MC74HCT04A
六反相器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT04A可以用作一个电平转换器，用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。该HCT04A是
在相同的引脚排列到LS04 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HCT04AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1毫安
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 48场效应管或12个等效门
无铅包可用
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCT04AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCT
04A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G或
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
74HCT04A
ALYWG
14
1
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
9牧师
1
出版订单号：
MC74HCT04A/D
MC74HCT04A
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
A1
逻辑图
1
2
Y1
A2
3
4
Y2
A3
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
A4
5
6
Y3
9
8
Y4
A5
11
10
Y5
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
-A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
A6
13
12
Y6
订购信息
设备
MC74HCT04AN
MC74HCT04ANG
MC74HCT04AD
MC74HCT04ADG
MC74HCT04ADR2
MC74HCT04ADR2G
MC74HCT04ADTR2
MC74HCT04ADTR2G
MC74HCT04AFEL
MC74HCT04AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HCT04A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
存储温度范围
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
V
CC
T
A
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度范围，所有封装类型
输入上升/下降时间（图1 ）
V
CC
500
– 55
0
+ 125
_C
ns
推荐工作条件
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
≤
4.0mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
≤
4.0mA
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
I
OUT
= 0毫安
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
55
至25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
V
OL
最大低电平输出
电压
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
额外的静态电源
当前
DI
CC
≥
55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
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3
MC74HCT04A
AC特性
(V
CC
= 5.0V
±10%,
C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
最大输入电容
55
至25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
3.对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参见安森美半导体的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每变频器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
t
f
输入A
2.7V
1.3V
0.3V
t
PLH
90%
输出y
t
TLH
1.3V
10%
t
r
3.0V
TEST
点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
GND
t
PHL
t
THL
*包括所有探测和夹具电容
图1.开关波形
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
（该设备的1/6所示）
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4
MC74HCT04A
六反相器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT04A可以用作一个电平转换器，用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该HCT04A在引出线的LS04相同。
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记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HCT04AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
A1
1
2
Y1
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HCT
04A
ALYW
HCT04A
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5V
低输入电流： 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 48场效应管或12个等效门
逻辑图
A2
3
4
Y2
A3
5
6
Y3
-A
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
A4
9
8
Y4
14脚VCC =
PIN 7 = GND
功能表
输入
输出
Y
H
L
A5
11
10
Y5
A
L
H
A6
13
12
Y6
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
订购信息
设备
MC74HCT04AN
MC74HCT04AD
MC74HCT04ADR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
MC74HCT04ADT
MC74HCT04ADTR2
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 启示录7
出版订单号：
MC74HCT04A/D
MC74HCT04A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
存储温度范围
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度范围，所有封装类型
输入上升/下降时间（图1 ）
VCC
– 55
0
+ 125
500
_
C
ns
TR ， TF
http://onsemi.com
2
MC74HCT04A
DC特性
（电压参考GND）
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
|电流输出|
≤
4.0mA
4.5
4.5
5.5
|电流输出|
≤
4.0mA
4.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
A
A
V
单位
V
V
V
符号
VIH
VIL
VOH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
条件
VOUT = 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VOUT = VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIL
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIL
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH
IIN
ICC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
额外的静态电源
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
VIN = 2.4V ，任何一个输入
≥
–55°C
25至125℃的
VIN = VCC和GND ，其它输入
GND
i
mA
IOUT = 0μA
2.9
2.4
5.5
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
I
CC
AC特性
（VCC = 5.0V
±10%,
CL = 50pF的，输入TR = TF =为6ns ）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
CIN
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
最大输入电容
-55 25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每变频器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
MC74HCT04A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
