MC74LCX16373
低电压CMOS 16位
透明锁存器
与5 V容限输入和输出
(三态,非反相)
该MC74LCX16373是一个高性能,非反相的16位
透明锁存器从2.3 V工作至3.6 V电源。该装置是
字节的控制。每个字节单独的输出使能和锁存使能
输入。这些控制引脚可以连在一起的完整的16位操作。
高阻抗TTL兼容的输入显著降低电流
加载输入驱动器,而TTL兼容输出提供改进
开关噪声性能。 A V
I
规范的5.5 V允许
MC74LCX16373投入安全地驱动从5.0 V设备。
该MC74LCX16373包含16个D型锁存器与三态
5.0 V的容错输出。当锁存使能( LEN )的投入都很高,
在DN上的输入数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器
透明的,也就是说,锁存器输出将每次的D输入状态改变
变化。当LE为低电平时,锁存器存储是信息
本上的D输入,一个建立时间之前的高电压到低
LE的过渡。 3态输出的输出控制
启用( OEN )输入。当OE为低电平时,输出被使能。当
OE为高电平时,标准输出处于高阻抗状态,但是
这并不妨碍新的数据进入锁存器。
特点
http://onsemi.com
48
1
TSSOP48
DT后缀
CASE 1201
标记图
48
LCX16373G
AWLYYWW
1
A
WL
YY
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
专为2.3 3.6 V V
CC
手术
5.4 ns最大吨
pd
5.0 V宽容
接口能力,具有5.0 V TTL逻辑
支持实时插入和拔出
I
关闭
规范保证高阻抗当V
CC
= 0 V
LVTTL兼容
LVCMOS兼容
24毫安平衡输出库和源能力
在附近的所有三个逻辑状态零静态电流( 20
毫安)
大幅度降低了系统电源要求
闭锁性能超过500 mA。
静电放电性能:人体模型>2000 V ;
机器型号>200 V
这些无铅器件*
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
, 2010年7月
启8
1
出版订单号:
MC74LCX16373/D
MC74LCX16373
订购信息
设备
MC74LCX16373DT
MC74LCX16373DTG
MC74LCX16373DTR2
M74LCX16373DTR2G
包
TSSOP48*
TSSOP48*
TSSOP48*
TSSOP48*
航运
39单位/铁
39单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
价值
0.5
到+7.0
0.5
≤
V
I
≤
+7.0
0.5
≤
V
O
≤
+7.0
0.5
≤
V
O
≤
V
CC
+ 0.5
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
50
50
+50
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
±50
±100
±100
65
+150
输出三态
输出高电平或者低电平状态。 (注1 )
V
I
& LT ; GND
V
O
& LT ; GND
V
O
& GT ; V
CC
条件
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
I
OH
电源电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
(高或低状态)
(3State)
V
CC
= 3.0 V
3.6 V
V
CC
= 2.7 V
3.0 V
V
CC
= 2.3 V
2.7 V
V
CC
= 3.0 V
3.6 V
V
CC
= 2.7 V
3.0 V
V
CC
= 2.3 V
2.7 V
55
0
参数
操作
数据保存时间只有
民
2.0
1.5
0
0
0
典型值
2.5, 3.3
2.5, 3.3
最大
3.6
3.6
5.5
V
CC
5.5
24
12
8
+ 24
+ 12
+8
+125
10
单位
V
V
V
mA
I
OL
低电平输出电流
mA
T
A
DT / DV
经营自由的空气温度
输入转换上升或下降率,V
IN
从0.8 V至2.0 V ,V
CC
= 3.0 V
°C
NS / V
http://onsemi.com
3
MC74LCX16373
DC电气特性
T
A
=
55°C
至+ 125°C
符号
V
IH
V
IL
V
OH
特征
高电平输入电压(注2 )
条件
2.3 V
≤
V
CC
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V
低电平输入电压(注2 )
2.3 V
≤
V
CC
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V
高电平输出电压
2.3 V
≤
V
CC
≤
3.6 V ;我
OL
= 100
mA
V
CC
= 2.3 V ;我
OH
=
8
mA
V
CC
= 2.7 V ;我
OH
=
12
mA
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
=
18
mA
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
=
24
mA
V
OL
低电平输出电压
2.3 V
≤
V
CC
≤
3.6 V ;我
OL
= 100
mA
V
CC
= 2.3 V ;我
OL
= 8毫安
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 12毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 16毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 24毫安
I
I
I
OZ
I
关闭
I
CC
输入漏电流
三态输出电流
关机漏电流
静态电源电流
2.3 V
≤
V
CC
≤
3.6 V; 0 V
≤
V
I
≤
5.5 V
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; 0V
≤
V
O
≤
5.5 V;
V
I
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 5.5 V
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; V
I
= GND或V
CC
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; 3.6
≤
V
I
或V
O
≤
5.5 V
DI
CC
增加我
CC
每个输入
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; V
IH
= V
CC
0.6 V
V 2.这些值
I
用于测试仅直流电气特性。
V
CC
0.2
1.8
2.2
2.4
2.2
0.2
0.6
0.4
0.4
0.55
±5.0
±5.0
10
20
±20
500
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
民
1.7
2.0
0.7
0.8
V
V
最大
单位
V
AC特性
t
R
= t
F
= 2.5纳秒;
L
= 50 pF的;
L
= 500
W
T
A
=
55°C
至+ 125°C
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
C
L
= 50 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
s
t
h
t
w
t
OSHL
t
OSLH
参数
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
高低电平
输出禁止时间从
高低电平
建立时间,高或低
n
to
LE
保持时间,高或低
n
以LE
LE脉冲宽度,高
输出至输出扭曲
(注3)
波形
1
3
2
2
3
3
3
民
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
3.0
1.0
1.0
最大
5.4
5.4
5.5
5.5
6.1
6.1
6.0
6.0
V
CC
= 2.7 V
C
L
= 50 pF的
民
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
3.0
最大
5.9
5.9
6.4
6.4
6.5
6.5
6.3
6.3
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
C
L
= 30 pF的
民
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
3.0
2.0
3.5
最大
6.5
6.5
6.6
6.6
7.9
7.9
7.2
7.2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3.斜度被定义为实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
本说明书适用于任何输出以相同的方向切换,无论是高到低(叔
OSHL
)或低到高(T
OSLH
) ;参数
通过设计保证。
http://onsemi.com
4
MC74LCX16373
动态切换特性
T
A
= +25°C
符号
V
OLP
V
OLV
特征
动态低峰值电压
(注4 )
动态低电压谷
(注4 )
条件
V
CC
= 3.3 V ,C
L
= 50 pF的,V
IH
= 3.3 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 2.5 V ,C
L
= 30 pF的,V
IH
= 2.5 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 3.3 V ,C
L
= 50 pF的,V
IH
= 3.3 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 2.5 V ,C
L
= 30 pF的,V
IH
= 2.5 V, V
IL
= 0 V
民
典型值
0.8
0.6
0.8
0.6
最大
单位
V
V
V
V
的定义为“n”个输出端4的数量。测量“N - 1 ”的输出由高到低或低到高的开关。剩下的输出
在低状态测量。
电容特性
符号
C
IN
C
OUT
C
PD
参数
输入电容
输出电容
功率耗散电容
条件
V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
10兆赫,V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
典型
7
8
20
单位
pF
pF
pF
V
CC
VMI
Dn
t
PHL
VMO
t
PLH
VMO
V
OL
波形1
传播延迟
t
R
= t
F
= 2.5纳秒,10%至90% ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒
V
CC
OEN
VMI
t
PZH
On
t
PZL
On
VMO
VMO
t
PLZ
On
t
PHZ
0V
V
OH
V
HZ
LEN
VMO
t
w
t
PLH
, t
PHL
V
OH
V
LZ
V
OL
VMO
V
OL
波形3
LE到对传输延迟,最小LE
脉冲宽度, DN到LE建立和保持时间
t
R
= t
F
= 2.5纳秒,10%至90% ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒,除非说明
t
s
VMO
0V
t
h
V
CC
V
CC
Dn
VMI
0V
VMI
0V
V
OH
On
波形2
输出启用和禁用时报
t
R
= t
F
= 2.5纳秒,10%至90% ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒
图3. AC波形
表2.交流波形
V
CC
符号
VMI
VMO
V
HZ
V
LZ
3.3 V
±
0.3 V
1.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OH
0.3 V
2.7 V
1.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OH
0.3 V
2.5 V
+
0.2 V
V
CC
/ 2
V
CC
/ 2
V
OL
+ 0.15 V
V
OH
015 V
http://onsemi.com
5