MC74HC74A
双D触发器与设置
和RESET
高性能硅栅CMOS
该MC74HC74A在引出线的LS74相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该装置由两个D触发器与个别设置，复位，
和时钟输入。在D输入端的信息被转移到
在时钟的下一个正边沿对应的Q输出
输入。 Q和Q输出都可以从每一个触发器。设置
和复位输入是异步的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HC74AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 128场效应管或32个等效门
无铅包可用
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC74AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
74A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HC74A
ALYWG
14
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录11
1
出版订单号：
MC74HC74A/D
MC74HC74A
引脚分配
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
Q1
Q1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
RESET 2
数据2
钟2
设置2
Q2
Q2
RESET 2
数据2
钟2
设置2
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
逻辑图
1
2
3
4
13
12
11
10
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
9
8
Q2
Q2
5
6
Q1
Q1
功能表
输入
设置复位时钟数据
L
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
H
L
X
X
X
输出
Q
Q
H
L
L
H
H*
H*
H
L
L
H
没有变化
没有变化
没有变化
L
H
*两个输出将维持高位，只要置位和复位低，但输出
国家是不可预测的，如果置位和复位同步走高。
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
直流输出电流，每个引脚
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
300
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
最大额定值
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
V
CC
T
A
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
参数
民
2.0
0
0
0
0
0
最大
6.0
V
CC
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1，图2 ，3）
– 55
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
推荐工作条件
http://onsemi.com
2
MC74HC74A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
80
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
2.0
0.33
0.33
0.33
20
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
±
1.0
±
1.0
mA
mA
I
CC
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
4.8
10
24
28
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
6.0
15
30
35
v
125_C
4.0
8.0
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟到Q或Q
（图1和4 ）
100
75
20
17
105
80
21
18
75
30
15
13
10
125
90
25
21
130
95
26
22
95
40
19
16
10
150
120
30
26
160
130
32
27
110
55
22
19
10
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟，设置或重置为Q或Q
（图2和4）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
32
C
PD
功率耗散电容（每触发器） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
MC74HC74A
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
100
45
20
17
3.0
3.0
3.0
3.0
8.0
8.0
8.0
8.0
75
30
15
13
75
30
15
13
符号
t
su
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
80
35
16
14
v
125_C
120
55
24
20
3.0
3.0
3.0
3.0
8.0
8.0
8.0
8.0
90
40
18
15
90
40
18
15
单位
ns
最小建立时间，数据时钟
（图3）
t
h
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
3.0
3.0
3.0
3.0
8.0
8.0
8.0
8.0
60
25
12
10
60
25
12
10
ns
t
REC
最小恢复时间，设置或复位无效到时钟
（图2）
ns
t
w
最小脉冲宽度，时钟
（图1）
ns
t
w
最小脉冲宽度，设置或重置
（图2）
ns
t
r
, t
f
最大输入上升和下降时间
（图1，图2 ，3）
1000
800
500
400
1000
800
500
400
1000
800
500
400
ns
订购信息
设备
MC74HC74AN
MC74HC74ANG
MC74HC74AD
MC74HC74ADG
MC74HC74ADR2
MC74HC74ADR2G
MC74HC74ADTR2
MC74HC74ADTR2G
MC74HC74AF
MC74HC74AFG
MC74HC74AFEL
MC74HC74AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
航运
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
50单位/铁
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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4
MC74HC74A
双D触发器与设置
和RESET
高性能硅栅CMOS
该MC74HC74A在引出线的LS74相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该装置由两个D触发器与个别设置，复位，
和时钟输入。在D输入端的信息被转移到
在时钟的下一个正边沿对应的Q输出
输入。 Q和Q输出都可以从每一个触发器。设置
和复位输入是异步的。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC74AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HC
74A
ALYW
HC74A
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 128场效应管或32个等效门
逻辑图
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
RESET 2
数据2
钟2
设置2
1
2
3
4
13
12
11
10
9
8
Q2
14脚VCC =
PIN 7 = GND
5
6
Q1
Q1
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
引脚分配
RESET 1
数据1
Q2
时钟1
设置1
Q1
Q1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
RESET 2
数据2
钟2
设置2
Q2
Q2
功能表
输入
设置复位时钟数据
L
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
H
L
X
X
X
输出
Q
Q
H
L
L
H
H*
H*
H
L
L
H
没有变化
没有变化
没有变化
订购信息
设备
MC74HC74AN
MC74HC74AD
MC74HC74ADR2
MC74HC74ADT
MC74HC74ADTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
L
H
*两个输出将维持高位，只要置位和复位低，但输出
国家是不可预测的，如果置位和复位同步走高。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC74A/D
MC74HC74A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
TA
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TR ， TF
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1，图2 ，3）
VCC
– 55
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_
C
ns
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
http://onsemi.com
2
MC74HC74A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125
_
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
0.33
0.33
0.33
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
2.0
±
1.0
20
±
1.0
80
A
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
保证限额
符号
FMAX
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
6.0
15
30
35
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
v
85
_
C
v
125
_
C
4.8
10
24
28
4.0
8.0
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，时钟到Q或Q
（图1和4 ）
100
75
20
17
105
80
21
18
75
30
15
13
10
125
90
25
21
130
95
26
22
95
40
19
16
10
150
120
30
26
160
130
32
27
110
55
22
19
10
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传播延迟，设置或重置为Q或Q
（图2和4）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
32
CPD
功率耗散电容（每触发器） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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