MC74HC574A
八路三态同相
D触发器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC574A在引出线的LS574是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
满足建立时间数据的时钟与输出
上升的时钟的边缘。输出使能输入不影响
触发器的状态，但是当输出使能为高电平时，所有的设备
输出被强制为高阻抗状态。因此，数据可以是
在未启用的输出，甚至存储。
该HC574A是相同的函数来HC374A但具有
从输出到触发器输入端上的包装件的另一侧
方便的PC板布局。
特点
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记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC574A
AWLYYWWG
MC74HC574AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
无铅包可用
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
574A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC574A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HC574A/D
MC74HC574A
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
（注1 ）
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$35
$35
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
67
96
128
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
>4000
>300
>1000
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
$300
mA
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
6.对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
I
闭锁
闭锁性能
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
, V
O
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压，输出电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图3 ）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
参数
（参考GND）
（参考GND）
民
2.0
0
*55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
)125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高或低逻辑输入电压电平。
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3
MC74HC574A
订购信息
设备
MC74HC574AN
MC74HC574ANG
MC74HC574ADW
MC74HC574ADWG
MC74HC574ADWR2
MC74HC574ADWR2G
MC74HC574ADTR2
MC74HC574ADTR2G
MC74HC574AF
MC74HC574AFG
MC74HC574AFEL
MC74HC574AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/箱
18单位/箱
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
*55
至25℃
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
V
OH
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
V
in
= V
CC
或GND
$0.1
$0.5
$1.0
$5.0
$1.0
$10
mA
mA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4.0
40
160
mA
典型参数值8的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
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4
MC74HC574A
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的;输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图3和6）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
*55
至25℃
6.0
15
30
35
v85_C
4.8
10
24
28
v125_C
4.0
8.0
20
24
单位
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟到Q
（图3和6）
160
105
32
27
150
100
30
26
140
90
28
24
60
27
12
10
10
15
200
145
40
34
190
125
38
33
175
120
35
30
75
32
15
13
10
15
240
190
48
41
225
150
45
38
210
140
42
36
90
36
18
15
10
15
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
（图4和7 ）
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
（图4和7 ）
2.0
3.0
4.5
60
2.0
3.0
4.5
6.0
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图3和6）
ns
C
in
最大输入电容
pF
pF
C
OUT
最大三态输出电容，输出高阻
状态
9.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
24
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
时序要求
(C
L
= 50 pF的;输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
V
CC
符号
t
su
参数
科幻gure
5
伏
2.0
3.0
4.6
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25_C
民
50
40
10
9.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
最大
v
85_C
民
65
50
13
11
最大
v
125_C
民
75
60
15
13
最大
单位
ns
最小建立时间，数据时钟
t
h
最小保持时间，时钟到数据
5
5.0
5.0
5.0
5.0
95
80
19
16
5.0
5.0
5.0
5.0
ns
t
w
最小脉冲宽度，时钟
3
110
90
22
19
ns
t
r
, t
f
最大输入上升和下降时间
3
1000
800
500
400
1000
800
500
400
1000
800
500
400
ns
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
