MC74HC540A
八路三态反相
缓冲器/线路驱动器/线
接收器
高性能硅栅CMOS
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该MC74HC540A在引出线的LS540是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容。外部上拉
电阻使其与LSTTL输出兼容。
该HC540A是一个八进制反相缓冲器/线路驱动器/接收器线
设计成与3态存储器地址驱动器一起使用，时钟
驱动程序，以及其它面向总线的系统。该器件具有输入
并且在包装和2相与的相对侧的输出
低电平有效输出使能。
该HC540A是在功能上与HC541A ，其具有类似
同相输出。
特点
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC540A
AWLYYWWG
MC74HC540AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 124场效应管或31个等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
540A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC540A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 9牧师
出版订单号：
MC74HC540A/D
MC74HC540A
V
CC
OE2
20
19
Y1
18
Y2
17
Y3
16
Y4
15
Y5
14
Y6
13
Y7
12
Y8
11
OE1
L
L
H
X
功能表
输入
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
H
L
Z
Z
输出y
1
OE1
2
A1
3
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
10
GND
Z =高阻抗
X =无关
图1.引脚： 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
A1
A2
A3
数据
输入
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
反相
输出
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
图2.逻辑图
订购信息
设备
MC74HC540AN
MC74HC540ANG
MC74HC540ADW
MC74HC540ADWG
MC74HC540ADWR2
MC74HC540ADWR2G
MC74HC540ADTR2
MC74HC540ADTR2G
MC74HC540AF
MC74HC540AFG
MC74HC540AFEL
MC74HC540AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC540A
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压（注1 ）
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5 v
V
O
v
V
CC
)0.5
$20
$35
$35
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
67
96
128
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
UL 94 V0在0.125 @
u2000
u200
u1000
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
CC
直流电源电压
（参考GND）
2.0
0
6.0
V
V
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图3 ）
*55
0
0
0
)125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
民
最大
单位
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3
MC74HC540A
DC特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
条件
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
3.6毫安
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
3.6毫安
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
-55
25°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
±10.0
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= V
CC
0.1 V
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
in
= V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
≤
20
mA
V
in
= V
IH
I
in
I
OZ
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
6.0
4
40
160
mA
典型参数值7，关于信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图3和5 ）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
-55
25°C
80
30
18
15
110
45
25
21
110
45
25
21
60
22
12
10
10
≤85°C
100
40
23
20
140
60
31
26
140
60
31
26
75
28
15
13
10
≤125°C
120
55
28
25
165
75
38
31
165
75
38
31
90
34
18
15
10
单位
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图4和6）
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图4和6）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图3和5 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
C
OUT
最大三态输出电容（输出处于高阻态）
15
15
15
pF
8.对于传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
35
功率耗散电容（每缓冲器） （注9 ）
pF
C
PD
2
F +我
9.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
MC74HC540A
t
r
90%
输入A
t
PHL
90%
输出y
t
THL
50%
10%
t
TLH
输出y
50%
10%
t
PLH
t
PZH
50%
高
阻抗
GND
t
f
V
CC
t
PZL
输出y
50%
10%
t
PHZ
90%
V
OH
V
OL
t
PLZ
OE1或OE2
50%
V
CC
50%
GND
高
阻抗
图3.开关波形
图4.开关波形
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1kW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图5.测试电路
7其他逆变器
一八
逆变器
输入A
V
CC
图6.测试电路
输出y
OE1
OE2
图7.逻辑详细
引脚说明
输入
A1，A2， A3，A4， A5，A6， A7，A8 （引脚2 ，3，4 ，5，6 ，7，8 ，9）
数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在倒置形式
上对应的Y输出端，当输出
启用。
控制
OE1 ， OE2 （引脚1 ， 19 ）
设备作为一个反相器。当高电压是
加于输入端时，输出假定的高
阻抗状态。
输出
Y1，Y2， Y3，Y4， Y5， Y6， Y7 ，Y8 （引脚18 ，17， 16 ，15， 14 ，
13, 12, 11)
输出使能（低电平有效） 。当一个低电压
同时适用于这些引脚，输出被使能，并且
设备的输出。根据输出的状态
使能引脚，这些输出或者反相输出或
高阻抗输出。
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5
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