MC74HCT125A
四路三态同相
缓冲与LSTTL
兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT125A在引出线的LS125是相同的。该装置
输入与标准CMOS和LSTTL输出兼容。
该MC74HCT125A同相缓冲器被设计为可使用
具有三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，和其他
面向总线的系统。该装置具有四个独立的输出使
是低电平有效。
特点
14
1
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HCT125AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
这些无铅器件
引脚分配
逻辑图
低电平有效输出使能
A1
OE1
A2
OE2
A3
2
1
5
4
9
10
12
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
11
Y4
8
Y3
6
Y2
3
Y1
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCT125AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCT
125A
ALYWG
G
OE1
A1
Y1
OE2
A2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
OE4
A4
Y4
OE3
A3
Y3
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=
大会地点
L， WL
=
晶圆地段
Y, YY
=
YEAR
W, WW =
工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HCT125A
ALYWG
14
1
功能表
HCT125A
输入
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
OE3
A4
OE4
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年11月
第1版
1
出版订单号：
MC74HCT125A/D
MC74HCT125A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
- 65至+ 150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
_C
_C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
http://onsemi.com
2
MC74HCT125A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输出
电压
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源电流
（每包）
测试条件
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
OL
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
I
in
I
OZ
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2.0
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±
0.1
±
0.5
v
85_C
2.0
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±
1.0
±
5.0
v
125_C
2.0
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
±
1.0
±
10
mA
mA
V
单位
V
V
V
I
CC
5.5
4.0
40
160
mA
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒，V
CC
= 5.0 V
±
10%)
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
t
TLH
,
t
THL
C
in
C
OUT
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能为Y
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能为Y
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
最大三态输出电容（输出高阻抗状态）
V
CC
V
5.0
5.0
5.0
5.0
- 55
25_C
18
24
18
12
10
15
v
85_C
23
30
23
15
10
15
v
125_C
27
36
27
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
.
30
pF
订购信息
设备
MC74HCT125ANG
MC74HCT125ADG
MC74HCT125ADR2G
MC74HCT125ADTG
MC74HCT125ADTR2G
MC74HCT125AFG
MC74HCT125AFELG
包
PDIP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
（无铅）
航运
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
96单位/铁
2500 /磁带&卷轴
50单位/铁
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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3
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