MC74HCU04A
六角无缓冲变频器
高性能硅栅CMOS
该MC74HCU04A是相同的引脚排列的LS04和
MC14069UB 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
此装置由六个单级逆变器。这些逆变器
非常适合于用作振荡器，脉冲整形器，而在许多其它
应用程序需要一个高输入阻抗放大器。对于数字
应用中， HC04A建议。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HCU04AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V ; 2.5 6.0 V振荡器
CON连接gurations
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 12场效应管或3个等效门
无铅包可用
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCU04AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCU
04A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G或
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
74HCU04A
ALYWG
14
1
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
第4版
1
出版订单号：
MC74HCU04A/D
MC74HCU04A
引脚分配
A1
Y1
A2
Y2
A3
Y3
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A6
Y6
A5
Y5
A4
Y4
A1
A2
A3
逻辑图
1
3
5
2
4
6
Y1
Y2
Y3
A4
A5
9
11
8
10
Y4
Y5
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
A6
13
12
Y6
-A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
订购信息
设备
MC74HCU04AN
MC74HCU04ANG
MC74HCU04AD
MC74HCU04ADG
MC74HCU04ADR2
MC74HCU04ADR2G
MC74HCU04ADTR2
MC74HCU04ADTR2G
MC74HCU04AFEL
MC74HCU04AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HCU04A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
降额 - 塑料DIP ： -10mW / _C从65_至125_C
SOIC封装： -7mW / _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
– 55
+ 125
No
极限
_C
ns
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
v
125_C
l.7
2.5
3.6
4.8
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.5 V*
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= V
CC
– 0.5 V*
|I
OUT
|
v
20
mA
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= GND
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= GND
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.36
3.86
5.36
2.26
3.76
5.26
2.20
3.70
5.20
http://onsemi.com
3
MC74HCU04A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
0.2
0.5
0.5
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
0.2
0.5
0.5
v
125_C
0.2
0.5
0.5
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
CC
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
CC
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.32
0.32
0.32
0.32
0.37
0.37
0.32
0.40
0.40
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
1
±
1.0
10
±
1.0
40
mA
mA
I
CC
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.对于V
CC
= 2.0 V, V
OUT
- 0.2 V或V
CC
0.2 V.
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85_C
90
45
18
15
95
32
19
16
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
70
40
14
12
75
27
15
13
10
v
125_C
105
50
21
18
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
3.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值4，信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
15
2
f
C
PD
功率耗散电容（每变频器） *
pF
5.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
+ I
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
V
CC
测试点
t
r
输入A
90%
50%
10%
t
PHL
输出y
t
THL
90%
50%
10%
t
TLH
*包括所有探测和夹具电容
t
f
V
CC
GND
t
PLH
设备
下
TEST
产量
C
L
*
A
Y
图1.开关波形
图2.测试电路
图3.逻辑详细
（设备的1/6所示）
http://onsemi.com
4
MC74HCU04A
典型应用
R
2
R
2
> >
1
C
1
<
2
R
1
C
C
1
V
OUT
C
2
R
2
R
1
1/6 HCU04A 1/6 HCU04A 1/6 HCU04A
V
OUT
1/6 HCU04A
图4.晶体振荡器
图5.稳定的RC振荡器
V
CC
R
2
输入
1M
1M的1/6 HCU04A
1/6 HCU04A
R
2
> 6R
1
V
OUT
产量
V
in
R
1
1/6 HCU04A
图6.施密特触发器
图7.高输入阻抗单级
放大器与2至6 V电源电压范围
+V
V
CC
1/6 HCU04A
1/6 HCU04A
输入
1/6 HCU04A
1/6 HCU04A
产量
为了降低电源电流，采用高效率LED
如惠普HLMP系列或等效物。
图8.多级放大器
图9. LED驱动器
http://onsemi.com
5
MC74HCU04A
六角无缓冲变频器
高性能硅栅CMOS
该MC74HCU04A是相同的引脚排列的LS04和
MC14069UB 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
此装置由六个单级逆变器。这些逆变器
非常适合于用作振荡器，脉冲整形器，而在许多其它
应用程序需要一个高输入阻抗放大器。对于数字
应用中， HC04A建议。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HCU04AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
Y1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
HCU
04A
ALYW
HCU04A
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V ; 2.5 6 V振荡器
CON连接gurations
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 12场效应管或3个等效门
逻辑图
A1
1
2
A2
3
4
Y2
A3
5
6
Y3
-A
引脚分配
A1
Y1
A2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
A6
Y6
A5
Y5
A4
Y4
A4
9
8
Y4
A5
11
10
Y5
14脚VCC =
PIN 7 = GND
Y2
A3
Y3
GND
A6
13
12
Y6
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
订购信息
设备
MC74HCU04AN
MC74HCU04AD
MC74HCU04ADR2
MC74HCU04ADT
MC74HCU04ADTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第2版
出版订单号：
MC74HCU04A/D
MC74HCU04A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： -10mW /
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： -7mW /
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
– 55
—
+ 125
No
极限
_
C
ns
TR ， TF
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
v
85
_
C
v
125
_
C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
l.7
2.5
3.6
4.8
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.5V *
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.5 V *
|电流输出|
20
A
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = GND
|电流输出|
20
A
VIN = GND
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.36
3.86
5.36
0.2
0.5
0.5
2.26
3.76
5.26
0.2
0.5
0.5
2.20
3.70
5.20
0.2
0.5
0.5
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VCC
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VCC
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.32
0.32
0.32
0.32
0.37
0.37
0.32
0.40
0.40
http://onsemi.com
2
MC74HCU04A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
1
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
10
±
1.0
40
单位
A
A
最大输入漏
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
*对于VCC = 2.0 V，输出电压= 0.2 V或VCC - 0.2 V.
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
70
40
14
12
75
27
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
90
45
18
15
95
32
19
16
10
105
50
21
18
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
15
CPD
功率耗散电容（每变频器） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HCU04A
典型应用
晶体振荡器
R2
稳定的RC振荡器
1/6 HCU04A 1/6 HCU04A 1/6 HCU04A
VOUT
R2 > > R1
C1 C2 <
1/6 HCU04A
R1
R2
C
R1
C1
VOUT
C2
施密特触发器
高输入阻抗单级放大器
用2至6 V电源电压范围
VCC
R2
R2 > 6R1
R1
VIN
1/6 HCU04A
1/6 HCU04A
输入
VOUT
1M的1/6 HCU04A
产量
1M
多级放大器
LED驱动器
VCC
+V
1/6 HCU04A
输入
1/6 HCU04A
1/6 HCU04A
产量
1/6 HCU04A
为了降低电源电流，采用高效率LED
如惠普HLMP系列或等效物。
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
六角无缓冲变频器
MC74HCU04A
14
1
高性能硅栅CMOS
该MC74HCU04A在引出线的LS04和MC14069UB相同。
该器件输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个单级逆变器。这些逆变器以及
适合用作振荡器，脉冲整形器，而在许多其它应用中
要求高输入阻抗放大器。对于数字应用，
HC04A建议。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V ; 2.5 6 V振荡器
CON连接gurations
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 12场效应管或3个等效门
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC74HCUXXAN
MC74HCUXXAD
MC74HCUXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
逻辑图
A1
1
2
引脚分配
Y1
A1
Y1
Y2
A2
Y2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
A6
Y6
A5
Y5
A4
Y4
A2
3
4
A3
5
6
Y3
-A
A3
Y3
GND
A4
9
8
Y4
A5
11
10
Y5
功能表
A6
13
12
Y6
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
14脚VCC =
PIN 7 = GND
3/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
MC74HCU04A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： -10mW /
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： -7mW /
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
– 55
—
+ 125
No
极限
_
C
ns
TR ， TF
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
v
85
_
C
v
125
_
C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
l.7
2.5
3.6
4.8
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.5V *
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.5 V *
|电流输出|
20
A
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = GND
|电流输出|
20
A
VIN = GND
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.36
3.86
5.36
0.2
0.5
0.5
2.26
3.76
5.26
0.2
0.5
0.5
2.20
3.70
5.20
0.2
0.5
0.5
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VCC
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VCC
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.32
0.32
0.32
0.32
0.37
0.37
0.32
0.40
0.40
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HCU04A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
1
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
10
±
1.0
40
单位
A
A
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
*对于VCC = 2.0 V，输出电压= 0.2 V或VCC - 0.2 V.
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
70
40
14
12
75
27
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
90
45
18
15
95
32
19
16
10
105
50
21
18
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（ P I
i
（每逆变器） *
)*
15
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
QQ：2881677436 复制
