MC74HC589A
8位串行或
并行输入/串行输出
移位寄存器具有三态
产量
高性能硅栅CMOS
该MC74HC589A装置由一个8位的存储锁存器的这
馈送并行数据到一个8位的移位寄存器。数据也可以被装载
串行（参见功能表） 。所述移位寄存器输出， QH ，是一个
三态输出，从而允许该装置被用于在面向总线的
系统。
该HC589A与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC589AN
AWLYYWW
1
16
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 526场效应管或131.5等效门
逻辑图
串行
数据
输入
SA
14
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
HC589A
AWLYWW
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
HC
589A
ALYW
16
1
引脚分配
A
B
并行
数据
输入
C
D
E
F
G
H
锁存时钟
15
1
2
3
4
5
6
7
12
串行
9
数据
QH
产量
数据
LATCH
移
注册
C
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
D
E
F
G
H
GND
B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A
SA
串行移位/
并行加载
锁存时钟
移位时钟
OUTPUT ENABLE
QH
移位时钟
串行移位/
并行加载
OUTPUT ENABLE
11
13
订购信息
10
设备
MC74HC589AN
MC74HC589AD
MC74HC589ADR2
MC74HC589ADT
MC74HC589ADTR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第1版
出版订单号：
MC74HC589A/D
MC74HC589A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
待定
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
±
1.0
±
1.0
A
http://onsemi.com
2
MC74HC589A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IOZ
参数
测试条件
VCC
V
6.0
- 55
25
_
C
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
10
40
160
单位
A
最大的三态
漏电流
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4
A
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
FMAX
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
6.0
待定
30
35
175
100
40
30
160
90
30
25
160
90
30
25
150
80
27
23
150
80
27
23
v
85
_
C
v
125
_
C
4.8
待定
24
28
225
110
50
40
200
130
40
30
200
130
40
30
170
100
30
25
170
100
30
25
4.0
待定
20
24
275
125
60
50
240
160
48
40
240
160
48
40
200
130
40
30
200
130
40
30
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图2和8）的
兆赫
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，时钟锁存到QH
（图1和8）的
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，移位时钟为QH
（图2和8）的
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，串行移位/并行加载到QH
（图4和8）的
ns
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
60
待定
12
10
10
15
75
待定
15
13
10
15
90
待定
18
15
10
15
ns
CIN
最大输入电容
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每包） *
50
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
th
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图4）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图1）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入SA
（图6）
最小保持时间，时钟锁存到A -H
（图5）
最小建立时间，串行移位/并行加载到移位时钟
（图7）
最小建立时间，串行数据输入SA到移位时钟
（图6）
最小建立时间，A -H锁存时钟
（图5）
参数
http://onsemi.com
MC74HC589A
4
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1000
待定
500
400
80
待定
16
14
80
待定
16
14
75
待定
15
13
25
待定
5
5
5
5
5
5
100
待定
20
17
100
待定
20
17
100
待定
20
17
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
1000
待定
500
400
95
待定
19
16
30
待定
6
6
100
待定
20
17
100
待定
20
17
125
待定
25
21
125
待定
25
21
125
待定
25
21
5
5
5
5
1000
待定
500
400
40
待定
8
7
120
待定
24
20
120
待定
24
20
150
待定
30
26
150
待定
30
26
150
待定
30
26
5
5
5
5
110
待定
23
19
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
8位串行或并行输入/
串行输出移位寄存器
具有三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC589是在功能上与HC597 ，这是不相似的
三态装置。该器件输入与标准CMOS兼容
输出，与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
此装置由该馈送并行数据到一个8位的存储锁存器的
一个8位的移位寄存器。数据也可以串行方式加载（参见功能表） 。
移位寄存器输出， QH ，是一个三态输出，允许这台设备
在面向总线的系统中使用。
在HC589与摩托罗拉SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 526场效应管或131.5等效门
MC54/74HC589
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC54HCXXXJ
MC74HCXXXN
MC74HCXXXD
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
逻辑图
串行
数据
输入
SA
14
B
C
D
E
A
B
并行
数据
输入
C
D
E
F
G
H
锁存时钟
15
1
2
3
4
5
6
7
12
9
QH
串行
数据
产量
数据
LATCH
移
注册
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
F
G
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A
SA
串行移位/
并行加载
锁存时钟
移位时钟
OUTPUT ENABLE
QH
移位时钟
串行移位/
并行加载
OUTPUT ENABLE
11
13
10
10/95
摩托罗拉公司1995年
3–1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
VIN = VCC或GND
6.0
8
80
160
A
IOUT = 0
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC589
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
IOZ
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
3–2
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
– 55
民
2.0
价值
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.5
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
5.0
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
v
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
±
10
v
单位
A
A
V
V
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
FMAX
CPD
COUT
CIN
功率耗散电容（每包） *
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
最大传输延迟，移位时钟为QH
（图2和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到QH
（图1和8）的
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图2和8）的
参数
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
最大传输延迟，串行移位/并行加载到QH
（图4和8）的
3–3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
150
30
26
150
30
26
175
35
30
175
35
30
210
42
36
6.0
30
35
15
10
60
12
10
保证限额
190
38
33
190
38
33
220
44
37
220
44
37
265
53
45
4.8
24
28
15
10
75
15
13
50
225
45
38
225
45
38
265
53
45
265
53
45
315
63
54
4.0
20
24
15
10
90
18
15
v
85
_
C
v
125
_
C
MC54/74HC589
摩托罗拉
兆赫
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
LR =锁存寄存器的内容
SR =移位寄存器的内容
一个小时=在并行数据的数据输入A -H
D =数据（ L，H）在串行数据输入的SA
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
MC54/74HC589
在加载数据的并行数据
锁存器和串行数据移位
到移位寄存器
串行数据移位到移位
注册
加载并行数据转换成
数据锁存器和移
注册
输入锁存的内容
和移位寄存器的
不变
转让锁存器的内容来
移位寄存器
加载并行数据转换成
数据锁存器
力输出到高
阻抗状态
符号
TR ， TF
TSU
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
th
手术
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图4）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图1）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入SA
（图6）
最小保持时间，时钟锁存到A -H
（图5）
最小建立时间，串行移位/并行加载到移位时钟
（图7）
最小建立时间，串行数据输入SA到移位时钟
（图6）
最小建立时间，A -H锁存时钟
（图5）
产量
启用
H
L
L
L
L
L
L
串行移位/
并行加载
参数
H
H
H
H
X
L
L
L，H，
L，H，
LATCH
时钟
输入
X
X
功能表
L，H，
L，H，
移
时钟
3–4
X
X
X
U =不变
X =无关
Z =高阻抗
* =取决于锁存时钟输入
串行
输入
SA
D
D
X
X
X
X
X
并行
输入
A-H
VCC
V
A-H
A-H
A-H
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
X
X
X
X
数据
LATCH
目录
- 55
25
_
C
1000
500
400
100
20
17
100
20
17
100
20
17
A-H
A-H
A-H
80
16
14
80
16
14
80
16
14
25
5
5
5
5
5
U
U
X
*
保证限额
得到的函数
v
85
_
C
v
125
_
C
SRA = D ，
SRN
→
SRN+1
SRA = D ，
SRN
→
SRN+1
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
LRN
→
SRN
1000
500
400
100
20
17
100
20
17
100
20
17
125
25
21
125
25
21
125
25
21
30
6
6
移
注册
目录
5
5
5
A-H
U
U
X
1000
500
400
120
24
20
120
24
20
120
24
20
150
30
26
150
30
26
150
30
26
40
8
7
5
5
5
SRG
→
SRH
SRG
→
SRH
产量
QH
LRH
U
U
Z
h
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC589A
8位串行或
并行输入/串行输出
移位寄存器具有三态
产量
高性能硅栅CMOS
该MC74HC589A装置由一个8位的存储锁存器的这
馈送并行数据到一个8位的移位寄存器。数据也可以被装载
串行（参见功能表） 。所述移位寄存器输出， QH ，是一个
三态输出，从而允许该装置被用于在面向总线的
系统。
该HC589A与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC589AN
AWLYYWW
1
16
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 526场效应管或131.5等效门
逻辑图
串行
数据
输入
SA
14
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
HC589A
AWLYWW
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
HC
589A
ALYW
16
1
引脚分配
A
B
并行
数据
输入
C
D
E
F
G
H
锁存时钟
15
1
2
3
4
5
6
7
12
串行
9
数据
QH
产量
数据
LATCH
移
注册
C
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
D
E
F
G
H
GND
B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A
SA
串行移位/
并行加载
锁存时钟
移位时钟
OUTPUT ENABLE
QH
移位时钟
串行移位/
并行加载
OUTPUT ENABLE
11
13
订购信息
10
设备
MC74HC589AN
MC74HC589AD
MC74HC589ADR2
MC74HC589ADT
MC74HC589ADTR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第1版
出版订单号：
MC74HC589A/D
MC74HC589A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
待定
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
±
1.0
±
1.0
A
http://onsemi.com
2
MC74HC589A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IOZ
参数
测试条件
VCC
V
6.0
- 55
25
_
C
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
10
40
160
单位
A
最大的三态
漏电流
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4
A
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
FMAX
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
6.0
待定
30
35
175
100
40
30
160
90
30
25
160
90
30
25
150
80
27
23
150
80
27
23
v
85
_
C
v
125
_
C
4.8
待定
24
28
225
110
50
40
200
130
40
30
200
130
40
30
170
100
30
25
170
100
30
25
4.0
待定
20
24
275
125
60
50
240
160
48
40
240
160
48
40
200
130
40
30
200
130
40
30
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图2和8）的
兆赫
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，时钟锁存到QH
（图1和8）的
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，移位时钟为QH
（图2和8）的
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，串行移位/并行加载到QH
（图4和8）的
ns
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
60
待定
12
10
10
15
75
待定
15
13
10
15
90
待定
18
15
10
15
ns
CIN
最大输入电容
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每包） *
50
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
th
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图4）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图1）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入SA
（图6）
最小保持时间，时钟锁存到A -H
（图5）
最小建立时间，串行移位/并行加载到移位时钟
（图7）
最小建立时间，串行数据输入SA到移位时钟
（图6）
最小建立时间，A -H锁存时钟
（图5）
参数
http://onsemi.com
MC74HC589A
4
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1000
待定
500
400
80
待定
16
14
80
待定
16
14
75
待定
15
13
25
待定
5
5
5
5
5
5
100
待定
20
17
100
待定
20
17
100
待定
20
17
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
1000
待定
500
400
95
待定
19
16
30
待定
6
6
100
待定
20
17
100
待定
20
17
125
待定
25
21
125
待定
25
21
125
待定
25
21
5
5
5
5
1000
待定
500
400
40
待定
8
7
120
待定
24
20
120
待定
24
20
150
待定
30
26
150
待定
30
26
150
待定
30
26
5
5
5
5
110
待定
23
19
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
8位串行或并行输入/
串行输出移位寄存器
具有三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC589是在功能上与HC597 ，这是不相似的
三态装置。该器件输入与标准CMOS兼容
输出，与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
此装置由该馈送并行数据到一个8位的存储锁存器的
一个8位的移位寄存器。数据也可以串行方式加载（参见功能表） 。
移位寄存器输出， QH ，是一个三态输出，允许这台设备
在面向总线的系统中使用。
在HC589与摩托罗拉SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 526场效应管或131.5等效门
MC54/74HC589
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC54HCXXXJ
MC74HCXXXN
MC74HCXXXD
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
逻辑图
串行
数据
输入
SA
14
B
C
D
E
A
B
并行
数据
输入
C
D
E
F
G
H
锁存时钟
15
1
2
3
4
5
6
7
12
9
QH
串行
数据
产量
数据
LATCH
移
注册
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
F
G
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A
SA
串行移位/
并行加载
锁存时钟
移位时钟
OUTPUT ENABLE
QH
移位时钟
串行移位/
并行加载
OUTPUT ENABLE
11
13
10
10/95
摩托罗拉公司1995年
3–1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
VIN = VCC或GND
6.0
8
80
160
A
IOUT = 0
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC589
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
IOZ
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
3–2
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
– 55
民
2.0
价值
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.5
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
5.0
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
v
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
±
10
v
单位
A
A
V
V
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
FMAX
CPD
COUT
CIN
功率耗散电容（每包） *
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
最大传输延迟，输出使能到QH
（图3和9）
最大传输延迟，移位时钟为QH
（图2和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到QH
（图1和8）的
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图2和8）的
参数
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
最大传输延迟，串行移位/并行加载到QH
（图4和8）的
3–3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
150
30
26
150
30
26
175
35
30
175
35
30
210
42
36
6.0
30
35
15
10
60
12
10
保证限额
190
38
33
190
38
33
220
44
37
220
44
37
265
53
45
4.8
24
28
15
10
75
15
13
50
225
45
38
225
45
38
265
53
45
265
53
45
315
63
54
4.0
20
24
15
10
90
18
15
v
85
_
C
v
125
_
C
MC54/74HC589
摩托罗拉
兆赫
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
LR =锁存寄存器的内容
SR =移位寄存器的内容
一个小时=在并行数据的数据输入A -H
D =数据（ L，H）在串行数据输入的SA
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
MC54/74HC589
在加载数据的并行数据
锁存器和串行数据移位
到移位寄存器
串行数据移位到移位
注册
加载并行数据转换成
数据锁存器和移
注册
输入锁存的内容
和移位寄存器的
不变
转让锁存器的内容来
移位寄存器
加载并行数据转换成
数据锁存器
力输出到高
阻抗状态
符号
TR ， TF
TSU
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
th
手术
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图4）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图1）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入SA
（图6）
最小保持时间，时钟锁存到A -H
（图5）
最小建立时间，串行移位/并行加载到移位时钟
（图7）
最小建立时间，串行数据输入SA到移位时钟
（图6）
最小建立时间，A -H锁存时钟
（图5）
产量
启用
H
L
L
L
L
L
L
串行移位/
并行加载
参数
H
H
H
H
X
L
L
L，H，
L，H，
LATCH
时钟
输入
X
X
功能表
L，H，
L，H，
移
时钟
3–4
X
X
X
U =不变
X =无关
Z =高阻抗
* =取决于锁存时钟输入
串行
输入
SA
D
D
X
X
X
X
X
并行
输入
A-H
VCC
V
A-H
A-H
A-H
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
X
X
X
X
数据
LATCH
目录
- 55
25
_
C
1000
500
400
100
20
17
100
20
17
100
20
17
A-H
A-H
A-H
80
16
14
80
16
14
80
16
14
25
5
5
5
5
5
U
U
X
*
保证限额
得到的函数
v
85
_
C
v
125
_
C
SRA = D ，
SRN
→
SRN+1
SRA = D ，
SRN
→
SRN+1
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
LRN
→
SRN
1000
500
400
100
20
17
100
20
17
100
20
17
125
25
21
125
25
21
125
25
21
30
6
6
移
注册
目录
5
5
5
A-H
U
U
X
1000
500
400
120
24
20
120
24
20
120
24
20
150
30
26
150
30
26
150
30
26
40
8
7
5
5
5
SRG
→
SRH
SRG
→
SRH
产量
QH
LRH
U
U
Z
h
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
