MC74HC4066A
四路模拟开关/
复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4066A利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低
F F
c
h的N N é升L E A K A G权证ü R R简吨。牛逼H I S B I L一T E R A升s W I T C H /
多路复用器/多路分用器控制模拟和数字电压即
可在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该HC4066A是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14016和MC14066 。每个器件有四个独立的开关。
该设备被设计所以ON电阻（R
ON
）更
线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟
开关。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
对于电压电平转换器模拟开关，看到HC4316A 。
特点
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记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HC4066AN
AWLYYWWG
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC4066AG
AWLYWW
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 12.0 V
模拟输入电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 12.0 V
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性： 44场效应管或11个等效门
无铅包可用
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC40
66A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HC4066A
ALYWG
14
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启8
1
出版订单号：
MC74HC4066A/D
MC74HC4066A
引脚分配
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF控制
C ON / OFF控制
逻辑图
X
A
A ON / OFF控制
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF控制
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
2
Y
A
X
D
Y
D
Y
C
X
C
X
B
B ON / OFF控制
3
Y
B
类似物
输出/输入
GND
X
C
C ON / OFF控制
9
Y
C
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
X
D
D ON / OFF控制
10
Y
D
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
订购信息
设备
MC74HC4066AN
MC74HC4066ANG
MC74HC4066AD
MC74HC4066ADG
MC74HC4066ADR2
MC74HC4066ADR2G
MC74HC4066ADTR2
MC74HC4066ADTR2G
MC74HC4066AFEL
MC74HC4066AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC4066A
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
- 0.5 + 14.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
mA
塑料DIP
EIAJ / SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
°C
°C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
●降额
塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/°C， 65 °至125°C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
T
A
参数
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
正直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压（参考GND）
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
12.0
V
CC
V
CC
1.2
GND
GND
V
IO
*
t
r
, t
f
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间，ON / OFF控制
输入端（图10）
–55
0
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
250
°C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 9.0 V
V
CC
= 12.0 V
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以被绘制;即，电流从开关的可
同时包含V
CC
并切换输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
DC电气特性
数字部分（电压参考GND）
V
CC
V
保证限额
v
85°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
符号
V
IH
参数
测试条件
- 55
25°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
v
125°C
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
单位
V
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
IL
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
R
on
=每规格
V
I
in
最大输入漏电流
ON / OFF控制输入
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
12.0
±
0.1
2
4
±
1.0
20
40
±
1.0
40
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源电流
（每包）
6.0
12.0
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
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3
MC74HC4066A
DC电气特性
模拟部分（电压参考GND）
保证限额
v
85°C
160
85
85
85
60
60
25
20
20
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
- 55
25°C
120
70
70
70
50
50
20
15
15
v
125°C
200
100
100
120
80
80
30
25
25
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（端点）
I
S
v
2.0毫安（图1，图2 ）
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
GND ）
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关（图3 ）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
W
I
关闭
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
I
on
在最大信道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
（图4）
12.0
0.1
0.5
1.0
mA
在电源电压（V
CC
）上的开关电阻接近3V的模拟变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作中，建议这些设备只被用于控制数字信号。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
保证限额
v
85°C
50
40
13
13
13
90
70
38
28
28
90
50
32
32
32
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
- 55
25°C
40
30
10
10
10
80
60
30
25
25
80
45
25
25
25
10
v
125°C
60
50
15
15
15
单位
ns
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图8和9）
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
110
80
45
30
30
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，ON / OFF控制到模拟输出
（图10和11）
100
60
37
37
37
10
ns
C
最大电容
ON / OFF控制输入
pF
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
35
1.0
35
1.0
35
1.0
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
15
C
PD
功率耗散电容（每开关） （图13 ） *
pF
2
F +我
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，ON / OFF控制输入：吨
r
= t
f
= 6纳秒）
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
