MC74HCT138A
1 - 8解码器/
多路解复用器与LSTTL
兼容输入
高性能硅栅CMOS
http://onsemi.com
该MC74HCT138A在引出线的LS138是相同的。该
HCT138A可以用作一个电平转换器，用于连接TTL或
NMOS输出到高速CMOS输入。
该HCT138A解码3位地址，以1 -的八个
主动大量输出。该器件具有三个片选输入，两路
低电平和一个高有效的，以便多路分用，
级联和片选功能。解复用功能
通过使用该地址输入以选择所需的完成
器件输出;该芯片选择中的一个被用作数据输入，而
其他的片选保持在它们的激活状态。
特点
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HCT138AN
AWLYYWWG
1
16
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 122场效应管或30.5等效门
无铅包可用*
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
HCT138AG
AWLYWW
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
A
WL ，L
Y, YY
W, WW
G
=
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
无铅封装
HCT
138
ALYW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 8版本
出版订单号：
MC74HCT138A/D
MC74HCT138A
逻辑图
A0
地址
输入
A1
A2
1
2
3
15
14
13
12
11
10
9
7
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
ACTIVE -LOW
输出
引脚分配
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
CS3
6
4
5
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
功能表
输入
输出
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
订购信息
设备
MC74HCT138AN
MC74HCT138ANG
MC74HCT138AD
MC74HCT138ADG
MC74HCT138ADR2
MC74HCT138ADR2G
MC74HCT138ADTR2
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
航运
500单位/箱
500单位/箱
48单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
设计标准
价值
30.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
mW
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
2
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
H =高电平（稳态）
L =低电平（稳态）
X =无关
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MC74HCT138A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
– 55
0
+ 125
500
_C
ns
t
r
, t
f
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
6.0
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
最大低电平输入
电压
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
4.0
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
≥
55_C
25 ° C至125°C
额外的静态电源
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
2.9
2.4
当前
l
OUT
= 0
mA
5.5
mA
DI
CC
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
http://onsemi.com
3
MC74HCT138A
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
38
34
38
19
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
r
, t
f
C
in
参数
- 55
25_C
30
27
30
15
v
125_C
45
41
45
22
单位
ns
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
最大输出转换时间， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
最大输入上升和下降时间
最大输入电容
500
10
500
10
500
10
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
51
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
膨胀逻辑图
15
Y0
14
Y1
A0
1
13
Y2
A1
2
12
Y3
A2
3
11
Y4
10
CS3
CS2
5
4
9
Y5
Y6
7
Y7
CS1
6
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4
QQ：2881677436 复制
