MC74HC589A
8位串行或
并行输入/串行输出
移位寄存器具有三态
产量
高性能硅栅CMOS
该MC74HC589A装置由一个8位的存储锁存器的这
馈送并行数据到一个8位的移位寄存器。数据也可以被装载
串行（见功能表） 。移位寄存器的输出，Q
H
是一
使用三态输出，使该装置面向总线的
系统。
该HC589A与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
MC74HC589AN
AWLYYWW
16
16
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
芯片的复杂性： 526场效应管或131.5等效门
无铅包可用*
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
HC589A
AWLYWW
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
HC
589A
ALYW
16
1
SOEIAJ16
CASE 966
1
74HC589A
ALYW
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 第3版
出版订单号：
MC74HC589A/D
MC74HC589A
串行
数据
输入
S
A
14
A
B
并行
数据
输入
C
D
E
F
G
H
锁存时钟
15
1
2
3
4
5
6
7
12
9
串行
数据
Q
H
产量
数据
LATCH
移
注册
V
CC
= 16 PIN
GND = 8 PIN
B
C
D
E
F
G
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
A
S
A
串行移位/
并行加载
锁存时钟
移位时钟
OUTPUT ENABLE
Q
H
移位时钟
11
图2.引脚分配
串行移位/ 13
并行加载
10
OUTPUT ENABLE
图1.逻辑图
订购信息
设备
MC74HC589AN
MC74HC589ANG
MC74HC589AD
MC74HC589ADG
MC74HC589ADR2
MC74HC589ADR2G
MC74HC589ADTR2
MC74HC589AFEL
MC74HC589AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
2000 /箱
2000 /箱
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC589A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
参数
（参考GND）
（参考GND）
（参考GND）
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
CC
)0.5
$20
$35
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
78
112
148
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在85 ° C（注4 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u4000
u200
u1000
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
5.对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
V
CC
直流电源电压
（参考GND）
2.0
0
6.0
V
V
V
in
,
V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图3）
*55
0
0
0
)125
1000
800
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
民
最大
单位
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3
典型参数值7，关于信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
DC电气特性
（参照GND电压，注7 ）
符号
I
CC
I
OZ
I
in
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
最大静态
电源电流
（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
*0.1
V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
*0.1
V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC589A
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
4
V
CC
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
V
*55_C
至25℃
$0.5
$0.1
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.26
0.26
0.26
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
4
保证限额
v85_C
$5.0
$1.0
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.33
0.33
0.33
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
40
v125_C
$1.0
$10
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.40
0.40
0.40
2.20
3.70
5.20
160
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
MC74HC589A
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒，注意8和9）
V
CC
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图4和10 ）
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
6.0
15
30
35
v85_C
4.8
10
24
28
v125_C
4.0
8.0
20
24
单位
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟锁存到Q
H
（图3和图10）
175
100
40
30
160
90
30
25
160
90
30
25
150
80
27
23
150
80
27
23
60
23
12
10
10
15
225
110
50
40
200
130
40
30
200
130
40
30
170
100
30
25
170
100
30
25
75
27
15
13
10
15
275
125
60
50
240
160
48
40
240
160
48
40
200
130
40
30
200
130
40
30
90
31
18
15
10
15
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，移位时钟，以Q
H
（图4和图10）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，串行移位/并行加载到Q
H
（图6和图10）
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
H
（图5和11）
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
H
（图5和11）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图3和图10）
ns
C
in
最大输入电容
pF
pF
C
OUT
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
8.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型参数值9，信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
50
C
PD
功率耗散电容（每包） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载事项，请参见安森美半导体
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
