MC74HCT374A
八路三态同相
D触发器与
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
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该MC74HCT374A可以用作一个电平转换器，用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该HCT374A在引出线的LS374是相同的。
数据满足建立和保持时间的时钟与输出
时钟的上升边缘。输出使能不影响状态
的触发器，但是，当输出使能为高时，输出被强制
到高阻抗状态。因此，数据可以被即使当所存储的
输出未启用。
该HCT374A是相同的函数来HCT574A ，其具有
输入引脚上的包从输出引脚的相反侧。
此装置是在功能上与HCT534A ，其具有类似
反相输出。
特点
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
20
MC74HCT374AN
AWLYYWWG
1
20
SOICW20
DW后缀
CASE 751D
1
20
HCT374A
AWLYYWWG
1
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 276场效应管或69个等效门
改进过HCT374
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
无铅包可用*
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HCT
374A
ALYWG
G
20
20
1
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HCT374A
AWLYYWWG
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HCT374A/D
MC74HCT374A
引脚分配
产量
启用
Q0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
11
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
功能表
输入
产量
D
H
L
X
X
Q
H
L
没有变化
Z
产量
启用
L
L
L
H
OUTPUT ENABLE
1
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
时钟
L，H，
X
X =无关
Z =高阻抗
订购信息
设备
MC74HCT374AN
MC74HCT374ANG
MC74HCT374ADW
MC74HCT374ADWG
MC74HCT374ADWR2
MC74HCT374ADWR2G
MC74HCT374ADTR2
MC74HCT374ADTR2G
MC74HCT374AFEL
MC74HCT374AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
1440单位/箱
1440单位/箱
38单位/铁
38单位/铁
1000个/卷
1000个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
设计标准
价值
69
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
mW
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
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2
MC74HCT374A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
直流输出电流，每个引脚
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
500
– 55
0
+ 125
_C
ns
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
最大低电平输入电压
V
OH
最小高电平输出电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
mA
mA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
最大静态电源电流
（每包）
5.5
4.0
40
160
mA
DI
CC
额外的静态电源电流
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
mA
≥
55_C
2.9
25 ° C至125°C
2.4
5.5
mA
1.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
典型参数值的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章被发现
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3
MC74HCT374A
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
24
39
38
38
15
10
15
符号
f
最大
参数
- 55 25_C
30
31
30
30
12
10
15
v
125_C
20
47
45
45
18
10
15
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
兆赫
ns
ns
ns
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
（图2和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图2和5）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
最大输入电容
t
TLH
,
t
THL
C
in
pF
pF
C
OUT
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D）
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
65
C
PD
功率耗散电容（每触发器） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
时序要求
(V
CC
= 5.0 V
±
10 ％ ，输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
15
符号
t
su
t
h
参数
- 55 25_C
12
v
125_C
18
单位
ns
ns
ns
ns
最小建立时间，数据时钟
（图3）
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
最小脉冲宽度，时钟
（图1）
5.0
12
5.0
15
5.0
18
t
w
t
r
, t
f
最大输入上升和下降时间
（图1）
500
500
500
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4
QQ：2881677436 复制
