MC74HC4051A,
MC74HC4052A,
MC74HC4053A
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC4051A ， MC74HC4052A和MC74HC4053A利用
硅栅CMOS技术来实现快速的传播延迟，
低导通电阻和低截止漏电流。这些模拟
多路复用器/多路分用器控制的模拟电压是可以变化
横跨整个电源电压范围（从V
CC
到V
EE
).
该HC4051A ， HC4052A和HC4053A是相同的引脚排列
该金属栅MC14051AB ， MC14052AB和MC14053AB 。该
通道选择输入确定模拟的哪一个
输入/输出端被连接，通过一个模拟开关的装置，该
常见的输出/输入。当使能引脚为高电平时，所有的模拟
开关关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;与上拉电阻他们与LSTTL兼容
输出。
这些装置已经被设计为使得导通电阻（R
on
）是
更线性的输入电压除R
on
的金属栅CMOS模拟
开关。
为一个多路复用器/多路分解器与注入电流保护，
看到HC4851A和HC4852A 。
特点
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记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC405xAN
AWLYYWWG
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
SOIC -16宽
DW后缀
CASE 751G
1
HC405xAG
AWLYWW
16
HC405xA
AWLYWWG
1
16
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（V
CC
V
EE
） = 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属栅
同行
低噪音
符合JEDEC标准号7A的要求
芯片的复杂性： HC4051A - 184场效应管或46个等效门
HC4052A - 168场效应管或42个等效门
HC4053A - 156场效应管或39个等效门
无铅包可用*
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
HC40
5xA
ALYWG
G
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC405xA
ALYWG
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第13页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号：
MC74HC4051A/D
MC74HC4051A ， MC74HC4052A ， MC74HC4053A
功能表 - MC74HC4051A
逻辑图
MC74HC4051A
单极， 8位加共关闭
X0
14
X1
15
X2
12
X3
1
X4
5
X5
2
X6
4
X7
11
A
10
B
9
C
6
13
控制输入
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SELECT
C
B
A
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
无
X =无关
3
类似物
输入/
输出
X
多路复用器/
多路解复用器
常见
输出/
输入
通道
SELECT
输入
引脚说明： MC74HC4051A
（ TOP VIEW ）
V
CC
16
X2
15
X1
14
X0
13
X3
12
A
11
B
10
C
9
启用
引脚16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
1
X4
2
X6
3
X
4
X7
5
X5
6
7
启用V
EE
8
GND
功能表 - MC74HC4052A
逻辑图
MC74HC4052A
双杆， 4位加共关闭
X0
12
14
控制输入
SELECT
启用
L
L
L
L
H
X =无关
B
L
L
H
H
X
A
L
H
L
H
X
在通道
Y0
Y1
Y2
Y3
无
X0
X1
X2
X3
类似物
输入/输出
X1
15
X2
11
X3
Y0
Y1
Y2
Y3
A
B
1
5
2
4
10
9
6
x开关
13
X
常见
输出/输入
Y开关
3
Y
引脚说明： MC74HC4052A
（ TOP VIEW ）
引脚16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
V
CC
16
X2
15
X1
14
X
13
X0
12
X3
11
A
10
B
9
信道选择
输入
启用
1
Y0
2
Y2
3
Y
4
Y3
5
Y1
6
7
启用V
EE
8
GND
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2
MC74HC4051A ， MC74HC4052A ， MC74HC4053A
功能表 - MC74HC4053A
逻辑图
MC74HC4053A
三重单极双位加共关闭
X0
13
X1
Y0
1
Y1
Z0
3
Z1
A
10
信道选择
B
输入
9
C
6
启用
11
5
2
12
14
控制输入
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
A
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
Z0
Z0
Z0
Z0
Z1
Z1
Z1
Z1
Y0
Y0
Y1
Y1
Y0
Y0
Y1
Y1
无
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
X1
x开关
X
类似物
输入/输出
Y开关
15
Y
常见
输出/输入
z开关
4
Z
X =无关
引脚16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
引脚说明： MC74HC4053A
（ TOP VIEW ）
V
CC
16
Y
15
X
14
X1
13
X0
12
A
11
B
10
C
9
注：该设备允许每个开关独立控制。
通道选择输入A控制X -开关，输入B控制
Y-开关和输入C控制的Z开关
1
Y1
2
Y0
3
Z1
4
Z
5
Z0
6
7
8
GND
启用V
EE
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考V
EE
)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 14.0
- 7.0 + 5.0
V
EE
= 0.5
V
CC
+ 0.5
负直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压
数字输入电压（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
750
500
450
mA
P
D
塑料DIP
EIAJ / SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
存储温度范围
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
最大额定值
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
EIAJ / SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
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3
MC74HC4051A ， MC74HC4052A ， MC74HC4053A
推荐工作条件
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
参数
民
2.0
2.0
最大
单位
V
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考V
EE
)
6.0
12.0
负直流电源电压，输出（参考
GND ）
模拟输入电压
6.0
V
EE
GND
V
CC
V
CC
1.2
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
V
IO
*
T
A
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
– 55
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
*对于压降大于1.2V开关更大（开关） ，过度V
CC
电流可以是
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
直流特性 - 数码节
（电压参考GND ）V
EE
= GND ，除非另有说明
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压，
通道选择或使能输入
条件
R
on
=每规格
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.5
0.9
1.35
1.8
±
0.1
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.5
0.9
1.35
1.8
±
1.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.5
0.9
1.35
1.8
±
1.0
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压，
通道选择或使能输入
R
on
=每规格
V
I
in
I
CC
最大输入漏电流，
通道选择或使能输入
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND ，
V
EE
= 6.0 V
通道选择，并启用
V
IS
= V
CC
或GND ;
V
EE
= GND
V
IO
= 0 V
V
EE
= 6.0
mA
mA
6.0
6.0
1
4
10
40
20
80
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
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4
MC74HC4051A ， MC74HC4052A ， MC74HC4053A
直流特性 - 模拟部分
保证限额
符号
R
on
参数
最大“开”电阻
条件
V
in
= V
IL
或V
IH
; V
IS
= V
CC
to
V
EE
; I
S
≤
2.0毫安
（图1，图2）
V
in
= V
IL
或V
IH
; V
IS
= V
CC
or
V
EE
（终点） ;我
S
≤
2.0毫安
（图1，图2）
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IL
或V
IH
;
V
IS
= 1/2 (V
CC
V
EE
);
I
S
≤
2.0毫安
V
in
= V
IL
或V
IH
;
V
IO
= V
CC
V
EE
;
开关（图3 ）
V
CC
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
V
EE
0.0
4.5
6.0
0.0
4.5
6.0
0.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
-55 25℃
190
120
100
150
100
80
30
12
10
0.1
0.2
0.1
0.1
0.2
0.1
0.1
≤85°C
240
150
125
190
125
100
35
15
12
0.5
2.0
1.0
1.0
2.0
1.0
1.0
≤125°C
280
170
140
230
140
115
40
18
14
1.0
4.0
2.0
2.0
4.0
2.0
2.0
mA
W
单位
W
I
关闭
mA
最大断ChannelHC4051A V
in
= V
IL
或V
IH
;
漏电流，
HC4052A V
IO
= V
CC
V
EE
;
公共信道
HC4053A开关关闭（图4 ）
I
on
最大导通ChannelHC4051A V
in
= V
IL
或V
IH
;
漏电流，
HC4052A交换机到交换机=
通道到通道HC4053A V
CC
V
EE
; （图5）
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，通道选择模拟输出
（图9 ）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
270
90
59
45
40
25
12
10
160
70
48
39
245
115
49
39
10
35
130
80
50
1.0
≤85°C
320
110
79
65
60
30
15
13
200
95
63
55
315
145
69
58
10
35
130
80
50
1.0
≤125°C
350
125
85
75
70
32
18
15
220
110
76
63
345
155
83
67
10
35
130
80
50
1.0
单位
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，模拟输入到模拟输出
（图10 ）
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，使模拟输出
（图11）
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，使模拟输出
（图11）
ns
C
in
C
I / O
最大输入电容，通道选择或使能输入
最大电容
（所有的开关关闭）
模拟量I / O
常见的O / I ： HC4051A
HC4052A
HC4053A
穿心
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D）
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（图13） *
HC4051A
HC4052A
HC4053A
45
80
45
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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5
QQ：2880707522 复制
