4
X7
5
6
7
8
X5启用V
EE
GND
图1.引脚连接和标记图
（ TOP VIEW ）
X0
X1
X2
类似物
输入/输出
13
14
15
3
多路复用器/
多路解复用器
X
常见
输出/输入
X3 12
1
X4
5
X5
X6 2
X7
4
A 11
通道
10
B
选择输入
9
C
6
启用
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
引脚7 = V
EE
图2.逻辑图
单极， 8位加共关闭
订购信息
设备
MC74LVXT4051D
MC74LVXT4051DG
MC74LVXT4051DR2
MC74LVXT4051DR2G
MC74LVXT4051DT
MC74LVXT4051DTR2
MC74LVXT4051M
MC74LVXT4051MG
MC74LVXT4051MEL
MC74LVXT4051MELG
包
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
96单位/铁
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74LVXT4051
归一化故障率
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 90_C
80
90
100
110
120
130
140
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
T
J
= 80_C
时间，时间
时间，岁月
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
最大额定值
符号
V
EE
参数
价值
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
V
CC
V
IS
（参考GND）
（参考V
EE
)
*
7.0以
)0.5
*
0.5
)7.0
*
0.5
)7.0
*
为0.5 7.0
$20
V
EE
*
0.5 V
CC
)0.5
V
IN
I
（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
*
65
)150
260
)150
143
164
500
450
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中，
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
在UL 94 -V0 @ 0.125
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
V
I
闭锁
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
符号
参数
民
最大
单位
V
V
V
V
*
6.0
2.5
2.5
GND
6.0
6.0
V
CC
V
IS
T
A
（参考GND）
（参考V
EE
)
V
EE
0
V
CC
6.0
125
100
20
V
IN
（注5）（参照GND ）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围，所有封装类型
*
55
0
0
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
NS / V
5.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
MC74LVXT4051
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT4051利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低泄漏
电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制模拟
电压穿越整个电源范围可能会有所不同（从
V
CC
到V
EE
).
该LVXT4051在引出线的LVX8051的HC4051A相似，
和金属栅MC14051B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接，通过装置
模拟开关的，以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
TTL电平。这些输入过压容限（ OVT ）的水平
翻译从6.0 V下降到3.0V。
该设备经特别设计，导通电阻（R
ON
）更
线性的输入电压与R-
ON
的金属栅CMOS模拟
开关和高速CMOS模拟开关。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
LVXT4051
AWLYYWW
1
8
16
9
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
LVXT
4051
AWLYWW
1
8
选择引脚兼容TTL电平
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
模拟电源电压范围（V
CC
– V
EE
) =
*3.0
V到
)3.0
V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
SO EIAJ - 16
M后缀
CASE 966
16
9
LVXT4051
ALYW
1
8
改进的线性度和低导通电阻比金属栅，
HSL或VHC同行
低噪音
分离电源达
$
3.0 V
先开后合式电路
设计工作在单电源与V
EE
= GND ，或者使用
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74LVXT4051D
MC74LVXT4051DR2
MC74LVXT4051DT
MC74LVXT4051DTR2
MC74LVXT4051M
MC74LVXT4051MEL
包
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
SO EIAJ - 16
SO EIAJ - 16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年1月 - 第3版
出版订单号：
MC74LVXT4051/D
MC74LVXT4051
归一化故障率
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 90_C
80
90
100
110
120
130
140
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
T
J
= 80_C
时间，时间
时间，岁月
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
最大额定值
（注1 ）
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
V
CC
V
IS
（参考GND）
（参考V
EE
)
*
7.0以
)0.5
*
0.5
)7.0
*
0.5
)7.0
*
为0.5 7.0
$20
V
EE
*
0.5 V
CC
)0.5
V
IN
I
（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
*
65
)150
260
)150
143
164
500
450
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中，
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
UL- 94 -VO （0.125英寸）
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
参数
（参考GND）
民
最大
GND
6.0
6.0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
（参考GND）
（参考V
EE
)
2.5
2.5
V
EE
0
V
CC
6.0
125
100
20
V
IN
（注6）（参照GND ）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围，所有封装类型
*
6.0
*
55
0
0
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
NS / V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
QQ：2881677436 复制
