摩托罗拉
半导体技术资料
1 - 8解码器/多路解复用器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT138A在引出线的LS138是相同的。该HCT138A
可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS输出到
高速CMOS输入。
该HCT138A解码3位地址，以一对的八个活性-很多
输出。该器件具有三个片选输入，两路低电平有效，
一种活性高，以便多路分用，级联和芯片选择 -
荷兰国际集团的功能。解复用的功能是通过使用实现
地址输入，以选择所需的设备输出;在芯片选择之一
作为数据输入，而另一芯片选择在它们的活性保持
状态。
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 122场效应管或30.5等效门
逻辑图
A0
地址
输入
A1
A2
1
2
3
15
14
13
12
11
10
9
7
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
ACTIVE -LOW
输出
MC74HCT138A
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
1
16
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
16
1
订购信息
MC74HCTXXXAN
MC74HCTXXXAD
MC74HCTXXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
功能表
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
6
4
5
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
输入
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
10/95
摩托罗拉公司1995年
CS3
设计标准
价值
30.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
H =高电平（稳态）
L =低电平（稳态）
X =无关
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC74HCT138A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
I
CC
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间（图1 ）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
额外的静态电源
当前
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
VIN = VCC和GND ，其它输入
糊涂人= 0
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
4.5
价值
0
0
±
50
±
25
±
20
260
750
500
450
+ 125
VCC
最大
500
5.5
VCC
V
5.5
5.5
6.0
4.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
单位
mW
单位
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
≥
– 55
_
C
- 55
25
_
C
±
0.1
0.26
3.98
2.9
4.0
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
0.33
3.84
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
25
_
C至125
_
C
40
v
2.4
±
1.0
160
0.4
0.1
0.1
3.7
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
v
单位
mA
A
A
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
CPD
TR ， TF
CIN
最大输入电容
最大输入上升和下降时间
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
CS1
CS2
CS3
A2
A1
A0
6
4
5
3
2
1
参数
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
功率耗散电容（每启用输出） *
最大输出转换时间， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
膨胀逻辑图
3
- 55
25
_
C
500
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
10
15
30
27
30
保证限额
v
85
_
C
500
10
19
38
34
38
51
10
15
14
12
13
11
7
9
Y7
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
Y0
MC74HCT138A
v
125
_
C
500
10
22
45
41
45
摩托罗拉
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HCT138A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
–A
–
16
9
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
0°
0°
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
–
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
–
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
–
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
9.80 10.00
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
民
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0°
7°
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
–
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
1 - 8解码器/多路解复用器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT138A在引出线的LS138是相同的。该HCT138A
可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS输出到
高速CMOS输入。
该HCT138A解码3位地址，以一对的八个活性-很多
输出。该器件具有三个片选输入，两路低电平有效，
一种活性高，以便多路分用，级联和芯片选择 -
荷兰国际集团的功能。解复用的功能是通过使用实现
地址输入，以选择所需的设备输出;在芯片选择之一
作为数据输入，而另一芯片选择在它们的活性保持
状态。
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 122场效应管或30.5等效门
逻辑图
A0
地址
输入
A1
A2
1
2
3
15
14
13
12
11
10
9
7
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
ACTIVE -LOW
输出
MC74HCT138A
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
1
16
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
16
1
订购信息
MC74HCTXXXAN
MC74HCTXXXAD
MC74HCTXXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
功能表
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
6
4
5
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
输入
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
10/95
摩托罗拉公司1995年
CS3
设计标准
价值
30.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
H =高电平（稳态）
L =低电平（稳态）
X =无关
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC74HCT138A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
I
CC
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间（图1 ）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
额外的静态电源
当前
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
VIN = VCC和GND ，其它输入
糊涂人= 0
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
4.5
价值
0
0
±
50
±
25
±
20
260
750
500
450
+ 125
VCC
最大
500
5.5
VCC
V
5.5
5.5
6.0
4.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
单位
mW
单位
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
≥
– 55
_
C
- 55
25
_
C
±
0.1
0.26
3.98
2.9
4.0
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
0.33
3.84
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
25
_
C至125
_
C
40
v
2.4
±
1.0
160
0.4
0.1
0.1
3.7
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
v
单位
mA
A
A
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
CPD
TR ， TF
CIN
最大输入电容
最大输入上升和下降时间
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
CS1
CS2
CS3
A2
A1
A0
6
4
5
3
2
1
参数
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
功率耗散电容（每启用输出） *
最大输出转换时间， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
膨胀逻辑图
3
- 55
25
_
C
500
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
10
15
30
27
30
保证限额
v
85
_
C
500
10
19
38
34
38
51
10
15
14
12
13
11
7
9
Y7
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
Y0
MC74HCT138A
v
125
_
C
500
10
22
45
41
45
摩托罗拉
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HCT138A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
–A
–
16
9
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
0°
0°
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
–
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
–
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
–
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
9.80 10.00
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
民
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0°
7°
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
–
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
MC74HCT138A
1 - 8解码器/
多路解复用器与LSTTL
兼容输入
高性能硅栅CMOS
http://onsemi.com
该MC74HCT138A在引出线的LS138是相同的。该
HCT138A可以用作一个电平转换器，用于连接TTL或
NMOS输出到高速CMOS输入。
该HCT138A解码3位地址，以1 -的八个
主动大量输出。该器件具有三个片选输入，两路
低电平和一个高有效的，以便多路分用，
级联和片选功能。解复用功能
通过使用该地址输入以选择所需的完成
器件输出;该芯片选择中的一个被用作数据输入，而
其他的片选保持在它们的激活状态。
特点
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HCT138AN
AWLYYWWG
1
16
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 122场效应管或30.5等效门
无铅包可用*
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
HCT138AG
AWLYWW
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
A
WL ，L
Y, YY
W, WW
G
=
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
无铅封装
HCT
138
ALYW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 8版本
出版订单号：
MC74HCT138A/D
MC74HCT138A
逻辑图
A0
地址
输入
A1
A2
1
2
3
15
14
13
12
11
10
9
7
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
ACTIVE -LOW
输出
引脚分配
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
CS3
6
4
5
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
功能表
输入
输出
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
订购信息
设备
MC74HCT138AN
MC74HCT138ANG
MC74HCT138AD
MC74HCT138ADG
MC74HCT138ADR2
MC74HCT138ADR2G
MC74HCT138ADTR2
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
航运
500单位/箱
500单位/箱
48单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
设计标准
价值
30.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
mW
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
2
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
H =高电平（稳态）
L =低电平（稳态）
X =无关
http://onsemi.com
MC74HCT138A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
– 55
0
+ 125
500
_C
ns
t
r
, t
f
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
6.0
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
最大低电平输入
电压
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
4.0
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
≥
55_C
25 ° C至125°C
额外的静态电源
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
2.9
2.4
当前
l
OUT
= 0
mA
5.5
mA
DI
CC
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
http://onsemi.com
3
MC74HCT138A
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
38
34
38
19
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
r
, t
f
C
in
参数
- 55
25_C
30
27
30
15
v
125_C
45
41
45
22
单位
ns
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
最大输出转换时间， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
最大输入上升和下降时间
最大输入电容
500
10
500
10
500
10
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
51
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
膨胀逻辑图
15
Y0
14
Y1
A0
1
13
Y2
A1
2
12
Y3
A2
3
11
Y4
10
CS3
CS2
5
4
9
Y5
Y6
7
Y7
CS1
6
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
