摩托罗拉
半导体技术资料
1 -OF- 16解码器/多路解复用器
与地址锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4514是相同的引脚排列到MC14514B金属门
CMOS器件。该器件输入与标准CMOS兼容
输出，与上拉电阻;它们与LSTTL输出兼容。
该装置由一个4位锁存器的存储与一个锁存使能和芯片
选择输入。当一个低电平信号被施加到所述锁存使能输入端，所述
地址被存储，并进行解码。当片选输入为高电平时，所有
16输出被强制为低电平。
片选输入提供方便的片选， demultiplex-
荷兰国际集团和级联功能。
解复用的功能是通过使用地址输入完成
选择所需的设备的输出，然后通过使用芯片选择作为
数据输入。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 268场效应管或67个等效门
24
MC74HC4514
SUF科幻X
塑料包装
CASE 724-03
1
24
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751E -04
订购信息
MC74HCXXXXN
MC74HCXXXXDW
塑料
SOIC
引脚分配
LATCH
启用
A0
A1
Y7
Y6
Y5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
芯片
SELECT
A3
A2
Y10
Y11
Y8
Y9
Y14
Y15
Y12
Y13
逻辑图
11
9
10
8
7
6
5
4
18
17
20
19
14
13
16
15
Y4
Y3
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y1
Y2
Y0
GND
A0
二进制
地址
输入
A1
A2
A3
LATCH
启用
2
3
21
4–BIT
存储
LATCH
4–TO–16
LINE
解码器
高电平有效
输出
1
芯片
SELECT
PIN 24 = VCC
PIN 12 = GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
最大额定值*
MC74HC4514
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ）
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
塑料DIP
SOIC封装
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
价值
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
2
±
50
±
25
±
20
260
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
8
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
80
v
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
160
v
单位
A
A
V
V
V
V
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
符号
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
CIN
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，锁存使能到输出Y
（图3和5 ）
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图2和5）
最大传输延迟，芯片选择到输出Y
（图1和5）
参数
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
175
35
30
230
46
39
175
35
30
230
46
39
175
35
30
10
75
15
13
保证限额
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
CPD
TR ， TF
TSU
tw
th
功率耗散电容（每包） *
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，锁存使能
（图3）
最小保持时间，锁存使能输入一个
（图4）
最小建立时间，输入A的锁存使能
（图4）
参数
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
1000
500
400
100
20
17
80
16
14
5
5
5
保证限额
1000
500
400
100
20
17
125
25
21
220
44
37
290
58
49
220
44
37
290
58
49
220
44
37
10
95
19
16
70
5
5
5
1000
500
400
120
24
20
150
30
26
265
53
45
345
69
59
265
53
45
345
69
59
265
53
45
110
22
19
10
5
5
5
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
MC74HC4514
摩托罗拉
单位
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC4514
功能表
地址输入
LATCH
启用
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
L
芯片
SELECT
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
A3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
A2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
选
产量
（高）
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
所有
输出= L
LATCHED
数据
引脚说明
地址输入
A0，A1， A2，A3 （引脚2 ， 3 ，21， 22）的
地址输入。这些输入被解码，以产生
高层次上的16个输出之一。输入端被布置
这样的A3是最-显著位和A0是least-
显著位。二进制输入的十进制等效值
地址指示其中的16个数据输出端，Y 0 - Y 15 ，是
选择。
输出
Y 0 - Y 15 （引脚11 ， 9，10， 8,7 ， 6,5 ，4， 18 ，17， 20 ， 19 ，14，
13, 16, 15)
高电平有效输出。这些输出端产生高电平
选中时（锁存使能= H ，片选= L ），并在
低电平时，未选中状态。
控制输入
锁存使能（引脚1 ）
锁存使能输入。在此输入的低电平存储
在4位锁存器中的地址数据的输入数据。高
在锁存使能输入电平，使透明锁存器
并允许输出跟随输入。注意，数据
被锁存仅当锁存使能输入是在一个较低的水平。
片选（引脚23 ）
片选输入。在此输入的高生产水平低
在所有的输出，无论是什么出现在地址或者
锁存使能输入。在片选输入一个低电平
使所选择的输出，以产生一个较高的水平。
时序图
输入A
LATCH ENABLE
芯片选择
输出y
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
1 -OF- 16解码器/多路解复用器
与地址锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4514是相同的引脚排列到MC14514B金属门
CMOS器件。该器件输入与标准CMOS兼容
输出，与上拉电阻;它们与LSTTL输出兼容。
该装置由一个4位锁存器的存储与一个锁存使能和芯片
选择输入。当一个低电平信号被施加到所述锁存使能输入端，所述
地址被存储，并进行解码。当片选输入为高电平时，所有
16输出被强制为低电平。
片选输入提供方便的片选， demultiplex-
荷兰国际集团和级联功能。
解复用的功能是通过使用地址输入完成
选择所需的设备的输出，然后通过使用芯片选择作为
数据输入。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 268场效应管或67个等效门
24
MC74HC4514
SUF科幻X
塑料包装
CASE 724-03
1
24
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751E -04
订购信息
MC74HCXXXXN
MC74HCXXXXDW
塑料
SOIC
引脚分配
LATCH
启用
A0
A1
Y7
Y6
Y5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
芯片
SELECT
A3
A2
Y10
Y11
Y8
Y9
Y14
Y15
Y12
Y13
逻辑图
11
9
10
8
7
6
5
4
18
17
20
19
14
13
16
15
Y4
Y3
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y1
Y2
Y0
GND
A0
二进制
地址
输入
A1
A2
A3
LATCH
启用
2
3
21
4–BIT
存储
LATCH
4–TO–16
LINE
解码器
高电平有效
输出
1
芯片
SELECT
PIN 24 = VCC
PIN 12 = GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
最大额定值*
MC74HC4514
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ）
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
塑料DIP
SOIC封装
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
价值
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
2
±
50
±
25
±
20
260
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
8
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
80
v
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
160
v
单位
A
A
V
V
V
V
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
符号
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
CIN
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，锁存使能到输出Y
（图3和5 ）
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图2和5）
最大传输延迟，芯片选择到输出Y
（图1和5）
参数
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
175
35
30
230
46
39
175
35
30
230
46
39
175
35
30
10
75
15
13
保证限额
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
CPD
TR ， TF
TSU
tw
th
功率耗散电容（每包） *
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，锁存使能
（图3）
最小保持时间，锁存使能输入一个
（图4）
最小建立时间，输入A的锁存使能
（图4）
参数
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
1000
500
400
100
20
17
80
16
14
5
5
5
保证限额
1000
500
400
100
20
17
125
25
21
220
44
37
290
58
49
220
44
37
290
58
49
220
44
37
10
95
19
16
70
5
5
5
1000
500
400
120
24
20
150
30
26
265
53
45
345
69
59
265
53
45
345
69
59
265
53
45
110
22
19
10
5
5
5
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
MC74HC4514
摩托罗拉
单位
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC4514
功能表
地址输入
LATCH
启用
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
L
芯片
SELECT
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
A3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
A2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
选
产量
（高）
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
所有
输出= L
LATCHED
数据
引脚说明
地址输入
A0，A1， A2，A3 （引脚2 ， 3 ，21， 22）的
地址输入。这些输入被解码，以产生
高层次上的16个输出之一。输入端被布置
这样的A3是最-显著位和A0是least-
显著位。二进制输入的十进制等效值
地址指示其中的16个数据输出端，Y 0 - Y 15 ，是
选择。
输出
Y 0 - Y 15 （引脚11 ， 9，10， 8,7 ， 6,5 ，4， 18 ，17， 20 ， 19 ，14，
13, 16, 15)
高电平有效输出。这些输出端产生高电平
选中时（锁存使能= H ，片选= L ），并在
低电平时，未选中状态。
控制输入
锁存使能（引脚1 ）
锁存使能输入。在此输入的低电平存储
在4位锁存器中的地址数据的输入数据。高
在锁存使能输入电平，使透明锁存器
并允许输出跟随输入。注意，数据
被锁存仅当锁存使能输入是在一个较低的水平。
片选（引脚23 ）
片选输入。在此输入的高生产水平低
在所有的输出，无论是什么出现在地址或者
锁存使能输入。在片选输入一个低电平
使所选择的输出，以产生一个较高的水平。
时序图
输入A
LATCH ENABLE
芯片选择
输出y
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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