MC74HC541A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/线
接收器
高性能硅栅CMOS
http://onsemi.com
该MC74HC541A在引出线的LS541是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容。外部上拉
电阻使其与LSTTL输出兼容。
该HC541A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线
接收器设计成与3态存储器地址驱动器一起使用，
时钟驱动器，以及其它面向总线的系统。该设备的特点
在包装和2与运算的相对侧上的输入和输出
低电平有效输出使能。
该HC541A是在功能上与HC540A ，其具有类似
反相输出。
特点
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC541A
AWLYYWWG
MC74HC541AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
541A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC541A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 第4版
出版订单号：
MC74HC541A/D
MC74HC541A
V
CC
OE2
20
19
Y1
18
Y2
17
Y3
16
Y4
15
Y5
14
Y6
13
Y7
12
Y8
11
OE1
L
L
H
X
功能表
输入
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
输出y
1
OE1
2
A1
3
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
10
GND
图1.引脚： 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
X =无关
Z =高阻抗
A1
A2
A3
数据
输入
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
同相
输出
输出OE1 1
使OE2
19
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
图2.逻辑图
订购信息
设备
MC74HC541AN
MC74HC541ANG
MC74HC541ADW
MC74HC541ADWG
MC74HC541ADWR2
MC74HC541ADWR2G
MC74HC541ADT
MC74HC541ADTG
MC74HC541ADTR2
MC74HC541ADTR2G
MC74HC541AF
MC74HC541AFG
MC74HC541AFEL
MC74HC541AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC541A
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压（注1 ）
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
I
v )0.5
*0.5 v
V
O
v )0.5
$20
$35
$35
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
67
96
128
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
> 4000
＆ GT ; 300
＆ GT ; 1000
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
1.
2.
3.
4.
5.
6.
闭锁性能
mA
I
O
绝对最大额定值必须遵守。
经测试， EIA / JESD22 - A114 -A 。
经测试， EIA / JESD22 - A115 -A 。
经测试JESD22 - C101 -A 。
经测试， EIA / JESD78 。
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
直流电源电压
参数
（参考GND）
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
IN
,
V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
CC
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（图3）
*55
0
0
0
)125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
http://onsemi.com
3
MC74HC541A
DC特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
条件
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
3.6毫安
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
3.6毫安
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
*55
to
25_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
$0.1
$0.5
v85_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
$1.0
$5.0
v125_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
$1.0
$10.0
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= V
CC
0.1 V
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出电压
V
IN
= V
IL
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
IN
= V
IL
V
V
OL
最大低电平输出电压
V
IN
= V
IH
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
IN
= V
IH
I
IN
I
OZ
最大输入漏电流
最大三态泄漏电流
V
IN
= V
CC
或GND
输出高阻态
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4
40
160
mA
典型参数值8的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图3和5 ）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
*55
to
25_C
80
30
18
15
110
45
25
21
110
45
25
21
60
22
12
10
10
15
v85_C
100
40
23
20
140
60
31
26
140
60
31
26
75
28
15
13
10
15
v125_C
120
55
28
25
165
75
38
31
165
75
38
31
90
34
18
15
10
15
单位
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图4和6）
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图4和6）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图3和5 ）
ns
C
IN
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容（高阻抗状态输出）
pF
pF
9.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） （注10 ）
2
f
35
pF
10.用于确定在无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
+ I
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
