MC74HCT573A
八路三态同相
透明锁存器与
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT573A在引出线的LS573是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据会议的建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到
高阻抗状态。因此，数据可以被即使当锁存
输出未启用。
该HCT573A是相同的函数来HCT373A但具有
在封装的从输出的相对侧的数据输入
方便的PC板布局。
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记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
20
MC74HCT573AN
AWLYYWW
1
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
HCT573A
AWLYYWW
20
HCT
573A
ALYW
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 10
μA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 234场效应管或58.5等效门
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74HCT573AN
MC74HCT573ADW
MC74HCT573ADT
MC74HCT573ADTR2
包
PDIP20
SOIC- WIDE
TSSOP20
TSSOP20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
MC74HCT573ADWR2 SOIC- WIDE
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启示录11
1
出版订单号：
MC74HCT573A/D
MC74HCT573A
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1
毫瓦/ ℃，从65℃至125℃的
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
V
CC
T
A
直流电源电压（参考GND）
4.5
0
5.5
V
V
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
500
– 55
0
+ 125
_C
ns
符号
参数
民
最大
单位
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
μA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
最大低电平输入
电压
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
μA
μA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
v
0
μA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
5.5
4.0
40
160
μA
ΔI
CC
额外的静态电源
当前
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
μA
≥
– 55_C
2.9
25 ° C至125°C
2.4
5.5
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
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3
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
T
PLZ ，
T
PHZ
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
TZL ，
t
TZH
C
OUT
t
PLH
t
PHL
C
in
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
最大传输延迟，输入端D到输出Q
（图1和5）
参数
时序要求
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
su
C
PD
t
w
t
h
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
功率耗散电容（每启用输出） *
参数
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MC74HCT573A
4
图。
1
2
4
4
2
F +我
- 55 25_C
民
5.0
15
10
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
最大
500
- 55
25_C
15
10
12
28
28
30
30
保证限额
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
民
5.0
保证限额
19
13
v
85_C
v
85_C
最大
500
15
10
15
35
35
38
38
48
民
5.0
22
15
v
125_C
v
125_C
15
10
18
42
42
45
45
最大
500
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
