MC74HC4066A
四路模拟开关/
复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
F F
c
h的N N é升L E A K A G权证ü R R简吨。牛逼H I S B I L一T E R A升s W I T C H /
多路复用器/多路分用器控制模拟和数字电压即
可在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该HC4066A是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14016和MC14066 。每个器件有四个独立的开关。
该设备被设计所以ON电阻（R
ON
）更
线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟
开关。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
对于电压电平转换器模拟开关，看到HC4316A 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HC4066AN
AWLYYWWG
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC4066AG
AWLYWW
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 12.0 V
模拟输入电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 12.0 V
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
无铅包可用
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC40
66A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HC4066A
ALYWG
14
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启8
1
出版订单号：
MC74HC4066A/D
MC74HC4066A
引脚分配
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF控制
C ON / OFF控制
逻辑图
X
A
A ON / OFF控制
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF控制
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
2
Y
A
X
D
Y
D
Y
C
X
C
X
B
B ON / OFF控制
3
Y
B
类似物
输出/输入
GND
X
C
C ON / OFF控制
9
Y
C
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
X
D
D ON / OFF控制
10
Y
D
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
订购信息
设备
MC74HC4066AN
MC74HC4066ANG
MC74HC4066AD
MC74HC4066ADG
MC74HC4066ADR2
MC74HC4066ADR2G
MC74HC4066ADTR2
MC74HC4066ADTR2G
MC74HC4066AFEL
MC74HC4066AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC4066A
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
- 0.5 + 14.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
mA
塑料DIP
EIAJ / SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
°C
°C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
●降额
塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/°C， 65 °至125°C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
T
A
参数
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
12.0
V
CC
V
CC
1.2
GND
GND
V
IO
*
t
r
, t
f
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
输入端（图10）
–55
0
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
250
°C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 9.0 V
V
CC
= 12.0 V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以被绘制;即，电流从开关的可
同时包含V
CC
并切换输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
V
CC
V
保证限额
v
85°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
符号
V
IH
参数
测试条件
- 55
25°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
v
125°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
IL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
V
I
in
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
12.0
±
0.1
2
4
±
1.0
20
40
±
1.0
40
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源电流
（每包）
6.0
12.0
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
http://onsemi.com
3
MC74HC4066A
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
保证限额
v
85°C
160
85
85
85
60
60
25
20
20
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25°C
120
70
70
70
50
50
20
15
15
v
125°C
200
100
100
120
80
80
30
25
25
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
GND ）
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关（图3 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
W
I
关闭
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
I
on
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（图4）
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
在电源电压（V
CC
）上的开关电阻接近3V的模拟变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
保证限额
v
85°C
50
40
13
13
13
90
70
38
28
28
90
50
32
32
32
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
- 55
25°C
40
30
10
10
10
80
60
30
25
25
80
45
25
25
25
10
v
125°C
60
50
15
15
15
单位
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
110
80
45
30
30
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
100
60
37
37
37
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
15
C
PD
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
pF
2
F +我
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，ON / OFF控制输入：吨
r
= t
f
= 6纳秒）
http://onsemi.com
4
MC74HC4066A
四路模拟开关/
复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
关信道泄漏电流。这种双向开关/
多路复用器/多路分用器控制模拟和数字电压即
可在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该HC4066A是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14016和MC14066 。每个器件有四个独立的开关。
该设备被设计所以ON电阻（R
ON
）更
线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟
开关。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
对于电压电平转换器模拟开关，看到HC4316A 。
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0至12.0伏
模拟输入电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0至12.0伏
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
逻辑图
X
A
A ON / OFF控制
X
B
B ON / OFF控制
X
C
C ON / OFF控制
X
D
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
10
Y
D
9
Y
C
类似物
输出/输入
3
Y
B
2
Y
A
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
14
DIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC4066AN
AWLYYWW
1
14
SO–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
74HC4066A
ALYW
HC40
66A
ALYW
HC4066A
AWLYWW
引脚分配
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF控制
C ON / OFF控制
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF控制
D ON / OFF控制
X
D
Y
D
Y
C
X
C
GND
订购信息
设备
MC74HC4066AN
MC74HC4066ADR2
MC74HC4066ADT
MC74HC4066ADTR2
包
DIP–14
SO–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年6月 - 修订版5
出版订单号：
MC74HC4066A/D
MC74HC4066A
最大额定值*
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
- 0.5 + 14.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
mA
P
D
塑料DIP
EIAJ / SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
°C
°C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
参数
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
12.0
V
CC
V
CC
1.2
GND
GND
–
V
IO
*
T
A
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
输入端（图10）
–55
0
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
250
°C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 9.0 V
V
CC
= 12.0 V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以被绘制;即，电流从开关的可
同时包含V
CC
并切换输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
保证限额
v
85°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
v
125°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
IL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
V
I
in
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
12.0
±
0.1
2
4
±
1.0
20
40
±
1.0
40
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源电流（每包）
6.0
12.0
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
http://onsemi.com
2
MC74HC4066A
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
保证限额
v
85°C
–
–
160
85
85
–
–
85
60
60
–
25
20
20
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25°C
–
–
120
70
70
–
–
70
50
50
–
20
15
15
v
125°C
–
–
200
100
100
–
–
120
80
80
–
30
25
25
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND （端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
- GND ）
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关（图3 ）
W
I
关闭
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
I
on
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（图4）
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
在电源电压（V
CC
）上的开关电阻接近3V的模拟变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，ON / OFF控制输入：吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85°C
50
40
13
13
13
90
70
38
28
28
90
50
32
32
32
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
- 55
25°C
40
30
10
10
10
80
60
30
25
25
80
45
25
25
25
10
v
125°C
60
50
15
15
15
单位
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
–
–
–
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
110
80
45
30
30
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
100
60
37
37
37
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
15
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HC4066A
400
350
300
RON @ 2 V
250
200
150
100
50
0
0.00
+25
°C
+125°C
–55°C
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
V
is
，输入电压（伏） ，以地为参考
图1a。典型导通电阻，V
CC
= 2.0 V
200
180
160
RON （3 V）
140
120
100
80
60
40
20
+25
°C
+125°C
–55°C
0
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 1.80 2.00 2.20 2.40 2.60 2.80 3.00
V
is
，输入电压（伏） ，以地为参考
图1b。典型导通电阻，V
CC
= 3.0 V
200
180
160
RON @ 4.5 V
140
120
100
80
60
40
20
0
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
+25
°C
+125°C
–55°C
V
is
，输入电压（伏） ，以地为参考
图1c 。典型导通电阻，V
CC
= 4.5 V
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
产品预览
四路模拟开关/
复用器/解复用器
MC54/74HC4066A
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低OFF-
信道的泄漏电流。这个双向开关/多路复用器/多路分解器
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源范围（ VCC和GND ） 。
该HC4066A是在引出线的金属栅CMOS MC14016相同
与MC14066 。每个器件有四个独立的开关。该装置
已经被设计成使得在ON电阻（ RON）是更
线性的输入电压高于金属栅CMOS模拟开关罗恩。
这个装置是在这两个功能和引脚到HC4016A相同。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS输出兼容;
与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。对于模拟
开关与电压电平转换器，看到HC4316A 。
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（ VCC - GND ）= 2.0 12.0伏特
模拟输入电压范围（ VCC - GND ） = 2.0 12.0伏特
改进的线性度和低导通电阻比输入电压比
该MC14016或MC14066或HC4016A
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
逻辑图
14
1
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC54HCXXXXAJ
MC74HCXXXXAN
MC74HCXXXXAD
MC74HCXXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
XA
XA
A ON / OFF控制
XB
B ON / OFF控制
XC
C ON / OFF控制
XD
D ON / OFF控制
1
2
YA
YA
YB
XB
B ON / OFF
控制
C ON / OFF
控制
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
A ON / OFF
控制
D ON / OFF
控制
XD
YD
YC
XC
13
4
3
YB
类似物
输出/输入
5
8
9
YC
功能表
对/ O FF控制
输入
态的
模拟开关
关闭
On
6
11
10
YD
L
H
12
模拟输入/输出= XA ， XB ， XC ， XD
14脚VCC =
PIN 7 = GND
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 0
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
VIN = VCC或GND
6.0
2
20
40
A
VIO = 0 V
12.0
4
40
160
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
ns
输入端（图10）
VCC = 2.0 V
0
1000
VCC = 3.0 V
0
600
VCC = 4.5 V
0
500
VCC = 9.0 V
0
400
VCC = 12.0 V
0
250
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（上开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC4066A
符号
符号
符号
VCC
TSTG
VIS
VIO *
VCC
VIN
PD
TL
TR ， TF
VIS
VIN
ICC
TA
VIH
VIL
I
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电流流入或流出的任何引脚
数字输入电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
正直流电源电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
在开关的静态或动态电压
数字输入电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
正直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
罗恩=每规格
罗恩=每规格
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 + 14.0
- 65至+ 150
2
GND
GND
– 55
民
2.0
—
价值
±
25
260
300
750
500
450
+ 125
VCC
VCC
12.0
最大
1.2
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
12.0
单位
单位
mW
mA
_
C
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
v
±
1.0
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
v
单位
A
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
在电源电压（VCC ）接近3V的接通电阻变得极其非线性模拟。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
R
on
tPLH的，
的TPH1
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
罗恩
CPD
离子
IOFF
C
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大“开”电阻
最大电容
参数
参数
VIN = VIH
VIS = VCC或GND
（图4）
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的，ON / OFF控制输入： TR = TF = 6纳秒）
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
VIN = VIH
VIS = 1/2（ VCC - GND ）
IS
2.0毫安
VIN = VIL
VIO = VCC或GND
开关（图3 ）
VIN = VIH
VIS = VCC或GND （端点）
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
VIN = VIH
VIS = VCC和GND
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
v
v
v
测试条件
ON / OFF控制输入
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
3
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
12.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
—
—
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
—
—
120
70
70
0.1
0.1
35
1.0
—
20
15
15
—
—
70
50
30
10
80
45
20
20
20
80
60
20
20
20
40
30
5
5
5
保证限额
保证限额
—
—
160
85
85
0.5
0.5
35
1.0
—
25
20
20
—
—
85
60
60
10
90
50
25
25
25
90
70
25
25
25
50
40
7
7
7
15
—
—
100
80
80
—
—
200
100
100
100
60
30
30
30
110
80
35
35
35
1.0
1.0
35
1.0
—
30
25
25
10
60
50
8
8
8
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
MC54/74HC4066A
摩托罗拉
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
*未经测试，保证极限。由设计决定，并经资格验证。
摩托罗拉
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
MC54/74HC4066A
符号
THD
BW
—
—
—
总谐波失真
（图14）
任意两个交换机之间的串扰
（图12）
穿心噪声，以控制
开关
（图7）
关通道穿心隔离
（图6）
最大导通通道带宽或
最低频率响应
（图5）
参数
鳍= 1 MHz的正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VOS
增加散热片频率，直到分贝计的读数 - 3分贝
RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍= 1千赫，RL = 10 kΩ的， CL = 50 pF的
THD = THDmeasured - THDsource
VIS = 4.0 VPP正弦波
VIS = 8.0 VPP正弦波
VIS = 11.0 VPP正弦波
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
VIN
1 MHz的方波（ TR = TF = 6纳秒）
调整RL的设置，使IS = 0
RL = 600
,
CL = 50 pF的
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
v
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
4
测试条件
RL = 10 kΩ的， CL = 10 pF的
VCC
V
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
限制*
25
_
C
54/74HC
0.10
0.06
0.04
– 80
– 80
– 80
– 70
– 70
– 70
– 40
– 40
– 40
– 50
– 50
– 50
30
65
100
60
130
200
150
160
160
mVpp的
兆赫
单位
dB
dB
%
摩托罗拉
半导体技术资料
超前信息
四路模拟开关/
复用器/解复用器
MC54/74HC4066A
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低OFF-
信道的泄漏电流。这个双向开关/多路复用器/多路分解器
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源范围（ VCC和GND ） 。
该HC4066A是在引出线的金属栅CMOS MC14016相同
与MC14066 。每个器件有四个独立的开关。该装置
已经被设计成使得在ON电阻（ RON）是更
线性的输入电压高于金属栅CMOS模拟开关罗恩。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
对于电压电平转换器模拟开关，看到HC4316A 。
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（ VCC - GND ）= 2.0 12.0伏特
模拟输入电压范围（ VCC - GND ） = 2.0 12.0伏特
改进的线性度和低导通电阻比输入电压比
该MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
逻辑图
1
2
14
1
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC54HCXXXXAJ
MC74HCXXXXAN
MC74HCXXXXAD
MC74HCXXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
XA
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
A ON / OFF
控制
D ON / OFF
控制
XD
YD
YC
XC
XA
A ON / OFF控制
XB
B ON / OFF控制
XC
C ON / OFF控制
XD
D ON / OFF控制
YA
YA
YB
XB
B ON / OFF
控制
C ON / OFF
控制
GND
13
4
3
YB
类似物
输出/输入
5
8
9
YC
功能表
6
11
10
对/ O FF控制
输入
YD
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
12
模拟输入/输出= XA ， XB ， XC ， XD
14脚VCC =
PIN 7 = GND
本文件包含的新产品信息。规格书中信息如有
更改，恕不另行通知。
12/97
摩托罗拉1997年公司
1
修订版0.1
MC54/74HC4066A
最大额定值*
符号
VCC
VIS
VIN
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
- 0.5 + 14.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
25
750
500
450
mA
PD
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
v
v
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
VCC
VIS
VIN
TA
参数
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
12.0
GND
GND
—
VCC
VCC
1.2
VIO *
TR ， TF
工作温度，所有封装类型
– 55
+ 125
推荐工作条件
_
C
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
ns
输入端（图10）
VCC = 2.0 V
0
1000
VCC = 3.0 V
0
600
VCC = 4.5 V
0
500
VCC = 9.0 V
0
400
VCC = 12.0 V
0
250
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（上开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
保证限额
S B升
符号
VIH
P
参数
T
试验C迪我
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
U I
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
罗恩=每规格
VIL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
罗恩=每规格
V
IIN
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
最大静态电源
电流（每包）
VIN = VCC或GND
12.0
±
0.1
±
1.0
±
1.0
A
VIN = VCC或GND
6.0
2
20
40
A
VIO = 0 V
12.0
4
40
160
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
ICC
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC4066A
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
保证限额
符号
S B升
罗恩
参数
P
试验C迪我
T
条件
- 55
25
_
C
—
—
120
70
70
—
—
70
50
30
—
20
15
15
v
85
_
C
v
125
_
C
—
—
160
85
85
—
—
85
60
60
—
25
20
20
—
—
200
100
100
—
—
100
80
80
—
30
25
25
单位
U I
最大“开”电阻
VIN = VIH
VIS = VCC和GND
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
v
v
VIN = VIH
VIS = VCC或GND （端点）
IS
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
R
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
VIN = VIH
VIS = 1/2（ VCC - GND ）
IS
2.0毫安
v
IOFF
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
VIN = VIL
VIO = VCC或GND
开关（图3 ）
VIN = VIH
VIS = VCC或GND
（图4）
12.0
0.1
0.5
1.0
A
离子
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
12.0
0.1
0.5
1.0
A
在电源电压（VCC ）接近3V的接通电阻变得极其非线性模拟。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的，ON / OFF控制输入： TR = TF = 6纳秒）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
—
—
—
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
- 55
25
_
C
40
30
5
5
5
80
60
20
20
20
80
45
20
20
20
10
v
85
_
C
v
125
_
C
50
40
7
7
7
90
70
25
25
25
90
50
25
25
25
10
60
50
8
8
8
单位
U I
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
110
80
35
35
35
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
100
60
30
30
30
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功耗
P
迪I I电容（ P S I H）（网络连接
i
（每开关） （图13 ） *
15
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HC4066A
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
测试条件
VCC
V
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
限制*
25
_
C
54/74HC
150
160
160
单位
最大导通通道带宽或
最低频率响应
（图5）
关通道穿心隔离
（图6）
鳍= 1 MHz的正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VOS
增加散热片频率，直到分贝计的读数 - 3分贝
RL = 50
,
CL = 10 pF的
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
兆赫
—
– 50
– 50
– 50
– 40
– 40
– 40
60
130
200
30
65
100
dB
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
—
穿心噪声，以控制
开关
（图7）
VIN
1 MHz的方波（ TR = TF = 6纳秒）
调整RL的设置，使IS = 0
RL = 600
,
CL = 50 pF的
v
mVpp的
RL = 10 kΩ的， CL = 10 pF的
—
任意两个交换机之间的串扰
（图12）
鳍
正弦波
调整鳍片电压，以获得0 dBm的在VIS
翅片= 10 kHz时， RL = 600
,
CL = 50 pF的
– 70
– 70
– 70
– 80
– 80
– 80
dB
翅片= 1.0兆赫，RL = 50
,
CL = 10 pF的
THD
总谐波失真
（图14）
鳍= 1千赫，RL = 10 kΩ的， CL = 50 pF的
THD = THDmeasured - THDsource
VIS = 4.0 VPP正弦波
VIS = 8.0 VPP正弦波
VIS = 11.0 VPP正弦波
%
4.5
9.0
12.0
0.10
0.06
0.04
*未经测试，保证极限。由设计决定，并经资格验证。
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HC4066A
四路模拟开关/
复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
关信道泄漏电流。这种双向开关/
多路复用器/多路分用器控制模拟和数字电压即
可在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该HC4066A是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14016和MC14066 。每个器件有四个独立的开关。
该设备被设计所以ON电阻（R
ON
）更
线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟
开关。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
对于电压电平转换器模拟开关，看到HC4316A 。
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0至12.0伏
模拟输入电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0至12.0伏
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
逻辑图
X
A
A ON / OFF控制
X
B
B ON / OFF控制
X
C
C ON / OFF控制
X
D
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
10
Y
D
9
Y
C
类似物
输出/输入
3
Y
B
2
Y
A
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
14
DIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC4066AN
AWLYYWW
1
14
SO–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
74HC4066A
ALYW
HC40
66A
ALYW
HC4066A
AWLYWW
引脚分配
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF控制
C ON / OFF控制
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF控制
D ON / OFF控制
X
D
Y
D
Y
C
X
C
GND
订购信息
设备
MC74HC4066AN
MC74HC4066ADR2
MC74HC4066ADT
MC74HC4066ADTR2
包
DIP–14
SO–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年6月 - 修订版5
出版订单号：
MC74HC4066A/D
MC74HC4066A
最大额定值*
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
- 0.5 + 14.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
mA
P
D
塑料DIP
EIAJ / SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
°C
°C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
参数
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
12.0
V
CC
V
CC
1.2
GND
GND
–
V
IO
*
T
A
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
输入端（图10）
–55
0
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
250
°C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 9.0 V
V
CC
= 12.0 V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以被绘制;即，电流从开关的可
同时包含V
CC
并切换输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
保证限额
v
85°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
v
125°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
IL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
V
I
in
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
12.0
±
0.1
2
4
±
1.0
20
40
±
1.0
40
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源电流（每包）
6.0
12.0
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
http://onsemi.com
2
MC74HC4066A
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
保证限额
v
85°C
–
–
160
85
85
–
–
85
60
60
–
25
20
20
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25°C
–
–
120
70
70
–
–
70
50
50
–
20
15
15
v
125°C
–
–
200
100
100
–
–
120
80
80
–
30
25
25
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND （端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
- GND ）
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关（图3 ）
W
I
关闭
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
I
on
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（图4）
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
在电源电压（V
CC
）上的开关电阻接近3V的模拟变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，ON / OFF控制输入：吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85°C
50
40
13
13
13
90
70
38
28
28
90
50
32
32
32
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
- 55
25°C
40
30
10
10
10
80
60
30
25
25
80
45
25
25
25
10
v
125°C
60
50
15
15
15
单位
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
–
–
–
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
110
80
45
30
30
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
100
60
37
37
37
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
15
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
MC74HC4066A
400
350
300
RON @ 2 V
250
200
150
100
50
0
0.00
+25
°C
+125°C
–55°C
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
V
is
，输入电压（伏） ，以地为参考
图1a。典型导通电阻，V
CC
= 2.0 V
200
180
160
RON （3 V）
140
120
100
80
60
40
20
+25
°C
+125°C
–55°C
0
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 1.80 2.00 2.20 2.40 2.60 2.80 3.00
V
is
，输入电压（伏） ，以地为参考
图1b。典型导通电阻，V
CC
= 3.0 V
200
180
160
RON @ 4.5 V
140
120
100
80
60
40
20
0
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
+25
°C
+125°C
–55°C
V
is
，输入电压（伏） ，以地为参考
图1c 。典型导通电阻，V
CC
= 4.5 V
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