MC74HCT74A
双D触发器与设置
与LSTTL复位
兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT74A在引出线的LS74相同。该装置
可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS输出
以高速CMOS输入。
该装置由两个D触发器与个别设置，复位，
和时钟输入。在D输入端的信息被转移到
在时钟的下一个正边沿对应的Q输出
输入。 Q和Q输出都可以从每一个触发器。设置
和复位输入是异步的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
HCT74AG
AWLYWW
MC74HCT74AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 136场效应管或34个等效门
无铅包可用
逻辑图
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
RESET 2
数据2
钟2
设置2
1
2
3
4
13
12
11
10
价值
34
单位
EA 。
ns
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
9
8
Q2
Q2
5
6
Q1
Q1
引脚分配
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
Q1
Q1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
RESET 2
数据2
钟2
设置2
Q2
Q2
功能表
输入
设置复位时钟数据
L
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
H
L
X
X
X
输出
Q
Q
H
L
L
H
H*
H*
H
L
L
H
没有变化
没有变化
没有变化
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录10
设计标准
内门数
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
mW
pJ
.0075
相当于一个两输入与非门。
1
L
H
*两个输出将维持高位，只要设置和
复位为低电平，而输出状态是不可预测的
如果能够设置和重置变为高电平同时进行。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
出版订单号：
MC74HCT74A/D
MC74HCT74A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
储存温度
塑料DIP
SOIC封装
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： -10mW / _C从65_至125_C
SOIC封装： -7mW / _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
500
– 55
0
+ 125
_C
ns
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
80
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
最大低电平输入
电压
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
2.0
0.33
20
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
1.0
±
1.0
mA
mA
I
CC
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
DI
CC
额外的静态电源
当前
2.9
2.4
5.5
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
mA
≥
55_C
25 ° C至125°C
http://onsemi.com
2
MC74HCT74A
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
- 55
25_C
30
24
24
15
10
v
85_C
24
30
30
19
10
v
125_C
20
36
36
22
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
最大传输延迟，时钟到Q或Q
（图1和4 ）
最大传播延迟，设置或重置为Q或Q
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
最大输入电容
pF
2.传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参见安森美半导体的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
32
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
3.用于确定空载动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
时序要求
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
- 55
25_C
v
125_C
符号
t
su
t
h
参数
图。
3
3
2
1
2
1
民
15
3
6
最大
民
19
3
8
最大
民
22
3
9
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小建立时间，数据时钟
最小保持时间，时钟到数据
t
REC
t
w
t
w
最小恢复时间，设置或复位无效到时钟
最小脉冲宽度，时钟
15
15
19
19
22
22
最小脉冲宽度，设置或重置
t
r
, t
f
最大输入上升和下降时间
500
500
500
订购信息
设备
MC74HCT74AN
MC74HCT74ANG
MC74HCT74AD
MC74HCT74ADG
MC74HCT74ADR2
MC74HCT74ADR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
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