MC74HCT08A
四2输入与门
与LSTTL兼容
输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT08A在引出线的LS08相同。该装置
输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
9
10
12
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
3
Y1
14
6
Y2
Y = AB
8
Y3
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
14
HCT
08
ALYW
G
G
HCT08AG
AWLYWW
MC74HCT08AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 V至6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 24场效应管或6个等效门
这些无铅器件
11
Y4
功能表
输入
A
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
图1.逻辑图
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
L
L
H
H
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
图2.引脚
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年11月
启8
1
出版订单号：
MC74HCT08A/D
MC74HCT08A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
价值
0.5
到+7.0
0.5
到V
CC
+0.5
0.5
到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
450
65
+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
●降额
塑料DIP ：
10毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
SOIC封装形式：
7毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图3）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
参数
民
2.0
0
55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
http://onsemi.com
2
MC74HCT08A
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出电压
条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
0.1
V
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
0.1 V
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
OL
最大低电平输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
55
至25℃
2.0
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1.0
≤85°C
2.0
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒，V
CC
= 5.0 V
±
10%)
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图3和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图3和4）
最大输入电容
t
PLH
t
PHL
V
CC
V
5.0
5.0
保证限额
55
至25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
2
f
20
+ I
CC
V
CC
.
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
订购信息
设备
MC74HCT08ANG
MC74HCT08ADG
MC74HCT08ADR2G
MC74HCT08ADTR2G
MC74HCT08AFELG
包
PDIP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
航运
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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3
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