MC74HCT541A
八路三态非反相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT541A在引出线的LS541是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
该HCT541A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线
接收器设计成与3态存储器地址驱动器一起使用，
时钟驱动器，以及其它面向总线的系统。该设备的特点
在包装和2与运算的相对侧上的输入和输出
低电平有效输出使能。
特点
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标记DIAGRAMS
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
20
MC74HCT541AN
AWLYYWWG
1
1
20
SOIC20WB
DW后缀
CASE 751D
HCT541A
AWLYYWWG
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1毫安
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门
无铅包可用*
逻辑图
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
1
1
20
HCT
541A
ALYWG
G
1
1
20
74HCT541A
AWLYWWG
1
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
非反相
输出
数据
输入
Y6
Y7
Y8
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY ，Y =年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 修订版5
出版订单号：
MC74HCT541A/D
MC74HCT541A
引脚说明： 20引脚封装
V
CC
20
OE2
19
Y1
18
Y2
17
Y3
16
Y4
15
Y5
14
Y6
13
Y7
12
Y8
11
OE1
L
L
H
X
1
OE1
2
A1
3
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
10
GND
功能表
输入
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
输出y
Z =高阻抗
X =无关
（ TOP VIEW ）
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中塑料DIP功耗
SOIC封装
存储温度范围
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP或SOIC封装
最大额定值
该器件包含保护
电路，以防止因损伤
高静电压或电
场。但是，注意事项一定要
注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压这个高阻抗
电路。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终绑
到一个适当的逻辑电压电平
（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
V
CC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度范围，所有封装类型
输入上升/下降时间（图1 ）
– 55
0
+ 125
500
_C
ns
t
r
, t
f
推荐工作条件
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2
MC74HCT541A
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OL
最大低电平输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
OZ
最大输入漏电流
最大三态泄漏电流
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
I
OUT
= 0毫安
|I
OUT
|
≤
6.0mA
|I
OUT
|
≤
6.0mA
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
±0.5
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
±5.0
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
±10.0
mA
mA
V
单位
V
V
V
I
CC
DI
CC
最大静态电源电流
（每包）
额外的静态电源电流
5.5
4
≥
55°C
40
160
mA
25至125℃的
2.4
mA
5.5
2.9
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
AC特性
(V
CC
= 5.0V ，C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
t
TLH
,
t
THL
C
in
C
OUT
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
最大三态输出电容（输出处于高阻态）
-55 25℃
23
30
30
12
10
15
≤85°C
28
34
34
15
10
15
≤125°C
32
38
38
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
2
F +我
CC
55
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
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3
MC74HCT541A
引脚说明
输入
A1，A2， A3，A4， A5，A6， A7，A8 （引脚2 ，3，4 ，5，6 ，7，8 ，
9)
- 数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在
上对应的Y输出，当非反相的形式
的输出被使能。
控制
输出使能和设备作为一个
非反相缓冲器。当高电压被施加到
任一输入，输出假设的高阻抗状态。
输出
OE1 ， OE2 （引脚1 ， 19 ）
- 输出使能（低电平有效） 。
当低电压被施加到这两个销，所述
Y1，Y2， Y3，Y4， Y5， Y6， Y7 ，Y8 （引脚18 ，17， 16 ，15， 14 ，
13, 12, 11)
- 设备输出。根据状态
输出使能引脚，这些输出是任
非反相输出或高阻抗输出。
逻辑细节信息
7其他
缓冲器
一八
缓冲器
输入A
V
CC
输出y
OE1
OE2
订购信息
设备
MC74HCT541AN
MC74HCT541ANG
MC74HCT541ADW
MC74HCT541ADWG
MC74HCT541ADWR2
MC74HCT541ADWR2G
MC74HCT541ADTR2
MC74HCT541ADTR2G
MC74HCT541AFG
MC74HCT541AFEL
MC74HCT541AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
40单位/铁
1000 /磁带&卷轴
38单位/铁
18单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这些软件包本身无铅。
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5
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