MC74HC4316A
四路模拟开关/
复用器/解复用器
与独立的模拟和
数字电源
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4316A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
关信道泄漏电流。这种双向开关/多路复用器/
信号分离器控制的模拟和数字电压是可以变化
在整个模拟电源电压范围（从V
CC
到V
EE
).
该HC4316A是在功能上与金属栅CMOS类似
MC14016和MC14066 ，并以高速CMOS HC4066A 。
每个器件有四个独立的开关。设备控制和
使输入与标准CMOS输出兼容;同
上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。该装置
已经被设计成使得在ON电阻（R
ON
）是更
线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟
开关。提供逻辑电平转换器，使开/关
控制和使能逻辑电平电压只需要为V
CC
和GND
当开关被传递的信号V之间的范围
CC
和V
EE
.
当使能引脚（低电平有效）为高电平时，所有四个模拟开关
关闭。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC4316AN
AWLYYWWG
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
74HC4316A
ALYWG
HC4316AG
AWLYWW
逻辑电平转换器的开/关控制和使能输入
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（V
CC
V
EE
） = 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围
(V
CC
GND ） = 2.0 V至6.0 V ，V独立
EE
导通电阻的线性度提高
芯片的复杂性： 66场效应管或16.5等效门
这些器件是无铅，无卤素，符合RoHS标准
订购信息
设备
MC74HC4316ANG
MC74HC4316ADR2G
MC74HC4316AFELG
包
PDIP16
（无铅）
航运
500单位/箱
SOIC - 16 2500 / Tape&Reel
（无铅）
SOEIAJ16
（无铅）
50/Tape&Reel
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年5月
启示录7
1
出版订单号：
MC74HC4316A/D
MC74HC4316A
最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
I
P
D
参数
正直流电源电压
（参考到GND）
（参考文献到V
EE
)
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 14.0
- 7.0 + 0.5
V
EE
– 0.5
到V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
- 65至+ 150
260
单位
V
V
V
V
mA
mW
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
负直流电源电压（参考到GND）
模拟输入电压
DC输入电压（参考到GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP *
EIAJ / SOIC封装*
TSSOP封装*
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
*降额
塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
V
IO
*
T
A
t
r
, t
f
参数
正直流电源电压（参考到GND）
负直流电源电压（参考到GND）
模拟输入电压
数字输入电压（参考到GND）
在开关的静态或动态电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（控制或使能输入）
（图10 ）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
– 6.0
V
EE
GND
– 55
0
0
0
0
最大
6.0
GND
V
CC
V
CC
1.2
+ 125
1000
600
500
400
单位
V
V
V
V
V
°C
ns
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
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3
MC74HC4316A
DC电气特性
数字部分（电压参考GND ）V
EE
= GND除非另有说明
保证限额
符号
V
IH
参数
最小高电平电压，控制
或使能输入
测试条件
R
on
=每规格
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
- 55
25°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
±
0.1
v
85°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
±
1.0
v
125°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
±
1.0
单位
V
V
IL
最大低电平电压，控制
或使能输入
R
on
=每规格
V
I
in
I
CC
最大输入漏电流，
控制或使能输入
最大静态电源电流
（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
EE
= – 6.0 V
V
in
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
V
EE
= GND
V
EE
= – 6.0
mA
mA
6.0
6.0
2
4
20
40
40
160
DC电气特性
模拟部分（电压参考V
EE
)
保证限额
符号
R
on
参数
最大“开”电阻
测试条件
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到V
EE
I
S
v
2.0毫安（图3 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
（端点）
I
S
v
2.0毫安（图3 ）
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大断通道
泄漏电流，在任何一
通道
最大导通通道
泄漏电流，在任何一
通道
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
V
EE
)
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或V
EE
开关关闭（图4 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
（图5）
V
CC
V
2.0*
45
4.5
6.0
2.0
4.5
4.5
6.0
2.0
4.5
4.5
6.0
6.0
V
EE
V
- 55
25°C
160
90
90
90
70
70
20
15
15
0.1
v
85°C
200
110
110
115
90
90
25
20
20
0.5
v
125°C
240
130
130
140
105
105
30
25
25
1.0
单位
W
0.0
0.0
4.5
6.0
0.0
0.0
4.5
6.0
0.0
0.0
– 4.5
– 6.0
– 6.0
W
I
关闭
mA
I
on
6.0
– 6.0
0.1
0.5
1.0
mA
*在电源电压（V
CC
V
EE
）上的开关电阻接近2.0V的模拟变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
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4
MC74HC4316A
四路模拟开关/
复用器/解复用器
与独立的模拟和
数字电源
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4316A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
关信道泄漏电流。这种双向开关/多路复用器/
信号分离器控制的模拟和数字电压是可以变化
在整个模拟电源电压范围（从V
CC
到V
EE
).
该HC4316A是在功能上与金属栅CMOS类似
MC14016和MC14066 ，并以高速CMOS HC4066A 。
每个器件有四个独立的开关。设备控制和
使输入与标准CMOS输出兼容;同
上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。该装置
已经被设计成使得在ON电阻（R
ON
）是更
线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟
开关。提供逻辑电平转换器，使开/关
控制和使能逻辑电平电压只需要为V
CC
和GND
当开关被传递的信号V之间的范围
CC
和V
EE
.
当使能引脚（低电平有效）为高电平时，所有四个模拟开关
关闭。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
HC139AG
AWLYWW
MC74HC139AN
AWLYYWWG
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
74HC139A
ALYWG
逻辑电平转换器的开/关控制和使能输入
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（V
CC
V
EE
） = 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围
(V
CC
- GND ） = 2.0 V至6.0 V ，V独立
EE
导通电阻的线性度提高
芯片的复杂性： 66场效应管或16.5等效门
无铅包可用*
订购信息
设备
MC74HC4316AN
MC74HC4316ANG
MC74HC4316ADR2
MC74HC4316ADR2G
MC74HC4316AFEL
MC74HC4316AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
航运
500单位/箱
500单位/箱
2500/Tape&Reel
SOIC - 16 2500 / Tape&Reel
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
50/Tape&Reel
50/Tape&Reel
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2005年6月 - 第4版
出版订单号：
MC74HC4316A/D
MC74HC4316A
最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考到GND）
（参考文献到V
EE
)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 14.0
- 7.0 + 0.5
V
EE
– 0.5
到V
CC
+ 0.5
负直流电源电压（参考到GND）
模拟输入电压
DC输入电压（参考到GND）
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
直流电流流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
mA
P
D
塑料DIP *
EIAJ / SOIC封装*
TSSOP封装*
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
°C
°C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
*降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
参数
民
2.0
最大
6.0
单位
V
V
V
V
V
正直流电源电压（参考到GND）
负直流电源电压（参考到GND）
模拟输入电压
– 6.0
V
EE
GND
V
CC
V
CC
1.2
数字输入电压（参考到GND）
GND
V
IO
*
T
A
在开关的静态或动态电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（控制或使能输入）
（图10 ）
– 55
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
°C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
http://onsemi.com
3
MC74HC4316A
保证限额
v
85°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
- 55
25°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
v
125°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
单位
V
最小高电平电压，控制
或使能输入
R
on
=每规格
V
IL
最大低电平电压，控制
或使能输入
R
on
=每规格
V
I
in
最大输入漏电流，
控制或使能输入
V
in
= V
CC
或GND
V
EE
= – 6.0 V
±
0.1
±
1.0
±
1.0
mA
mA
I
CC
最大静态电源电流
（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
EE
= GND
V
IO
= 0 V
V
EE
= – 6.0
6.0
6.0
2
4
20
40
40
160
注意：
典型参数值的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
DC电气特性
数字部分（电压参考GND ）V
EE
= GND除非另有说明
DC电气特性
模拟部分（电压参考V
EE
)
保证限额
v
85°C
200
110
110
115
90
90
25
20
20
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
2.0*
45
4.5
6.0
2.0
4.5
4.5
6.0
2.0
4.5
4.5
6.0
6.0
V
EE
V
- 55
25°C
160
90
90
90
70
70
20
15
15
v
125°C
240
130
130
140
105
105
30
25
25
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到V
EE
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
0.0
0.0
4.5
6.0
0.0
0.0
4.5
6.0
0.0
0.0
– 4.5
– 6.0
– 6.0
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
（端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
V
EE
)
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或V
EE
开关（图3 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
（图4）
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大断通道
泄漏电流，在任何一
通道
最大导通通道
泄漏电流，在任何一
通道
W
I
关闭
0.1
0.5
1.0
mA
I
on
6.0
– 6.0
0.1
0.5
1.0
mA
注意：
典型参数值的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
*在电源电压（V
CC
V
EE
）上的开关电阻接近2.0V的模拟变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
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4
MC74HC4316A
保证限额
v
85°C
50
8
7
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
参数
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25°C
40
6
5
v
125°C
60
9
8
单位
ns
最大传输延迟，控制或启用以模拟输出
（图10和11）
最大传输延迟，控制或启用以模拟输出
（图10和11）
最大电容
130
40
30
140
40
30
10
160
50
40
175
50
40
10
200
60
50
250
60
50
10
ns
ns
对/ O FF控制
和使能输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
35
35
35
穿心
1.0
1.0
1.0
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
15
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
pF
C
PD
2
F +我
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
V
CC
。对于负载事项，请参阅第一章2of的
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，控制或启用吨
r
= t
f
= 6纳秒，V
EE
= GND）
符号
BW
参数
测试条件
V
CC
V
V
EE
V
限制*
25°C
150
160
160
单位
最大的同频带宽
or
最低频率响应
（图5）
关通道穿心
隔离
（图6）
f
in
= 1 MHz的正弦波
调整F
in
电压，以获得0 dBm的在V
OS
增加F
in
频率，直到分贝仪
读 - 3分贝
R
L
= 50
W,
C
L
= 10 pF的
f
in
正弦波
调整F
in
电压，以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫，R
L
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1.0兆赫，R
L
= 50
W,
C
L
= 10 pF的
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
兆赫
– 50
– 50
– 50
– 40
– 40
– 40
60
130
200
30
65
100
dB
穿心噪声，以控制
开关
（图7）
V
in
v
1 MHz的方波（T
r
= t
f
= 6纳秒）
调整R
L
在安装程序，这样我
S
= 0 A
R
L
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
R
L
= 10 KW ，C
L
= 10 pF的
mV
PP
任意两点间的串扰
开关
（图12）
f
in
正弦波
调整F
in
电压，以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫，R
L
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1.0兆赫，R
L
= 50
W,
C
L
= 10 pF的
– 70
– 70
– 70
– 80
– 80
– 80
dB
THD
总谐波失真
（图14）
f
in
= 1千赫，R
L
= 10 KW ，C
L
= 50 pF的
总谐波失真THD =
测
THD
来源
V
IS
= 4.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 8.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 11.0 V
PP
正弦波
%
2.25
4.50
6.00
– 2.25
– 4.50
– 6.00
0.10
0.06
0.04
*没有测试极限。由设计决定，并经资格验证。
额外的应用特性
（ GND = 0V）
http://onsemi.com
5
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