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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1416页 > MC74HCT241A
MC74HCT241A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT241A在引出线的LS241是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。该HCT241A是一个八进制
非反相缓冲器/线路驱动器/接收器线设计与使用
三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，以及其它面向总线的
系统。该设备已非反相输出端和两个输出使能位。
使A为低电平有效，允许B是高电平有效。
该HCT241A是在功能上与HCT244相似。另请参阅
HCT240.
特点
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PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
SOIC20W
DW后缀
CASE 751D
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 118场效应管或29.5等效门
无铅包可用*
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
订购信息
查看详细的订购，发货信息，并标
第6页中的信息包款尺寸
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
启8
1
出版订单号：
MC74HCT241A/D
MC74HCT241A
逻辑图
A1
A2
A3
A4
数据输入
B1
B2
B3
B4
11
13
15
17
9
7
5
3
YB1
YB2
YB3
YB4
2
4
6
8
18
16
14
12
YA1
YA2
YA3
YA4
同相
输出
引脚分配
允许A
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
功能表
输入
允许A
L
L
H
输入
允许B
H
H
L
B
L
H
X
A
L
H
X
产量
YA
L
H
Z
产量
YB
L
H
Z
1
输出使能A
使ENABLE B 19
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
Z =高阻抗
X =无关
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2
MC74HCT241A
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
- 65至+ 150
260
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/ _C从100_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
V
CC
T
A
直流电源电压（参考GND）
4.5
0
0
5.5
V
V
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
500
– 55
+ 125
_C
ns
符号
参数
民
最大
单位
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
- 55
25_C
2
2
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±
0.1
±
0.5
v
85_C
2
2
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±
1.0
±
5.0
v
125_C
2
2
08
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
±
1.0
±
10
μA
μA
V
单位
V
V
V
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
μA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6毫安
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6毫安
I
in
I
OZ
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
最大静态电源
电流（每包）
额外的静态电源
当前
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
μA
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
μA
I
CC
ΔI
CC
5.5
4
≥
55_C
40
160
25 ° C至125°C
2.4
μA
5.5
2.9
mA
1.总电源电流= I
CC
+
ΣΔI
CC
.
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3
MC74HCT241A
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
t
TLH
,
t
THL
C
in
C
OUT
参数
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
最大三态输出电容（输出高阻抗
状态）
- 55
25_C
23
30
26
12
10
15
v
85_C
29
38
33
15
10
15
v
125_C
35
45
39
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
55
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
.
开关波形
3V
允许A
1.3 V
GND
3V
t
r
输入
A或B
t
PLH
产量
YA或YB
t
TLH
90%
1.3 V
10%
t
THL
输出y
2.7 V
1.3 V
0.3 V
t
PHL
t
f
3V
t
PZL
GND
输出y
1.3 V
10%
t
PZH
1.3 V
t
PHZ
90%
t
PLZ
允许B
1.3 V
GND
高
阻抗
V
OL
V
OH
高
阻抗
图1 。
图2中。
测试点
产量
设备
下
TEST
设备
下
TEST
测试点
产量
1 kΩ
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
图4.测试电路
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4
MC74HCT241A
逻辑细节信息
其他三个
“A”缓冲区
其他三个
“B”缓冲区
第8缓冲区TWO
输入
A
V
CC
YA
输入
B
V
CC
YB
允许A
产量
使
允许B
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5
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M29W400BT120N6T
M38002S7-XXXHP
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    MC74HCT241A
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