MC74HC595A
8位串行输入/串行或
并行输出移位
与锁存注册
三态输出
高性能硅栅CMOS
该MC74HC595A由一个8位的移位寄存器和一个8位的
D型锁存器与三态并行输出。移位寄存器
接收的串行数据，并提供一个串行输出。移位寄存器还
提供并行数据，以8位锁存器。移位寄存器和锁存
有独立的时钟输入。本装置还具有一个异步
重置的移位寄存器。
该HC595A与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
MC74HC595AN
AWLYYWW
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
无铅包可用*
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
HC595A
AWLYWW
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
HC
595A
ALYW
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年4月 - 9牧师
出版订单号：
MC74HC595A/D
MC74HC595A
逻辑图
串行
数据
输入
A
14
15
1
2
3
移
注册
4
LATCH
5
6
7
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
并行
数据
输出
引脚分配
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q
A
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQ
H
9
SQ
H
串行
数据
产量
V
CC
= 16 PIN
GND = 8 PIN
订购信息
设备
MC74HC595AN
MC74HC595ANG
MC74HC595AD
MC74HC595ADG
MC74HC595ADR2
MC74HC595ADR2G
MC74HC595ADT
MC74HC595ADTR2
MC74HC595AFEL
MC74HC595AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
96单位/铁
2500磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC595A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压，Q
A
Q
H
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
http://onsemi.com
3
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PZL
,
t
PZH
t
PLZ
,
t
PHZ
V
OH
t
PHL
f
最大
V
OL
V
OL
I
CC
I
OZ
I
in
最大传输延迟，输出使能到Q
A
Q
H
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到Q
A
Q
H
（图4和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到Q
A
Q
H
（图3和7）
最大传输延迟，复位到SQ
H
（图2和7）
最大传输延迟，移位时钟，以SQ
H
（图1和7）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
泄漏
目前，Q
A
Q
H
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压， SQ
H
最小高电平输出
电压， SQ
H
最大低电平输出
电压，Q
A
Q
H
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
l
OUT
= 0
mA
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
或V
IL
II
OUT
I
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
或V
IL
II
OUT
I
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
测试条件
http://onsemi.com
|I
OUT
|
v
2.4毫安
II
OUT
I
v
4.0毫安
II
OUT
四5.2毫安
|I
OUT
|
v
2.4毫安
II
OUT
I
v
4.0毫安
II
OUT
四5.2毫安
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
MC74HC595A
4
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
V
CC
V
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55 25_C
- 55 25_C
135
90
27
23
150
100
30
26
140
100
28
24
145
100
29
25
140
100
28
24
6.0
15
30
35
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
2.98
3.98
5.48
0.26
0.26
0.26
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.1
0.1
0.1
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
170
110
34
29
190
125
38
33
175
125
35
30
180
125
36
31
175
125
35
30
4.8
10
24
28
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
2.34
3.84
5.34
0.33
0.33
0.33
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.1
0.1
0.1
40
v
125_C
v
125_C
205
130
41
35
225
150
45
38
210
150
42
36
220
150
44
38
210
150
42
36
4.0
8.0
20
24
±
1.0
±
10
160
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
2.2
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
兆赫
单位
单位
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
V
V
V
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
TLH
,
t
THL
t
TLH
,
t
THL
C
OUT
C
in
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ，Q
A
Q
H
最大输入电容
最大输出转换时间， SQ
H
（图1和7）
最大输出转换时间，Q
A
Q
H
（图3和7）
参数
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
C
PD
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
su
t
w
t
w
t
w
t
h
功率耗散电容（每包） *
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图6）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图1）
最小脉冲宽度，复位
（图2）
最小恢复时间，复位无效到移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入A
（图5）
最小建立时间，移位时钟锁存时钟
（图6）
最小建立时间，串行数据输入A的移位时钟
（图5）
参数
http://onsemi.com
MC74HC595A
5
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
25_C到-55_C
- 55 25_C
1000
800
500
400
5.0
5.0
5.0
5.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
60
45
12
10
75
60
15
13
15
10
75
27
15
13
60
23
12
10
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
300
1000
800
500
400
5.0
5.0
5.0
5.0
65
50
13
11
65
50
13
11
75
60
15
13
65
50
13
11
95
70
19
16
65
50
13
11
15
10
95
32
19
16
75
27
15
13
v
125_C
v
125_C
1000
800
500
400
110
80
22
19
110
36
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
75
60
15
13
90
70
18
15
75
60
15
13
75
60
15
13
15
10
90
31
18
15
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
