MC74LVX373
八D型锁存器
具有三态输出
具有5V容限输入
该MC74LVX373是一种先进的高速CMOS八进制锁存器
具有三态输出。输入耐受电压高达7.0 V，从而
5.0 V系统，以3.0 V系统的接口。
这8位D型锁存器由一个锁存使能控制输入端和一个
输出使能输入。当输出使能输入为高时， 8
输出处于高阻抗状态。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
LVX373
AWLYYWW
高速：吨
PD
= 5.8纳秒（典型值），在V
CC
= 3.3 V
低功耗：我
CC
= 4
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能：
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
无铅包可用*
20
1
20
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
LVX
373
ALYW
20
1
20
SOEIAJ20
M后缀
CASE 967
1
74LVX373
AWLYWW
20
1
V
CC
20
O7
19
D7
18
D6
17
O6
16
O5
15
D5
14
D4
13
O4
12
LE
11
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
1
OE
2
O0
3
D0
4
D1
5
O1
6
O2
7
D2
8
D3
9
O3
10
GND
引脚名称
引脚
OE
LE
D0D7
O0O7
功能
输出使能输入
锁存使能输入
数据输入
三态输出锁存
图1. 20引脚引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第2版
出版订单号：
MC74LVX373/D
MC74LVX373
OE
LE
1
11
3
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
Q
2
O0
D0
D1
4
Q
5
O1
D2
7
Q
6
O2
D3
8
Q
9
O3
D4
13
Q
12
O4
D5
14
Q
15
O5
D6
17
Q
16
O6
D7
18
Q
19
O7
图2.逻辑图
输入
OE
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
LE
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
Dn
H
L
h
l
X
X
H
L
h
l
输出
On
H
L
H
L
NC
Z
Z
Z
Z
Z
经营模式
透明（锁存关闭）;读锁存
闭锁（锁存使能）读锁存器
持有;读锁存
持有;禁用输出
透明（锁存关闭）;禁用输出
看跌期权
闭锁（锁存使能） ;禁用输出
H =高电压电平; H =高电平一个建立时间之前的锁存使能高到低
过渡; L =低电压水平; L =低电平一建立时间之前的锁存使能
高向低的转变; NC =无变化，国家此前的锁存使能高到低转换; X =高
或低电压电平转换或者是可以接受的; Z =高阻态;对于我
CC
理由没有
FLOAT输入
http://onsemi.com
2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
DC电气特性
推荐工作条件
最大额定值
符号
符号
符号
DT / DV
V
OH
V
CC
V
CC
V
OUT
V
OUT
V
OL
T
英镑
V
IH
I
CC
I
CC
I
OK
I
OZ
I
OUT
V
IL
V
in
V
in
P
D
T
A
I
IK
I
in
静态电源电流
最大三态泄漏电流
输入漏电流
低电平输出电压
(V
in
= V
IH
或V
IL
)
高电平输出电压
(V
in
= V
IH
或V
IL
)
低电平输入电压
高电平输入电压
输入上升和下降时间
工作温度，所有封装类型
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
储存温度
功耗
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
参数
I
OH
= -50mA
I
OH
= -50mA
I
OH
= -4mA
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5V或GND
I
OL
= 50毫安
I
OL
= 50毫安
I
OL
= 4毫安
测试条件
http://onsemi.com
MC74LVX373
3
V
CC
V
3.6
3.6
3.6
2.0
3.0
3.0
2.0
3.0
3.0
2.0
3.0
3.6
2.0
3.0
3.6
1.9
2.9
2.58
民
1.5
2.0
2.4
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
2.0
3.0
0.1
0.1
0.36
最大
±0.2
5
±0.1
0.5
0.8
0.8
4.0
民
40
-0.5到V
CC
+0.5
2.0
0
0
0
T
A
= - 4085 ℃下
-65到+150
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
1.9
2.9
2.48
民
1.5
2.0
2.4
价值
180
20
±75
±25
±20
最大
V
CC
+85
100
5.5
3.6
0.1
0.1
0.44
40.0
±2.5
±1.0
0.5
0.8
0.8
最大
NS / V
单位
单位
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
_C
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MC74LVX373
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= - 4085 ℃下
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
测试条件
民
最大
单位
ns
传播延迟
与O
V
CC
= 2.7V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
7.5
10.0
5.8
8.3
14.5
18.0
17.5
21.0
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 2.7V
9.3
12.8
11.0
14.5
t
PLH
,
t
PHL
传播延迟
LE与O
7.7
10.2
6.0
8.5
15.0
18.5
18.5
22.0
ns
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 2.7V
R
L
= 1KW
9.7
13.2
11.5
15.0
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间
OE与O
7.7
10.2
6.0
8.5
9.8
8.2
15.0
18.5
18.5
22.0
ns
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1KW
V
CC
= 2.7V
R
L
= 1KW
9.7
13.2
11.5
15.0
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间
OE与O
18.0
12.8
1.5
1.5
21.0
14.5
1.5
1.5
ns
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1KW
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3
±0.3V
C
L
= 50pF的
t
OSHL
t
OSLH
输出至输出扭曲
（注1 ）
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
ns
1.斜度被定义为实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
本说明书适用于任何输出以相同的方向切换，无论是高到低（叔
OSHL
）或低到高（T
OSLH
） ;参数
通过设计保证。
电容特性
T
A
= 25°C
典型值
4
6
T
A
= - 4085 ℃下
民
最大
10
符号
CIN
参数
民
最大
10
单位
pF
pF
pF
输入电容
C
OUT
最大三态输出电容
功率耗散电容（注2 ）
C
PD
27
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每锁存器） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 3.3V ，测量，采用SOIC封装）
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
特征
典型值
0.5
0.5
最大
0.8
0.8
2.0
0.8
单位
V
V
V
V
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
符号
t
瓦特（H）的
t
su
t
h
参数
最小脉冲宽度， LE
最小建立时间，D为LE
最小保持时间，D为LE
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3
±0.3V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3
±0.3V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3
±0.3V
典型值
极限
6.5
5.0
6.0
4.0
1.0
1.0
T
A
= - 4085 ℃下
极限
7.5
5.0
6.0
4.0
1.0
1.0
单位
ns
ns
ns
http://onsemi.com
4
MC74LVX373
订购信息
设备
MC74LVX373DWR2
MC74LVX373DWR2G
MC74LVX373DTR2
MC74LVX373M
MC74LVX373MG
MC74LVX373MEL
MC74LVX373MELG
包
SOIC20
SOIC20
（无铅）
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
开关波形
V
CC
t
PHL
50 ％ VCC
O
50 ％ VCC
GND
t
w
LE
50%
t
PLH
t
PHL
V
CC
GND
D
t
PLH
O
50%
网络连接gure 3 。
图4中。
OE
50%
t
PZL
O
50 ％ VCC
t
PZH
O
50 ％ VCC
t
PHZ
t
PLZ
V
CC
GND
高
阻抗
VOL + 0.3V
VOL -0.3V
高
阻抗
LE
D
50%
t
su
t
h
50%
有效
V
CC
GND
V
CC
GND
图5中。
图6 。
测试电路
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图7.传输延迟测试电路
图8.三态测试电路
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
