MC74LVX8053
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVX8053利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低截止
漏电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
（从V
CC
到GND） 。
该LVX8053是在引出线的高速HC4053A相似，并
该金属栅MC14053B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接，通过装置
模拟开关的，以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;上拉电阻，它们与兼容
LSTTL输出。
这种设备已被设计为使得导通电阻（R
on
）是
更线性的输入电压除R
on
的金属栅CMOS模拟
开关。
特点
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记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
LVX
8053
ALYW
LVX8053
AWLYWW
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.5 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属栅
同行
低噪音
符合JEDEC标准号7A的要求
芯片的复杂性： LVX8053 - 156场效应管或39个等效门
无铅包可用*
16
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
LVX8053
ALYW
A
WL或L
Y
WW或W
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年4月 - 第4版
出版订单号：
MC74LVX8053/D
MC74LVX8053
V
CC
16
Y
15
X
14
X1
13
X0
12
A
11
B
10
C
9
X0
13
X1
Y0
1
Y1
Z0
3
Z1
A
10
信道选择
B
输入
9
C
6
启用
11
5
2
12
x开关
14
X
1
Y1
2
Y0
3
Z1
4
Z
5
Z0
6
启用
7
NC
8
GND
类似物
输入/输出
Y开关
15
Y
常见
输出/输入
引脚连接和
标记图
（ TOP VIEW ）
z开关
4
Z
功能表 - MC74LVX8053
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
控制输入
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X =无关
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
A
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
Z0
Z0
Z0
Z0
Z1
Z1
Z1
Z1
Y0
Y0
Y1
Y1
Y0
Y0
Y1
Y1
无
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
X1
注：该设备允许每个开关独立控制。
通道选择输入A控制X -开关，输入B控制
Y-开关和输入C控制Z-开关
逻辑图
三重单极双位加共关闭
订购信息
设备
MC74LVX8053DR2
MC74LVX8053DR2G
MC74LVX8053DTR2
MC74LVX8053M
MC74LVX8053MG
MC74LVX8053MEL
MC74LVX8053MELG
包
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74LVX8053
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压
模拟输入电压
（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
500
450
数字输入电压（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
存储温度范围
mA
P
D
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
参数
民
2.5
0.0
最大
6.0
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
模拟输入电压
（参考GND）
V
CC
V
CC
1.2
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
V
IO
*
T
A
工作温度范围，所有封装类型
– 55
+ 85
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
NS / V
0
0
100
20
*对于压降开关大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以是
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
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