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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1957页 > MC74HCT541ADWR2
MC74HCT541A
八路三态非反相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT541A在引出线的LS541是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器,用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
该HCT541A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线
接收器设计成与3态存储器地址驱动器一起使用,
时钟驱动器,以及其它面向总线的系统。该设备的特点
在包装和2与运算的相对侧上的输入和输出
低电平有效输出使能。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
20
MC74HCT541AN
AWLYYWWG
1
1
20
SOIC20WB
DW后缀
CASE 751D
HCT541A
AWLYYWWG
输出驱动能力: 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1毫安
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 134场效应管或33.5等效门
无铅包可用*
逻辑图
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
1
1
20
HCT
541A
ALYWG
G
1
1
20
74HCT541A
AWLYWWG
1
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
非反相
输出
数据
输入
Y6
Y7
Y8
A
=大会地点
WL , L =晶圆地段
YY ,Y =年
WW ,W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年6月 - 修订版5
出版订单号:
MC74HCT541A/D
MC74HCT541A
引脚说明: 20引脚封装
V
CC
20
OE2
19
Y1
18
Y2
17
Y3
16
Y4
15
Y5
14
Y6
13
Y7
12
Y8
11
OE1
L
L
H
X
1
OE1
2
A1
3
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
10
GND
功能表
输入
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
输出y
Z =高阻抗
X =无关
( TOP VIEW )
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
V
OUT
I
in
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流,每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中塑料DIP功耗
SOIC封装
存储温度范围
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP或SOIC封装
最大额定值
该器件包含保护
电路,以防止因损伤
高静电压或电
场。但是,注意事项一定要
注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压这个高阻抗
电路。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终绑
到一个适当的逻辑电压电平
(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
符号
V
CC
参数
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压
(参考GND)
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度范围,所有封装类型
输入上升/下降时间(图1 )
– 55
0
+ 125
500
_C
ns
t
r
, t
f
推荐工作条件
http://onsemi.com
2
MC74HCT541A
DC特性
(电压参考GND)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OL
最大低电平输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
OZ
最大输入漏电流
最大三态泄漏电流
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ,任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ,其它输入
I
OUT
= 0毫安
|I
OUT
|
6.0mA
|I
OUT
|
6.0mA
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
±0.5
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
±5.0
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
±10.0
mA
mA
V
单位
V
V
V
I
CC
DI
CC
最大静态电源电流
(每包)
额外的静态电源电流
5.5
4
55°C
40
160
mA
25至125℃的
2.4
mA
5.5
2.9
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
AC特性
(V
CC
= 5.0V ,C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒)
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
t
TLH
,
t
THL
C
in
C
OUT
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和3)
最大传输延迟,输出使能到输出Y
(图2和4)
最大传输延迟,输出使能到输出Y
(图2和4)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和3)
最大输入电容
最大三态输出电容(输出处于高阻态)
-55 25℃
23
30
30
12
10
15
≤85°C
28
34
34
15
10
15
≤125°C
32
38
38
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(每缓冲器) *
2
F +我
CC
55
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
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3
MC74HCT541A
开关波形
t
r
90%
输入A
t
PLH
90%
输出y
t
TLH
1.3V
10%
1.3V
10%
t
f
3.0V
GND
t
PHL
t
THL
图1 。
3.0V
OE1或OE2
1.3V
t
PZL
输出y
1.3V
10%
t
PZH
输出y
1.3V
阻抗
t
PHZ
90%
V
OH
V
OL
t
PLZ
1.3V
GND
阻抗
图2中。
测试电路
TEST
产量
设备
TEST
C
L
*
设备
TEST
产量
TEST
1kW
连接到V
CC
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
图4中。
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4
MC74HCT541A
引脚说明
输入
A1,A2, A3,A4, A5,A6, A7,A8 (引脚2 ,3,4 ,5,6 ,7,8 ,
9)
- 数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在
上对应的Y输出,当非反相的形式
的输出被使能。
控制
输出使能和设备作为一个
非反相缓冲器。当高电压被施加到
任一输入,输出假设的高阻抗状态。
输出
OE1 , OE2 (引脚1 , 19 )
- 输出使能(低电平有效) 。
当低电压被施加到这两个销,所述
Y1,Y2, Y3,Y4, Y5, Y6, Y7 ,Y8 (引脚18 ,17, 16 ,15, 14 ,
13, 12, 11)
- 设备输出。根据状态
输出使能引脚,这些输出是任
非反相输出或高阻抗输出。
逻辑细节信息
7其他
缓冲器
一八
缓冲器
输入A
V
CC
输出y
OE1
OE2
订购信息
设备
MC74HCT541AN
MC74HCT541ANG
MC74HCT541ADW
MC74HCT541ADWG
MC74HCT541ADWR2
MC74HCT541ADWR2G
MC74HCT541ADTR2
MC74HCT541ADTR2G
MC74HCT541AFG
MC74HCT541AFEL
MC74HCT541AFELG
PDIP20
PDIP20
(无铅)
SOIC20
SOIC20
(无铅)
SOIC20
SOIC20
(无铅)
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
(无铅)
SOEIAJ20
SOEIAJ20
(无铅)
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
40单位/铁
1000 /磁带&卷轴
38单位/铁
18单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这些软件包本身无铅。
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5
MC74HCT541A
八路三态非反相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT541A在引出线的LS541是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器,用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
该HCT541A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线
接收器设计成与3态存储器地址驱动器一起使用,
时钟驱动器,以及其它面向总线的系统。该设备的特点
在包装和2与运算的相对侧上的输入和输出
低电平有效输出使能。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HCT541AN
AWLYYWW
1
20
20
输出驱动能力: 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5V
低输入电流: 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 134场效应管或33.5等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
A
WL
YY
WW
HCT541A
AWLYYWW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74HCT541AN
MC74HCT541ADW
PDIP–20
SOIC- WIDE
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
MC74HCT541ADWR2 SOIC- WIDE
功能表
输入
非反相
输出
OE1
L
L
H
X
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
输出y
数据
输入
Z =高阻抗
X =无关
引脚说明: 20引脚封装
( TOP VIEW )
VCC
20
OE2
19
Y1
18
Y2
17
Y3
16
Y4
15
Y5
14
Y6
13
Y7
12
Y8
11
产量
使
OE1
OE2
1
OE1
2
A1
3
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
10
GND
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第2版
出版订单号:
MC74HCT541A/D
MC74HCT541A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
VOUT
IIN
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流,每个引脚
ICC
PD
直流电源电流, VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
mW
TSTG
TL
存储温度范围
- 65至+ 150
260
_
C
_
C
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP或SOIC封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
符号
VCC
参数
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
VIN,VOUT
TA
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度范围,所有封装类型
输入上升/下降时间(图1 )
VCC
– 55
0
+ 125
500
推荐工作条件
_
C
ns
TR , TF
DC特性
(电压参考GND)
符号
VIH
VIL
VOH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
条件
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
20A
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6.0mA
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
±0.5
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
±5.0
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
±10.0
A
A
V
单位
V
V
V
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6.0mA
4.5
5.5
5.5
IIN
IOZ
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流(每包)
额外的静态电源
当前
VIN = VCC或GND
输出高阻态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
ICC
I
CC
5.5
4
40
160
A
VIN = 2.4V ,任何一个输入
–55°C
25至125℃的
VIN = VCC和GND ,其它输入
GND
i
IOUT = 0μA
2.9
2.4
5.5
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
http://onsemi.com
2
MC74HCT541A
AC特性
( VCC = 5.0V , CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒)
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
tPLZ ,
tPHZ
tpZL ,
tpZH
tTLH ,
TTHL
CIN
COUT
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和3)
最大传输延迟,输出使能到输出Y
(图2和4)
最大传输延迟,输出使能到输出Y
(图2和4)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和3)
最大输入电容
最大三态输出电容(输出高阻抗
状态)
-55 25℃
23
30
30
12
10
15
≤85°C
28
34
34
15
10
15
≤125°C
32
38
38
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容(每缓冲器) *
55
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
开关波形
tr
90%
输入A
TPLH
90%
输出y
tTLH
1.3V
10%
输出y
TTHL
1.3V
阻抗
tPZH tPHZ
90%
VOH
1.3V
10%
的TPH1
GND
输出y
1.3V
10%
VOL
tf
3.0V
3.0V
OE1或OE2
1.3V
tPZL tPLZ
1.3V
GND
阻抗
图1 。
测试电路
TEST
产量
设备
TEST
CL *
设备
TEST
产量
图2中。
TEST
1k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
图4中。
http://onsemi.com
3
MC74HCT541A
引脚说明
输入
A1,A2, A3,A4, A5,A6, A7,A8 (引脚2 ,3,4 ,5,6 ,7,8 ,
9)
- 数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在
上对应的Y输出,当非反相的形式
的输出被使能。
控制
输出使能和设备作为一个
非反相缓冲器。当高电压被施加到
任一输入,输出假设的高阻抗状态。
输出
OE1 , OE2 (引脚1 , 19 )
- 输出使能(低电平有效) 。
当低电压被施加到这两个销,所述
Y1,Y2, Y3,Y4, Y5, Y6, Y7 ,Y8 (引脚18 ,17, 16 ,15, 14 ,
13, 12, 11)
- 设备输出。根据状态
输出使能引脚,这些输出是任
非反相输出或高阻抗输出。
逻辑细节信息
7其他
缓冲器
一八
缓冲器
输入A
VCC
输出y
OE1
OE2
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4
MC74HCT541A
包装尺寸
PDIP–20
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 738-03
问题E
11
–A–
20
B
1
10
C
L
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
英寸
最大
1.010
1.070
0.240
0.260
0.150
0.180
0.015
0.022
0.050 BSC
0.050
0.070
0.100 BSC
0.008
0.015
0.110
0.140
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
25.66
27.17
6.10
6.60
3.81
4.57
0.39
0.55
1.27 BSC
1.27
1.77
2.54 BSC
0.21
0.38
2.80
3.55
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–T–
座位
飞机
K
M
E
G
F
D
20 PL
N
J
0.25 (0.010)
M
20 PL
0.25 (0.010)
T A
M
M
T B
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
SO–20
DW后缀
CASE 751D -05
本期
D
A
11
X 45
_
q
注意事项:
1.尺寸以毫米为单位。
2. INTERPRET尺寸和公差
按照ASME Y14.5M , 1994年。
3.尺寸D和E不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
5.尺寸b不包括密封条
前伸。 ALLOWABLE突出应该
0.13合计超过B尺寸AT
最大的物质条件。
MILLIMETERS
最大
2.35
2.65
0.10
0.25
0.35
0.49
0.23
0.32
12.65
12.95
7.40
7.60
1.27 BSC
10.05
10.55
0.25
0.75
0.50
0.90
0
_
7
_
H
M
B
M
20
10X
0.25
E
1
10
h
20X
B
0.25
M
B
T A
S
B
S
A
座位
飞机
暗淡
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
L
18X
e
A1
q
T
C
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5
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