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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第401页 > MC74HCT04AD
MC74HCT04A
六反相器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT04A可以用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。该HCT04A是
在相同的引脚排列到LS04 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HCT04AN
AWLYYWWG
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1毫安
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 48场效应管或12个等效门
无铅包可用
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCT04AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCT
04A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
L, WL
Y, YY
W, WW
G或
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
74HCT04A
ALYWG
14
1
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年10月,
9牧师
1
出版订单号:
MC74HCT04A/D
MC74HCT04A
引脚说明: 14引脚封装
( TOP VIEW )
V
CC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
A1
逻辑图
1
2
Y1
A2
3
4
Y2
A3
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
A4
5
6
Y3
9
8
Y4
A5
11
10
Y5
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
-A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
A6
13
12
Y6
订购信息
设备
MC74HCT04AN
MC74HCT04ANG
MC74HCT04AD
MC74HCT04ADG
MC74HCT04ADR2
MC74HCT04ADR2G
MC74HCT04ADTR2
MC74HCT04ADTR2G
MC74HCT04AFEL
MC74HCT04AFELG
PDIP14
PDIP14
(无铅)
SOIC14
SOIC14
(无铅)
SOIC14
SOIC14
(无铅)
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
(无铅)
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HCT04A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流,每个引脚
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
存储温度范围
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装:
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
符号
V
CC
T
A
参数
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度范围,所有封装类型
输入上升/下降时间(图1 )
V
CC
500
– 55
0
+ 125
_C
ns
推荐工作条件
DC特性
(电压参考GND)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
4.0mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
4.0mA
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ,任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ,其它输入
I
OUT
= 0毫安
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
55
至25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
V
OL
最大低电平输出
电压
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
额外的静态电源
当前
DI
CC
55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74HCT04A
AC特性
(V
CC
= 5.0V
±10%,
C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和图2)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大输入电容
55
至25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
3.对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参见安森美半导体的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(每变频器) *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
t
f
输入A
2.7V
1.3V
0.3V
t
PLH
90%
输出y
t
TLH
1.3V
10%
t
r
3.0V
TEST
产量
设备
TEST
C
L
*
GND
t
PHL
t
THL
*包括所有探测和夹具电容
图1.开关波形
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
(该设备的1/6所示)
http://onsemi.com
4
MC74HCT04A
包装尺寸
PDIP14
CASE 646-06
ISSUE P
14
8
B
1
7
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
英寸
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.290
0.310
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.37
7.87
10
_
0.38
1.01
A
F
N
T
座位
飞机
L
C
H
G
D
14 PL
K
M
J
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
0.13 (0.005)
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
六反相器
MC74HCT04A
14
1
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT04A可以用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该HCT04A在引出线的LS04相同。
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5V
低输入电流: 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 48场效应管或12个等效门
14
1
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
逻辑图
1
2
MC74HCTXXAN
MC74HCTXXAD
MC74HCTXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
A1
Y1
A2
3
4
功能表
Y2
输入
A
Y3
-A
L
H
输出
Y
H
L
A3
5
6
A4
9
8
Y4
14脚VCC =
PIN 7 = GND
A5
11
10
Y5
A6
13
12
Y6
引脚说明: 14引脚封装
( TOP VIEW )
VCC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
推荐工作条件
VIN,VOUT
符号
VCC
TL
TR , TF
TA
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
输入上升/下降时间(图1 )
工作温度范围,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
参数
– 55
4.5
0
0
260
+ 125
VCC
最大
500
5.5
单位
最大额定值*
摩托罗拉
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
MC74HCT04A
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VIN
PD
IIN
存储温度范围
在静止空气中的功耗
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
参数
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
价值
±
50
±
25
±
20
750
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
v
v
MC74HCT04A
DC特性
(电压参考GND)
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
|电流输出|
4.0mA
4.5
4.5
5.5
|电流输出|
4.0mA
4.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
A
A
V
单位
V
V
V
符号
VIH
VIL
VOH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
VOUT = 0.1V
|电流输出|
20A
VOUT = VCC - 0.1V
|电流输出|
20A
VIN = VIL
|电流输出|
20A
VIN = VIL
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20A
VIN = VIH
IIN
ICC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
额外的静态电源
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
VIN = 2.4V ,任何一个输入
VIN = VCC和GND ,其它输入
IOUT = 0μA
I
CC
–55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
AC特性
(VCC = 5.0V
±10%,
CL = 50pF的,输入TR = TF =为6ns )
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
CIN
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和图2)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大输入电容
-55 25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容(每变频器) *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC74HCT04A
tf
2.7V
1.3V
0.3V
TPLH
90%
输出y
1.3V
10%
tTLH
tr
3.0V
输入A
GND
的TPH1
TTHL
图1.开关波形
TEST
产量
设备
TEST
CL *
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
(该设备的1/6所示)
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HCT04A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.228 0.244
0.010 0.019
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
MC74HCT04A
六反相器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT04A可以用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该HCT04A在引出线的LS04相同。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HCT04AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
A1
1
2
Y1
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HCT
04A
ALYW
HCT04A
AWLYWW
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5V
低输入电流: 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 48场效应管或12个等效门
逻辑图
A2
3
4
Y2
A3
5
6
Y3
-A
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
A4
9
8
Y4
14脚VCC =
PIN 7 = GND
功能表
输入
输出
Y
H
L
A5
11
10
Y5
A
L
H
A6
13
12
Y6
引脚说明: 14引脚封装
( TOP VIEW )
VCC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
订购信息
设备
MC74HCT04AN
MC74HCT04AD
MC74HCT04ADR2
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
MC74HCT04ADT
MC74HCT04ADTR2
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 启示录7
出版订单号:
MC74HCT04A/D
MC74HCT04A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流,每个引脚
ICC
PD
直流电源电流, VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
存储温度范围
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
VIN,VOUT
TA
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度范围,所有封装类型
输入上升/下降时间(图1 )
VCC
– 55
0
+ 125
500
_
C
ns
TR , TF
http://onsemi.com
2
MC74HCT04A
DC特性
(电压参考GND)
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
|电流输出|
4.0mA
4.5
4.5
5.5
|电流输出|
4.0mA
4.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
A
A
V
单位
V
V
V
符号
VIH
VIL
VOH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
条件
VOUT = 0.1V
|电流输出|
20A
VOUT = VCC - 0.1V
|电流输出|
20A
VIN = VIL
|电流输出|
20A
VIN = VIL
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20A
VIN = VIH
IIN
ICC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流(每包)
额外的静态电源
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
VIN = 2.4V ,任何一个输入
–55°C
25至125℃的
VIN = VCC和GND ,其它输入
GND
i
mA
IOUT = 0μA
2.9
2.4
5.5
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
I
CC
AC特性
(VCC = 5.0V
±10%,
CL = 50pF的,输入TR = TF =为6ns )
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
CIN
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和图2)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大输入电容
-55 25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容(每变频器) *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
http://onsemi.com
3
MC74HCT04A
tf
2.7V
1.3V
0.3V
TPLH
90%
输出y
1.3V
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
tr
3.0V
输入A
GND
图1.开关波形
TEST
产量
设备
TEST
CL *
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
(该设备的1/6所示)
http://onsemi.com
4
MC74HCT04A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
六反相器
MC74HCT04A
14
1
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT04A可以用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该HCT04A在引出线的LS04相同。
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5V
低输入电流: 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 48场效应管或12个等效门
14
1
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
逻辑图
1
2
MC74HCTXXAN
MC74HCTXXAD
MC74HCTXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
A1
Y1
A2
3
4
功能表
Y2
输入
A
Y3
-A
L
H
输出
Y
H
L
A3
5
6
A4
9
8
Y4
14脚VCC =
PIN 7 = GND
A5
11
10
Y5
A6
13
12
Y6
引脚说明: 14引脚封装
( TOP VIEW )
VCC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
推荐工作条件
VIN,VOUT
符号
VCC
TL
TR , TF
TA
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
输入上升/下降时间(图1 )
工作温度范围,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
参数
– 55
4.5
0
0
260
+ 125
VCC
最大
500
5.5
单位
最大额定值*
摩托罗拉
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
MC74HCT04A
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VIN
PD
IIN
存储温度范围
在静止空气中的功耗
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
参数
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
价值
±
50
±
25
±
20
750
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
v
v
MC74HCT04A
DC特性
(电压参考GND)
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
|电流输出|
4.0mA
4.5
4.5
5.5
|电流输出|
4.0mA
4.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
1
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
10
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
A
A
V
单位
V
V
V
符号
VIH
VIL
VOH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
VOUT = 0.1V
|电流输出|
20A
VOUT = VCC - 0.1V
|电流输出|
20A
VIN = VIL
|电流输出|
20A
VIN = VIL
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20A
VIN = VIH
IIN
ICC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
额外的静态电源
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
VIN = 2.4V ,任何一个输入
VIN = VCC和GND ,其它输入
IOUT = 0μA
I
CC
–55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
AC特性
(VCC = 5.0V
±10%,
CL = 50pF的,输入TR = TF =为6ns )
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
CIN
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和图2)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大输入电容
-55 25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容(每变频器) *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC74HCT04A
tf
2.7V
1.3V
0.3V
TPLH
90%
输出y
1.3V
10%
tTLH
tr
3.0V
输入A
GND
的TPH1
TTHL
图1.开关波形
TEST
产量
设备
TEST
CL *
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
(该设备的1/6所示)
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HCT04A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
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