MC74HC4060A
14级二进制纹波
计数器振荡器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4060A是相同的引出线的标准CMOS
MC14060B 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
此装置由14主从触发器和振荡器
以要么是由一个晶体或由一个RC控制的频率
电路的外部连接。每个触发器的输出馈送
下一个和该频率处的每个输出都是一半，如前述的
1 。计数器的状态上的负向边沿进
在振荡器中。该高电平有效复位是异步的，并禁用
振荡器以允许待机期间的功耗非常低
操作。
的Q输出状态的变化不会同时出现，因为
内部纹波延迟。因此，解码的输出信号都需
到解码尖峰，并且可以具有到与所述振荡器输出2被选通
HC4060A.
特点
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记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC4060A
ALYWG
HC40
60A
ALYWG
G
HC4060AG
AWLYWW
MC74HC4060AN
AWLYYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 390场效应管或97.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MC74HC4060A/D
MC74HC4060A
功能表
时钟
RESET
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
逻辑图
振荡器输出1振荡器输出2
10
9
7
5
4
6
14
13
15
1
2
3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q12
Q13
Q14
X
OSC IN
11
引脚说明： 16引脚塑料封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
16
Q10
15
Q8
14
Q9
13
OSC OSC
复位振荡器在输出1输出2
12
11
10
9
RESET
12
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
1
Q12
2
Q13
3
Q14
4
Q6
5
Q5
6
Q7
7
Q4
8
GND
订购信息
设备
MC74HC4060AN
MC74HC4060ANG
MC74HC4060AD
MC74HC4060ADG
MC74HC4060ADR2
MC74HC4060ADR2G
MC74HC4060ADT
MC74HC4060ADTG
MC74HC4060ADTR2
MC74HC4060ADTR2G
MC74HC4060AFEL
MC74HC4060AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
96单位/铁
96单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC4060A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
存储温度范围
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
V
CC
参数
民
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
2.5*
0
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
*振荡器保证在2.5 V最小工作。不过，需要技术是在测试
2.0 V ，通过驱动引脚11与外部时钟源。
推荐工作条件
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出电压
(Q4Q10, Q12Q14)
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
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3
MC74HC4060A
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
0.7mA
|I
OUT
|
≤
1.0mA
|I
OUT
|
≤
1.3mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
0.7mA
|I
OUT
|
≤
1.0mA
|I
OUT
|
≤
1.3mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
4
≤85°C
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
40
≤125°C
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
160
mA
mA
V
V
单位
V
符号
V
OL
参数
最大低电平输出电压
(Q4Q10, Q12Q14)
条件
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OH
最小高电平输出电压
（振荡器输出1 ，振荡器输出2 ）
V
in
= V
CC
或GND
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
CC
或GND
V
OL
最大低电平输出电压
（振荡器输出1 ，振荡器输出2 ）
V
in
= V
CC
或GND
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
CC
或GND
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
6.0
10
30
50
300
180
60
51
500
350
250
200
195
75
39
33
75
60
15
13
≤85°C
9.0
14
28
45
375
200
75
64
750
450
275
220
245
100
49
42
95
75
19
16
≤125°C
8.0
12
25
40
450
250
90
75
1000
600
300
250
300
125
61
53
125
95
24
20
单位
兆赫
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟， OSC IN至Q4 *
（图1和4 ）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，振荡器进行Q14 *
（图1和4 ）
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到任何Q
（图2和4）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，尺寸Qn至Qn + 1
（图3和4）
ns
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4
MC74HC4060A
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
- 续
符号
t
TLH
,
t
THL
参数
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
75
27
15
13
10
≤85°C
95
32
19
16
10
≤125°C
110
36
22
19
10
单位
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
*适用于T
A
= 25 ° C和C
L
= 50 pF的，从时钟到其他Q输出典型传播延迟可以计算用下面的公式：
V
CC
= 4.5 V ：吨
P
= 30.25 + 14.6 （N - 1）] NS
V
CC
= 2.0 V ：吨
P
= [ 93.7 + 59.3 （正 - 1）]纳秒
V
CC
= 3.0 V ：吨
P
= [ 61.5+ 34.4 （正 - 1）]纳秒
V
CC
= 6.0 V ：吨
P
= [ 24.4 + 12（ n-1个） ]纳秒
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
35
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
REC
参数
最小恢复时间，复位无效到时钟
（图2）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
100
75
20
17
75
27
15
13
75
27
15
13
1000
800
500
400
≤85°C
125
100
25
21
95
32
19
16
95
32
19
16
1000
800
500
400
≤125°C
150
120
30
25
110
36
23
19
110
36
23
19
1000
800
500
400
单位
ns
t
w
最小脉冲宽度，时钟
（图1）
ns
t
w
最小脉冲宽度，复位
（图2）
ns
t
r
, t
f
最大输入上升和下降时间
（图1）
ns
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
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5
QQ：2881677436 复制
