摩托罗拉
半导体技术资料
超前信息
四路模拟开关/
复用器/解复用器
MC54/74HC4066A
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低OFF-
信道的泄漏电流。这个双向开关/多路复用器/多路分解器
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源范围（ VCC和GND ） 。
该HC4066A是在引出线的金属栅CMOS MC14016相同
与MC14066 。每个器件有四个独立的开关。该装置
已经被设计成使得在ON电阻（ RON）是更
线性的输入电压高于金属栅CMOS模拟开关罗恩。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
对于电压电平转换器模拟开关，看到HC4316A 。
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（ VCC - GND ）= 2.0 12.0伏特
模拟输入电压范围（ VCC - GND ） = 2.0 12.0伏特
改进的线性度和低导通电阻比输入电压比
该MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
逻辑图
1
2
14
1
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC54HCXXXXAJ
MC74HCXXXXAN
MC74HCXXXXAD
MC74HCXXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
XA
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
A ON / OFF
控制
D ON / OFF
控制
XD
YD
YC
XC
XA
A ON / OFF控制
XB
B ON / OFF控制
XC
C ON / OFF控制
XD
D ON / OFF控制
YA
YA
YB
XB
B ON / OFF
控制
C ON / OFF
控制
GND
13
4
3
YB
类似物
输出/输入
5
8
9
YC
功能表
6
11
10
对/ O FF控制
输入
YD
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
12
模拟输入/输出= XA ， XB ， XC ， XD
14脚VCC =
PIN 7 = GND
本文件包含的新产品信息。规格书中信息如有
更改，恕不另行通知。
12/97
摩托罗拉1997年公司
1
修订版0.1
MC54/74HC4066A
最大额定值*
符号
VCC
VIS
VIN
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
- 0.5 + 14.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
25
750
500
450
mA
PD
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
v
v
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
VCC
VIS
VIN
TA
参数
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
12.0
GND
GND
—
VCC
VCC
1.2
VIO *
TR ， TF
工作温度，所有封装类型
– 55
+ 125
推荐工作条件
_
C
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
ns
输入端（图10）
VCC = 2.0 V
0
1000
VCC = 3.0 V
0
600
VCC = 4.5 V
0
500
VCC = 9.0 V
0
400
VCC = 12.0 V
0
250
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（上开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
保证限额
S B升
符号
VIH
P
参数
T
试验C迪我
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
U I
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
罗恩=每规格
VIL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
罗恩=每规格
V
IIN
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
最大静态电源
电流（每包）
VIN = VCC或GND
12.0
±
0.1
±
1.0
±
1.0
A
VIN = VCC或GND
6.0
2
20
40
A
VIO = 0 V
12.0
4
40
160
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
ICC
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC4066A
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
保证限额
符号
S B升
罗恩
参数
P
试验C迪我
T
条件
- 55
25
_
C
—
—
120
70
70
—
—
70
50
30
—
20
15
15
v
85
_
C
v
125
_
C
—
—
160
85
85
—
—
85
60
60
—
25
20
20
—
—
200
100
100
—
—
100
80
80
—
30
25
25
单位
U I
最大“开”电阻
VIN = VIH
VIS = VCC和GND
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
v
v
VIN = VIH
VIS = VCC或GND （端点）
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
R
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
VIN = VIH
VIS = 1/2（ VCC - GND ）
IS
2.0毫安
v
IOFF
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
VIN = VIL
VIO = VCC或GND
开关（图3 ）
VIN = VIH
VIS = VCC或GND
（图4）
12.0
0.1
0.5
1.0
A
离子
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
12.0
0.1
0.5
1.0
A
在电源电压（VCC ）接近3V的接通电阻变得极其非线性模拟。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的，ON / OFF控制输入： TR = TF = 6纳秒）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
—
—
—
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
- 55
25
_
C
40
30
5
5
5
80
60
20
20
20
80
45
20
20
20
10
v
85
_
C
v
125
_
C
50
40
7
7
7
90
70
25
25
25
90
50
25
25
25
10
60
50
8
8
8
单位
U I
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
110
80
35
35
35
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
100
60
30
30
30
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功耗
P
迪I I电容（ P S I H）（网络连接
i
（每开关） （图13 ） *
15
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HC4066A
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
测试条件
VCC
V
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
限制*
25
_
C
54/74HC
150
160
160
单位
最大导通通道带宽或
最低频率响应
（图5）
关通道穿心隔离
（图6）
鳍= 1 MHz的正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VOS
增加散热片频率，直到分贝计的读数 - 3分贝
RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
兆赫
—
– 50
– 50
– 50
– 40
– 40
– 40
60
130
200
30
65
100
dB
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
—
穿心噪声，以控制
开关
（图7）
VIN
1 MHz的方波（ TR = TF = 6纳秒）
调整RL的设置，使IS = 0
RL = 600
,
CL = 50 pF的
v
mVpp的
RL = 10 kΩ的， CL = 10 pF的
—
任意两个交换机之间的串扰
（图12）
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
– 70
– 70
– 70
– 80
– 80
– 80
dB
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
THD
总谐波失真
（图14）
鳍= 1千赫，RL = 10 kΩ的， CL = 50 pF的
THD = THDmeasured - THDsource
VIS = 4.0 VPP正弦波
VIS = 8.0 VPP正弦波
VIS = 11.0 VPP正弦波
%
4.5
9.0
12.0
0.10
0.06
0.04
*未经测试，保证极限。由设计决定，并经资格验证。
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
摩托罗拉
半导体技术资料
超前信息
多路解复用器
模拟多路复用器/
MC54/74HC4051A
MC74HC4052A
MC54/74HC4053A
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4051A ， MC74HC4052A和MC54 / 74HC4053A利用
硅栅CMOS技术来实现快速的传播延迟，低开
电阻，和低的截止漏电流。这些模拟多路复用器/
多路分用器控制模拟电压横跨完整，可能会发生变化
电源电压范围（从VCC VEE ） 。
该HC4051A ， HC4052A和HC4053A是相同的引脚排列的
金属门MC14051AB ， MC14052AB和MC14053AB 。该通道硒
择输入确定的模拟输入/输出之一是要
连接，通过模拟开关的手段，共同输出/输入。
当使能引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;与上拉电阻他们与LSTTL兼容
输出。
这些装置已经被设计为使得导通电阻（罗恩）是
在输入电压超过R直线上的金属栅CMOS模拟
开关。
对于复用器/解复用器与信道选择锁存器，看
HC4351A.
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（ VCC - VEE ）= 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围（ VCC - GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属栅
同行
低噪音
符合JEDEC标准号7A的要求
芯片的复杂性： HC4051A - 184场效应管或46个等效门
HC4052A - 168场效应管或42个等效门
HC4053A - 156场效应管或39个等效门
逻辑图
MC54/74HC4051A
单极， 8位加共关闭
X0
14
X1
15
X2
类似物
12
多路复用器/
输入/ X3
1
多路解复用器
产出X4
5
X5
2
X6
4
X7
11
A
通道
10
B
SELECT
9
输入
C
6
启用
PIN 16 = VCC
PIN 7 = VEE
PIN 8 = GND
13
16
1
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
DW后缀
SOIC封装宽
CASE 751G -02
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
16
1
16
1
16
1
16
1
订购信息
MC54HCXXXXAJ
MC74HCXXXXAN
MC74HCXXXXAD
MC74HCXXXXADW
MC74HCXXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
SOIC宽
TSSOP
功能表 - MC54 / 74HC4051A
控制输入
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
A
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
无
X =无关
3
X
常见
输出/
输入
引脚说明： MC54 / 74HC4051A
（ TOP VIEW ）
VCC
16
X2
15
X1
14
X0
13
X3
12
A
11
B
10
C
9
1
X4
2
X6
3
X
4
X7
5
X5
6
7
8
GND
VEE启用
本文件包含的新产品信息。规格书中信息如有
更改，恕不另行通知。
10/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 0
MC54 / 74HC4051A MC74HC4052A MC54 / 74HC4053A
功能表 - MC74HC4052A
逻辑图
MC74HC4052A
双杆， 4位加共关闭
X0
14
X1
15
X2
11
X3
Y0
Y1
Y2
Y3
A
B
1
5
2
4
10
9
6
12
控制输入
SELECT
启用
L
L
L
L
H
X =无关
B
L
L
H
H
X
A
L
H
L
H
X
在通道
Y0
Y1
Y2
Y3
无
X0
X1
X2
X3
x开关
13
X
常见
输出/输入
类似物
输入/输出
Y开关
3
Y
引脚说明： MC74HC4052A
（ TOP VIEW ）
PIN 16 = VCC
PIN 7 = VEE
PIN 8 = GND
VCC
16
X2
15
X1
14
X
13
X0
12
X3
11
A
10
B
9
信道选择
输入
启用
1
Y0
2
Y2
3
Y
4
Y3
5
Y1
6
7
VEE启用
8
GND
功能表 - MC54 / 74HC4053A
逻辑图
MC54/74HC4053A
三重单极双位加共关闭
X0
13
X1
Y0
1
Y1
Z0
3
Z1
A
10
信道选择
B
输入
9
C
6
启用
11
5
2
12
14
控制输入
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SELECT
C
B
A
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
Z0
Z0
Z0
Z0
Z1
Z1
Z1
Z1
Y0
Y0
Y1
Y1
Y0
Y0
Y1
Y1
无
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
X1
x开关
X
类似物
输入/输出
Y开关
15
Y
常见
输出/输入
z开关
4
Z
X =无关
PIN 16 = VCC
PIN 7 = VEE
PIN 8 = GND
引脚说明： MC54 / 74HC4053A
（ TOP VIEW ）
VCC
16
Y
15
X
14
X1
13
X0
12
A
11
B
10
C
9
注：该设备允许每个开关独立控制。
通道选择输入A控制X -开关，输入B控制
Y-开关和输入C控制的Z开关
1
Y1
2
Y0
3
Z1
4
Z
5
Z0
6
7
VEE启用
8
GND
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54 / 74HC4051A MC74HC4052A MC54 / 74HC4053A
最大额定值*
符号
VCC
VEE
VIS
VIN
I
参数
价值
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考VEE ）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 14.0
- 7.0 + 5.0
VEE - 0.5
VCC + 0.5
±
25
750
500
450
负直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压
数字输入电压（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
- 0.5 VCC + 0.5
mA
PD
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
存储温度范围
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
陶瓷DIP
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
VEE
VIS
VIN
参数
民
2.0
2.0
最大
单位
V
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考VEE ）
6.0
12.0
负直流电源电压，输出（参考
GND ）
模拟输入电压
– 6.0
VEE
GND
VCC
VCC
1.2
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
VIO *
TA
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
– 55
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
*对于压降大于1.2V开关更大（开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54 / 74HC4051A MC74HC4052A MC54 / 74HC4053A
直流特性 - 数码节
（电压参考GND ）， VEE = GND ，除非另有说明
符号
S B升
VIH
参数
P
最低高电平输入电压，
通道选择或使能输入
条件
迪我
罗恩=每规格
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.5
0.9
1.35
1.8
±
0.1
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.5
0.9
1.35
1.8
±
1.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.5
0.9
1.35
1.8
±
1.0
单位
U I
V
VIL
最大低电平输入电压，
通道选择或使能输入
罗恩=每规格
V
IIN
ICC
最大输入漏电流，
通道选择或使能输入
最大静态电源
电流（每包）
VIN = VCC和GND ，
VEE = - 6.0 V
通道选择，并启用
VIS = VCC或GND ; VEE = GND
VIO = 0 V
VEE = - 6.0
A
A
6.0
6.0
1
4
10
40
20
80
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
直流特性 - 模拟部分
保证限额
符号
S B升
罗恩
参数
P
最大“开”电阻
条件
迪我
VIN = VIL或VIH ; VIS = VCC到
VEE ; IS
≤
2.0毫安
（图1，图2）
VIN = VIL或VIH ; VIS = VCC或
VEE （终点） ; IS
≤
2.0毫安
（图1，图2）
R
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
最大断通道HC4051A
漏电流，
HC4052A
公共信道
HC4053A
离子
最大导通通道HC4051A
漏电流，
HC4052A
通道到通道HC4053A
VIN = VIL或VIH ;
VIS = 1/2（ VCC - VEE ） ;
IS
≤
2.0毫安
VIN = VIL或VIH ;
VIO = VCC - VEE ;
开关（图3 ）
VIN = VIL或VIH ;
VIO = VCC - VEE ;
开关关闭（图4 ）
VIN = VIL或VIH ;
交换机到交换机=
VCC - VEE ; （图5）
VCC
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
VEE
0.0
– 4.5
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
0.0
– 4.5
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
– 6.0
-55 25℃
190
120
100
150
100
80
30
12
10
0.1
0.2
0.1
0.1
0.2
0.1
0.1
≤85°C
240
150
125
190
125
100
35
15
12
0.5
2.0
1.0
1.0
2.0
1.0
1.0
≤125°C
280
170
140
230
140
115
40
18
14
1.0
4.0
2.0
2.0
4.0
2.0
2.0
A
单位
U I
IOFF
A
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54 / 74HC4051A MC74HC4052A MC54 / 74HC4053A
AC特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
CIN
CI / O
参数
P
最大传输延迟，通道选择模拟输出
（图9 ）
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图10 ）
最大传输延迟，使模拟输出
（图11）
最大传输延迟，使模拟输出
（图11）
最大输入电容，通道选择或使能输入
最大电容
（所有的开关关闭）
模拟量I / O
常见的O / I ： HC4051A
HC4052A
HC4053A
穿心
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
370
74
63
60
12
10
290
58
49
345
69
59
10
35
130
80
50
1.0
≤85°C
465
93
79
75
15
13
364
73
62
435
87
74
10
35
130
80
50
1.0
≤125°C
550
110
94
90
18
15
430
86
73
515
103
87
10
35
130
80
50
1.0
单位
U I
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V ， VEE = 0V
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（网络连接
i
（图13） *
HC4051A
HC4052A
HC4053A
45
80
45
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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