MC74HCT245A
八路三态同相
总线收发器与LSTTL
兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT245A在引出线的LS245是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
该MC74HCT245A是一个三态非反相收发器是
用于数据总线之间的2路异步通信。
该装置具有一个低电平有效的输出使能引脚，它是用来
将I / O端口为高阻态。方向控制
确定从A是否数据流向B或从B到A的
特点
http://onsemi.com
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 V至5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 304场效应管或76个等效门
无铅包可用
A1
A2
A
数据
PORT
A3
A4
A5
A6
A7
A8
方向
OUTPUT ENABLE
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
SOIC20W
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
引脚分配
方向
A1
A2
单位
ea
ns
mW
pJ
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OUTPUT ENABLE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
图1.逻辑图
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门。
价值
76
1.0
5.0
0.005
功能表
控制输入
OUTPUT ENABLE
L
L
H
X =无关
方向
L
H
X
手术
从总线B发送到总线的数据
从总线A发送到总线B数据
公交车隔离（高阻抗状态）
订购信息
查看详细的订购，发货信息，并标
第6页中的信息包款尺寸
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HCT245A/D
MC74HCT245A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中， PDIP功耗
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的情况下，持续10秒
（ PDIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
– 55
0
+ 125
500
_C
ns
t
r
, t
f
http://onsemi.com
2
MC74HCT245A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
最大低电平输入
电压
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
V
in
= V
CC
或GND ，引脚1或19
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
4.0
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
mA
I
CC
I
OZ
最大静态电源电流
（每包）
最大的三态
漏电流
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND ， I / O引脚
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
mA
±
0.5
±
5.0
±
10
DI
CC
额外的静态电源
当前
≥
55_C
2.9
25 ° C至125°C
2.4
5.5
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
保证限额
v
85_C
28
36
36
15
10
15
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
参数
- 55
25_C
22
30
30
12
10
15
v
125_C
33
42
42
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟， A到B或B到A
（图2和4）
最大传输延迟，方向或输出使能为A或B
（图3和5 ）
最大传输延迟，输出使能或8
（图3和5 ）
最大输出转换时间。任何输出
（图2和4）
最大输入容量（引脚1或19 ）
t
TLH
,
t
THL
C
in
pF
pF
C
OUT
最大三态I / O电容， （ I / O的高阻抗状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
2
F +我
CC
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
97
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
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3
MC74HCT245A
八路三态同相
总线收发器与LSTTL
兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT245A在引出线的LS245是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
该MC74HCT245A是一个三态非反相收发器是
用于数据总线之间的2路异步通信。
该装置具有一个低电平有效的输出使能引脚，它是用来
将I / O端口为高阻态。方向控制
确定从A是否数据流向B或从B到A的
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 304场效应管或76个等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A
数据
PORT
A4
A5
A6
A7
A8
方向
OUTPUT ENABLE
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
价值
76
单位
ea
ns
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HCT245AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948G
HCT245A
AWLYYWW
20
HCT
245A
ALYW
1
20
1
引脚分配
方向
A1
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OUTPUT ENABLE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.0
5.0
W
pJ
0.005
*相当于一个两输入与非门。
控制输入
功能表
订购信息
设备
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
MC74HCT245AN
MC74HCT245ADW
产量
启用
L
L
方向
L
H
X
手术
从总线B发送到总线的数据
从总线A发送到总线B数据
公交车隔离（高阻抗状态）
MC74HCT245ADWR2 SOIC- WIDE
MC74HCT245ADT
MC74HCT245ADTR2
1
TSSOP–20
TSSOP–20
H
X =无关
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HCT245A/D
MC74HCT245A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
– 55
0
+ 125
500
_
C
ns
TR ， TF
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
VIL
参数
测试条件
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
- 55
25
_
C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
85
_
C
v
125
_
C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
VOH
最小高电平输出
电压
VOL
最大低电平输出
电压
v
v
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6.0毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6.0毫安
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
0.26
4.0
0.33
40
IIN
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
ICC
IOZ
VIN = VCC和GND ，引脚1或19
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC和GND ， I / O引脚
±
0.1
±
1.0
±
1.0
160
A
A
A
±
0.5
±
5.0
±
10
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
≥
–55
_
C
25
_
C至125
_
C
VIN = VCC和GND ，另一个在UTS
GND
输入
糊涂人= 0
A
5.5
mA
2.9
2.4
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
额外的静态电源
当前
I
CC
http://onsemi.com
2
MC74HCT245A
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
参数
- 55
25
_
C
22
30
30
12
10
15
v
85
_
C
28
36
36
15
10
15
v
125
_
C
33
42
42
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟， A到B或B到A
（图1和3）
最大传输延迟，方向或输出使能为A或B
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能或8
（图2和4）
最大输出转换时间。任何输出
（图1和3）
最大输入容量（引脚1或19 ）
tTLH ，
TTHL
CIN
pF
pF
COUT
最大三态I / O电容， （ I / O的高阻抗
状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
97
CPD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
