MC74HCT244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT244A在引出线的LS244是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。该HCT244A是一个八进制
同相缓冲线路驱动器线路接收器设计成与使用
三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，以及其它面向总线的
系统。该装置具有非反相输出端和两个低有效
输出使能。
该HCT244A是HCT240的非反相版本。另请参阅
HCT241.
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HCT244AN
AWLYYWW
1
20
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
NMOS TTL兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 112场效应管或28个等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
数据输入
B1
B2
B3
B4
2
4
6
8
11
13
15
17
18
16
14
12
9
7
5
3
YA1
YA2
YA3
YA4
YB1
YB2
YB3
YB4
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948E
HCT244A
AWLYYWW
20
HCT
244A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
允许A
A1
YB4
同相
输出
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
1
输出使能A
使ENABLE B 19
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
功能表
输入
启用A，
允许B
A，B
输出
YA ， YB
订购信息
设备
MC74HCT244AN
MC74HCT244ADW
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
L
L
L
L
H
H
H
X
Z
Z =高阻抗， X =无所谓
半导体元件工业有限责任公司， 2000
MC74HCT244ADWR2 SOIC- WIDE
MC74HCT244ADT
MC74HCT244ADTR2
1
TSSOP–20
TSSOP–20
2000年5月 - 修订版9
出版订单号：
MC74HCT244A/D
MC74HCT244A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
±
75
750
500
450
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
– 55
0
+ 125
500
_
C
ns
TR ， TF
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
VIL
参数
测试条件
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25
_
C
2
2
v
85
_
C
v
125
_
C
2
2
2
2
0.8
0.8
4.4
5.4
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
0.8
0.8
4.4
5.4
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6毫安
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
IIN
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
A
A
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
5.5
4
40
160
A
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2
MC74HCT244A
I
CC
额外的静态电源
当前
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
VIN = VCC和GND ，另一个在UTS
GND
输入
糊涂人= 0
A
≥
–55
_
C
2.9
25
_
C至125
_
C
2.4
5.5
mA
注意事项：
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
参数
- 55
25
_
C
20
26
22
12
10
15
v
85
_
C
25
33
28
15
10
15
v
125
_
C
30
39
33
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
tTLH ，
TTHL
CIN
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
55
CPD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
开关波形
3V
tr
输入
A或B
TPLH
产量
YA或YB
tTLH
90%
1.3 V
10%
TTHL
2.7 V
1.3 V
0.3 V
的TPH1
tf
3V
GND
输出y
1.3 V
tpZH
输出y
1.3 V
tPHZ
10%
90%
启用
A或B
1.3 V
GND
tPZL
tPLZ
高
阻抗
VOL
VOH
高
阻抗
图1 。
图2中。
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3
MC74HCT244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT244A在引出线的LS244是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。该HCT244A是一个八进制
同相缓冲线路驱动器线路接收器设计成与使用
三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，以及其它面向总线的
系统。该装置具有非反相输出端和两个低有效
输出使能。
该HCT244A是HCT240的非反相版本。看
也HCT241 。
特点
http://onsemi.com
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
SOIC20W
DW后缀
CASE 751D
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
NMOS TTL兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 112场效应管或28个等效门
无铅包可用
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
SOEIAJ20
M后缀
CASE 967
1
引脚分配
允许A
A1
YB4
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
2
4
6
8
11
13
15
17
18
16
14
12
9
7
5
3
YA1
YA2
YA3
YA4
YB1
YB2
同相
输出
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
数据输入
功能表
YB3
YB4
输入
启用A，
允许B
L
L
H
A，B
L
H
X
输出
YA ， YB
L
H
Z
1
输出使能A
使ENABLE B 19
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
Z =高阻抗， X =无所谓
图1.逻辑图
订购和标识信息
查看详细的订购，发货，并在标识信息
包装尺寸本数据手册的第5页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 11牧师
出版订单号：
MC74HCT244A/D
MC74HCT244A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
±
75
750
500
450
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
- SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
- TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
– 55
0
+ 125
500
_C
ns
t
r
, t
f
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2
2
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2
2
v
125_C
2
2
单位
V
V
V
最低高电平输入电压
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6毫安
0.8
0.8
4.4
5.4
0.8
0.8
4.4
5.4
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
4
±
1.0
±
5.0
40
±
1.0
±
10
160
mA
mA
mA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH ;
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND I
OUT
= 0
mA
I
CC
DI
CC
额外的静态电源
当前
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
mA
≥
55_C
2.9
25 ° C至125°C
2.4
5.5
mA
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
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2
MC74HCT244A
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85_C
25
33
28
15
10
15
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
参数
- 55 25_C
20
26
22
12
10
15
v
125_C
30
39
33
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
t
TLH
,
t
THL
C
in
pF
pF
C
OUT
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
55
2
F +我
CC
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
开关波形
t
r
2.7 V
1.3 V
0.3 V
t
PLH
90%
1.3 V
10%
t
TLH
t
PHL
t
f
输入
A或B
产量
YA或YB
3V
GND
t
THL
图2中。
3V
启用
A或B
1.3 V
t
PZL
1.3 V
t
PZH
输出y
1.3 V
t
PHZ
t
PLZ
10%
90%
GND
高
阻抗
V
OL
V
OH
高
阻抗
输出y
网络连接gure 3 。
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3
MC74HCT244A
订购信息
设备
MC74HCT244AN
MC74HCT244ANG
MC74HCT244ADW
MC74HCT244ADWG
MC74HCT244ADWR2
MC74HCT244ADWR2G
MC74HCT244ADTR2
MC74HCT244ADTR2G
MC74HCT244AF
MC74HCT244AFG
MC74HCT244AFEL
MC74HCT244AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
40单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
38单位/铁
18单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这些软件包本身无铅。
标记DIAGRAMS
PDIP20
SOIC20W
TSSOP20
SOEIAJ20
20
20
MC74HCT244AN
AWLYYWWG
1
1
HCT244A
AWLYYWWG
20
HCT
244A
ALYWG
G
1
20
74HCT244A
AWLYWWG
1
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
