摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态同相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC573A在引出线的LS573是相同的。该装置是
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们是
与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能变低，
满足建立和保持时间的数据变得锁定。
该HC573A是在功能上与HCT373A相同但具有数据
从输出端输入在包装的相反侧以便于个人电脑
电路板布局。
该HC573A是HC563A的非反相版本。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 218场效应管或54.5等效门
MC54/74HC573A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948E -02
20
1
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXADW
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
LATCH ENABLE
OUTPUT ENABLE
2
3
4
5
6
7
8
9
11
1
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
19
18
17
16
15
14
13
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
引脚分配
产量
启用
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LATCH
启用
10/96
摩托罗拉公司1996年
设计标准
价值
54.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
0.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
LATCH
启用
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
X =无关
Z =高阻抗
第七版
MC54/74HC573A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： -6.1毫瓦/ ° C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VIH
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
18
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
U I
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
V
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
v
v
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC573A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VOL
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125
_
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
0.33
0.33
0.33
单位
U I
V
最大低电平输出
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
v
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
v
v
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
VIN = VCC或GND
±
0.1
±
1.0
±
1.0
–
10
A
A
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IIoutI = 0
A
–
0.5
–
5.0
ICC
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
150
100
30
26
160
105
32
27
150
100
30
26
150
100
30
26
60
27
12
10
10
15
v
85
_
C
v
125
_
C
190
140
38
33
200
145
40
34
190
125
38
33
190
125
38
33
75
32
15
13
10
15
225
180
45
38
240
190
48
41
225
150
45
38
225
150
45
38
90
36
18
15
10
15
单位
U I
ns
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
ns
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
ns
CIN
最大输入电容
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（输出高阻抗状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
23
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（ P·E BL D 2 O
i
（每启用输出） *
)*
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
摩托罗拉
MC54/74HC573A
符号
S B升
TR ， TF
TSU
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
参数
P
图。
Fi
1
2
4
4
4
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
50
40
10
9.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
1000
800
500
400
最大
民
5.0
5.0
5.0
5.0
95
80
19
16
65
50
13
11
保证限额
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
民
110
90
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
单位
U I
ns
ns
ns
ns
MC74HC573A
八路三态同相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC573A在引出线的LS573是相同的。该器件
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据满足建立和保持时间变得锁定。
该HC573A是在功能上与HC373A相同但具有数据
从输出端输入的包的相对侧上，以方便
PC板布局。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HC573AN
AWLYYWW
1
20
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 218场效应管或54.5等效门
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948E
HC573A
AWLYYWW
20
HC
573A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74HC573AN
MC74HC573ADW
MC74HC573ADWR2
MC74HC573ADT
MC74HC573ADTR2
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 修订版9
出版订单号：
MC74HC573A/D
MC74HC573A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： -6.1毫瓦/ ° C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
18
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
v
V
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
v
v
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
http://onsemi.com
3
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
VOL
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压
功率耗散电容（每启用输出） *
最大三态输出电容（输出高阻抗
状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
参数
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IIoutI = 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC573A
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
4
v
v
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
–
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
150
100
30
26
150
100
30
26
160
105
32
27
150
100
30
26
4.0
0.1
0.1
0.1
15
10
60
27
12
10
保证限额
保证限额
–
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
190
125
38
33
190
125
38
33
200
145
40
34
190
140
38
33
0.1
0.1
0.1
15
10
75
32
15
13
40
±
1.0
–
10
225
150
45
38
225
150
45
38
240
190
48
41
225
180
45
38
160
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
15
10
90
36
18
15
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
23
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
参数
http://onsemi.com
MC74HC573A
图。
1
2
4
4
5
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
50
40
10
9.0
75
60
15
13
1000
800
500
400
最大
保证限额
民
5.0
5.0
5.0
5.0
95
80
19
16
65
50
13
11
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
民
110
90
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
单位
ns
ns
ns
ns
MC74HC573A
八路三态同相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC573A在引出线的LS573是相同的。该器件
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据满足建立和保持时间变得锁定。
该HC573A是在功能上与HC373A相同但具有数据
从输出端输入的包的相对侧上，以方便
PC板布局。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC573A
AWLYYWWG
MC74HC573AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 218场效应管或54.5等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
573A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC573A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 11牧师
出版订单号：
MC74HC573A/D
MC74HC573A
引脚分配
产量
启用
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LATCH
启用
设计标准
内门数*
内门Progation延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门。
价值
54.5
1.5
5.0
0.0075
单位
EA 。
ns
mW
pJ
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
LATCH
启用
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
数据
输入
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
LATCH ENABLE
OUTPUT ENABLE
2
3
4
5
6
7
8
9
11
1
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
19
18
17
16
15
14
13
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
L
H
L
H
L
L
H
X
X =无关
Z =高阻抗
订购信息
设备
MC74HC573AN
MC74HC573ANG
MC74HC573ADW
MC74HC573ADWG
MC74HC573ADWR2
MC74HC573ADWR2G
MC74HC573ADT
MC74HC573ADTG
MC74HC573ADTR2
MC74HC573ADTR2G
MC74HC573AFEL
MC74HC573AFELG
包
PDIP20
SOIC20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC573A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
直流输出电流，每个引脚
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： -6.1毫瓦/ ° C来自65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
民
2.0
0
0
0
0
最大
6.0
V
CC
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
– 55
+ 125
1000
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
- 55
25_C
v
85_C
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
18
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
1.0
±
1.0
– 10
mA
mA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
II
OUT
I = 0
mA
– 0.5
– 5.0
I
CC
6.0
4.0
40
160
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
http://onsemi.com
3
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
PZL
,
t
PZH
t
PLZ
,
t
PHZ
C
OUT
C
in
最大三态输出电容（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
参数
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
时序要求
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
C
PD
t
r
, t
f
t
su
t
w
t
h
功率耗散电容（每启用输出） *
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
参数
http://onsemi.com
MC74HC573A
科幻gure
1
2
4
4
4
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2
F +我
- 55 25_C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
50
40
10
9.0
75
60
15
13
CC
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
1000
800
500
400
最大
保证限额
- 55 25_C
v
85_C
v
125_C
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
保证限额
150
100
30
26
150
100
30
26
160
105
32
27
150
100
30
26
15
10
60
27
12
10
民
5.0
5.0
5.0
5.0
95
80
19
16
65
50
13
11
v
85_C
1000
800
500
400
最大
23
190
125
38
33
190
125
38
33
200
145
40
34
190
140
38
33
15
10
75
32
15
13
民
110
90
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
v
125_C
225
150
45
38
225
150
45
38
240
190
48
41
225
180
45
38
15
10
90
36
18
15
1000
800
500
400
最大
单位
单位
ns
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
