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摩托罗拉
半导体技术资料
六角缓冲器/逻辑电平
降压转换器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC4049由六个反相缓冲器,并且所述
MC54 / 74HC4050由六个非反相缓冲器。它们是在相同
引出线的MC14049UB和MC14050B金属栅CMOS缓冲器。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
在这些设备上的输入保护电路已经被修改
消除在VCC的二极管,以允许使用输入电压高达15伏。
因此,该装置可被用作逻辑电平转换,从一个转换
高电压到低电压的低压电源操作时
供应量。它们允许MC14000系列CMOS操作高达15伏是
接口与高速CMOS为2至6伏。保护二极管
GND是齐纳二极管,它保护的投入,从正面和
负电压瞬变。
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2 6 V
低输入电流: 5
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 36场效应管或9个等效门( 4049 )
24场效应管或6个等效门( 4050 )
MC54/74HC4049
MC54/74HC4050
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC54HCXXXXJ
MC74HCXXXXN
MC74HCXXXXD
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
逻辑图
HC4049
(反相缓冲器)
A0
2
Y0
VCC
Y0
A0
Y1
Y0
A1
Y2
Y1
A2
GND
A2
7
6
Y2
A2
7
6
Y2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
Y5
A5
NC
Y4
A4
Y3
A3
HC4050
(非反相缓冲器)
A0
3
2
A1
4
Y1
A1
5
4
NC =无连接
A3
9
10
Y3
A3
9
10
Y3
功能表
A4
11
12
Y4
A4
11
12
Y4
A
输入
L
H
输出
HC4049
H
L
HC4060
L
H
A5
14
15
Y5
A5
14
15
Y5
引脚1 = VCC
PIN 8 = GND
引脚13 , 16 = NO CONNECTION
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
VIN = 15 V或GND
6.0
2
20
40
A
IOUT = 0
A
注:关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
(电压参考GND)
推荐工作条件
MC54 / 74HC4049 MC54 / 74HC4050
符号
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
VOUT
PD
TL
VOH
TR , TF
IIN
VOL
VIN
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
(陶瓷DIP )
储存温度
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间
(图1)
工作温度,所有封装类型
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
VIN = 15 V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 1.5 + 18
2
– 55
2.0
价值
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
15
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
0.5
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
该器件包含电路
防止损伤的投入
由于高静电压或电
引用到GND引脚领域,
只。额外的预防措施必须是
注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压这个高阻抗
电路。对于正确的操作,
范围GND
VIN
15 V和
GND
VOUT
VCC是recom-
谁料。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
5.0
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
v
v
±
1.0
5.0
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
v
单位
A
V
V
V
V
MC54 / 74HC4049 MC54 / 74HC4050
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒)
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
CIN
参数
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
85
17
14
75
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
105
21
18
95
19
16
10
130
26
22
110
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和图2)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大输入电容
ns
pF
注意事项:
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的,看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容(每缓冲器) *
27
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
tr
输入A
的TPH1
输出y
TTHL
90%
50%
10%
90%
50%
10%
tf
VCC
输入A
GND
TPLH
输出y
tTLH
tr
90%
50%
10%
TPLH
90%
50%
10%
tTLH
tf
VCC
GND
的TPH1
TTHL
图1a。开关波形( HC4049 )
图1b。开关波形( HC4050 )
测试点
产量
设备
TEST
CL *
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54 / 74HC4049 MC54 / 74HC4050
逻辑细节信息
HC4049
(该设备的1/6 )
A
Y
HC4050
(该设备的1/6 )
A
Y
典型应用
LSTTL到低Voltalge HSCMOS
5V
IN
3V
OUT
IN
VDD *
高电压CMOS来HSCMOS
VCC *
OUT
LSTTL
设备
HC4049
HC4050
HC器件
标准
CMOS
HC4049
HC4050
HC器件
注:要确定噪声免疫力的输入通道低电压
配置上,使用公式。 1和方程2 :
(TTL) VOH - ( CMOS)的VIH
式。 1
( TTL ) VOL - ( CMOS ) VIL
式。 2
对于所示的供应水平:
2.4 – 3 (75%) = 2.4 – 2.25 = 0.15 V
0.4 – 3 (15%) = 0.4 – 0.45 = 0.05 V
因此,最坏情况下的噪声抑制能力为50毫伏。
对于供应水平大于4.5伏使用
在74HCT04A直接接口TTL输出。
摩托罗拉
4
*表1.供应范例
VDD
15 V
12 V
12 V
VCC
2V
5V
3V
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54 / 74HC4049 MC54 / 74HC4050
外形尺寸
–A
16
9
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
ISSUE V
–B
C
L
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIM F可以收窄至0.76 ( 0.030 ),其中
领先进入陶瓷体。
英寸
最大
0.750 0.785
0.240 0.295
0.200
0.015 0.020
0.050 BSC
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
最大
19.05 19.93
6.10
7.49
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
15°
1.01
0.51
–T
座位
飞机
N
E
F
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
T B
S
T A
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
–A
16
9
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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    -
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-
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