MC74LVX259
8位可寻址
锁存器/ 1- - 8解码器
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74LVX259是一个8位可寻址锁存与制造
硅栅CMOS技术。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该LVX259被设计为在通用存储应用
数字系统。该设备具有4种操作模式，如图
模式选择表。在可寻址锁存模式中，所述数据
数据在被写入到所寻址的锁存器。该解决闩如下
的数据输入与所有非寻址锁存器中剩余的其
以前的状态。在内存模式下，所有插销留在自己的
先前的状态，并且不受数据或地址输入。在
一的八个解码或解复用模式中，被寻址的输出
以下数据的状态与在低状态的所有其它输出。在
在复位模式下，所有的输出都为低电平而不受地址
和数据输入。当操作LVX259作为寻址锁存，
改变地址的多个位可以施加瞬态
错误的地址。因此，这仅应做的同时，在
内存模式。
该MC74LVX259输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74LVX259接口5.0 V的电路至3.0V
电路。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
LVX259
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
LVX
259
ALYW
16
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
LVX259
ALYW
高速：吨
PD
= 7.0纳秒（典型值），在V
CC
= 3.3 V
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能：
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
无铅包可用*
A
WL或L
Y
WW或W
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第2版
出版订单号：
MC74LVX259/D
MC74LVX259
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
20
$20
$25
$75
200
180
-65到+150
>2000
>200
>2000
$300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
闭锁
q
JA
闭锁性能
热阻，结到环境
mA
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
3.经测试JESD22 - C101 -A
4.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
特征
民
2.0
0
0
40
0
最大
3.6
5.5
V
CC
85
100
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
4
MC74LVX259
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最底层
输入电压
高电平输出
电压
I
OH
= 50
mA
I
OH
= 50
mA
I
OH
= -4毫安
V
OL
低电平输出
电压
I
OL
= 50
mA
I
OL
= 50
mA
I
OL
= 4毫安
I
IN
I
CC
输入漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
条件
(V)
2.0
3.0
3.6
2.0
3.0
3.6
2.0
3.0
3.0
2.0
3.0
3.0
0至3.6
3.6
民
0.75 V
CC
0.7 V
CC
0.7 V
CC
1.9
2.9
2.58
1.0
T
A
= 25°C
典型值
2.0
3.0
0.0
0.0
1.0
最大
0.25 V
CC
0.3 V
CC
0.3 V
CC
0.1
0.1
0.36
±0.1
2.0
40°C
≤
T
A
≤
85°C
民
0.75 V
CC
0.7 V
CC
0.7 V
CC
1.9
2.9
2.48
最大
0.25 V
CC
0.3 V
CC
0.3 V
CC
0.1
0.1
0.44
±1.0
mA
mA
V
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
AC电气特性
输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
T
A
= 25°C
典型值
6.3
9.0
5.6
8.0
6.3
9.0
5.6
8.0
6.3
9.0
5.6
8.0
6.3
9.0
5.6
8.0
6
40°C
≤
T
A
≤
85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
民
最大
单位
ns
最大传播
延迟，数据到输出
（图5和9）
V
CC
= 2.7 V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
9.0
14.0
8.0
12.0
9.0
14.0
8.0
12.0
9.0
14.0
9.0
12.0
9.0
14.0
9.0
12.0
10
12.0
15.0
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 2.7 V
11.0
14.0
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟，地址选择
输出
（图6和9）
12.0
15.0
ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 2.7 V
11.0
14.0
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟，使能到输出
（图7和9）
12.0
15.0
ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 2.7 V
11.0
14.0
t
PHL
最大传播史
延迟，复位到输出
（图7和9）
12.0
15.0
ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
11.0
14.0
10
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 3.3 V
30
C
PD
功率耗散电容（注5 ）
pF
5. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
5
MC74LVX259
8位可寻址
锁存器/ 1- - 8解码器
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74LVX259是一个8位可寻址锁存与制造
硅栅CMOS技术。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该LVX259被设计为在通用存储应用
数字系统。该设备具有4种操作模式，如图
该模式选择表。在可寻址锁存模式中，数据在
数据在被写入到所寻址的锁存器。该解决闩如下
的数据输入与所有非寻址锁存器中剩余的其
以前的状态。在内存模式下，所有插销留在自己的
先前的状态，并且不受数据或地址输入。在
一的八个解码或解复用模式中，被寻址的输出
以下数据的状态与在低状态的所有其它输出。在
在复位模式下，所有的输出都为低电平而不受地址
和数据输入。当操作LVX259作为寻址锁存，
改变地址的多个位可以施加瞬态
错误的地址。因此，这仅应做的同时，在
内存模式。
该MC74LVX259输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74LVX259接口5伏的电路到3V
电路。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
LVX259
AWLYYWW
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
8
16
9
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
LVX
259
AWLYWW
8
9
16
EIAJ SOIC -16
M后缀
CASE 966
LVX259
ALYW
1
8
高速：吨
PD
= 7.0纳秒（典型值），在V
CC
= 3.3 V
低功耗：我
CC
= 2
A
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
设备
MC74LVX259D
MC74LVX259DR2
MC74LVX259DT
MC74LVX259DTR2
MC74LVX259M
MC74LVX259MEL
包
SO–16
SO–16
TSSOP–16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
TSSOP -16 2000个/卷
SO EIAJ - 16
48单位/铁
SO EIAJ - 16 2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 第1版
出版订单号：
MC74LVX259/D
MC74LVX259
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
和下面GND在125℃下（注5 ）
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
–20
$20
$25
$75
200
180
-65到+150
>2000
>200
>2000
$300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
mA
° C / W
热阻，结到环境
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
特征
民
2.0
0
0
–40
0
最大
3.6
5.5
V
CC
85
100
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
4
MC74LVX259
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最底层
输入电压
高电平输出
g
V LT
电压
I
OH
= –50
A
I
OH
= –50
A
I
OH
= -4毫安
V
OL
低电平输出
电压
V LT
I
OL
= 50
A
I
OL
= 50
A
I
OL
= 4毫安
I
IN
I
CC
输入漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
条件
(V)
2.0
3.0
3.6
2.0
3.0
3.6
2.0
3.0
3.0
2.0
3.0
3.0
0至3.6
3.6
1.0
1.0
1.9
2.9
2.58
0.0
0.0
0.1
0.1
0.36
±0.1
2.0
2.0
3.0
民
0.75 V
CC
0.7 V
CC
0.7 V
CC
0.25 V
CC
0.3 V
CC
0.3 V
CC
1.9
2.9
2.48
0.1
0.1
0.44
±1.0
A
A
V
T
A
= 25°C
典型值
最大
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
民
0.75 V
CC
0.7 V
CC
0.7 V
CC
0.25 V
CC
0.3 V
CC
0.3 V
CC
最大
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
AC电气特性
输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
典型值
6.3
9.0
5.6
8.0
6.3
9.0
5.6
8.0
6.3
9.0
5.6
8.0
6.3
9.0
5.6
8.0
6
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
民
最大
单位
ns
最大传播延迟，
数据输出
（图5和9）
V
CC
= 2.7 V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
9.0
14.0
8.0
12.0
9.0
14.0
8.0
12.0
9.0
14.0
9.0
12.0
9.0
14.0
9.0
12.0
10
12.0
15.0
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 2.7 V
11.0
14.0
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟，
地址选择输出
（图6和9）
12.0
15.0
ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 2.7 V
11.0
14.0
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟，
使能到输出
（图NO TAG和9 ）
12.0
15.0
ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 2.7 V
11.0
14.0
t
PHL
最大传播延时，
复位输出
（图7和9）
12.0
15.0
ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
11.0
14.0
10
C
IN
最大输入电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 3.3 V
30
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
