MC74HC374A
八路三态非反相
FL IP- FL运
高性能硅栅CMOS
该MC74HC374A在引出线的LS374是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
满足建立时间数据的时钟到输出端与所述上升
在时钟的边缘。输出使能输入，不影响状态
的触发器，但是，当输出使能为高时，输出被强制
到高阻抗状态;因此，数据可以被即使当所存储的
输出未启用。
该HC374A是相同的功能，以具有所述的HC574A
输入引脚上的包从输出的相对侧。这
装置在功能上已反转HC534A类似
输出。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HC374AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948G
HC374A
AWLYYWW
20
HC
374A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
产量
启用
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
OUTPUT ENABLE
1
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
订购信息
设备
MC74HC374AN
MC74HC374ADW
MC74HC374ADWR2
MC74HC374ADT
MC74HC374ADTR2
1
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
L，H，
X
X =无关
Z =高阻抗
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC374A/D
MC74HC374A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.48
2.98
5.48
v
85
_
C
v
125
_
C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.34
3.84
5.34
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.20
3.70
5.20
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
V
http://onsemi.com
2
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
VOL
ICC
IOZ
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
tPLZ
tPHZ
tPLZ
tPHZ
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
COUT
CIN
功率耗散电容（每启用输出） *
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输入时钟Q
（图1和5）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
参数
v
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC374A
3
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
0.10
0.10
0.10
150
100
30
26
150
100
30
26
125
80
25
21
6
15
30
35
15
10
75
27
15
13
4
保证限额
保证限额
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
0.10
0.10
0.10
190
125
38
33
190
125
38
33
155
110
31
26
5
10
24
28
15
10
95
32
19
16
40
±
1.0
0.40
0.40
0.40
0.10
0.10
0.10
±
10
225
150
45
38
225
150
45
38
190
130
38
32
160
110
36
22
19
4
8
20
24
15
10
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
34
兆赫
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
参数
时钟
Q
50%
10%
90%
10%
tr
90%
50%
tW
TPLH
tTLH
图1 。
1/fmax
tf
的TPH1
TTHL
时钟
数据
开关波形
GND
VCC
http://onsemi.com
MC74HC374A
50%
TSU
网络连接gure 3 。
图。
50%
1
1
3
3
4
有效
产量
启用
th
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
Q
Q
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
60
23
12
10
50
40
10
9
50%
50%
50%
1000
800
500
400
最大
GND
VCC
VCC
GND
tPZL
tpZH
图2中。
保证限额
民
5.0
50
5.0
5.0
75
27
15
13
65
50
13
11
tPHZ
tPLZ
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
10%
民
90%
5.0
5.0
5.0
5.0
90
32
18
15
75
60
15
13
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
单位
ns
ns
ns
ns
高
阻抗
MC74HC374A
八路三态非反相
D触发器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC374A在引出线的LS374是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
满足建立时间数据的时钟到输出端与所述上升
在时钟的边缘。输出使能输入，不影响状态
的触发器，但是，当输出使能为高时，输出被强制
到高阻抗状态;因此，数据可以被即使当所存储的
输出未启用。
该HC374A是相同的功能，以具有所述的HC574A
输入引脚上的包从输出的相对侧。这
装置在功能上已反转HC534A类似
输出。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC374A
AWLYYWWG
MC74HC374AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
374A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC374A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HC374A/D
MC74HC374A
引脚分配
产量
启用
Q0
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
11
功能表
OUTPUT ENABLE
1
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
输入
产量
启用
L
L
L
H
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
L，H，
X
X =无关
Z =高阻抗
订购信息
设备
MC74HC374AN
MC74HC374ANG
MC74HC374ADW
MC74HC374ADWG
MC74HC374ADWR2
MC74HC374ADWR2G
MC74HC374ADT
MC74HC374ADTG
MC74HC374ADTR2
MC74HC374ADTR2G
MC74HC374AF
MC74HC374AFG
MC74HC374AFEL
MC74HC374AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/箱
18单位/箱
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC374A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.34
3.84
5.34
0.10
0.10
0.10
0.33
0.33
0.33
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.48
2.98
5.48
0.10
0.10
0.10
0.26
0.26
0.26
v
125_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.20
3.70
5.20
0.10
0.10
0.10
0.40
0.40
0.40
单位
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
http://onsemi.com
3
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
I
CC
I
OZ
I
in
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏电流
参数
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
测试条件
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
PLZ
t
PHZ
t
PLZ
t
PHZ
C
OUT
t
PLH
t
PHL
C
PD
t
TLH
t
THL
f
最大
C
in
功率耗散电容（每启用输出） *
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输入时钟Q
（图1和5）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
参数
http://onsemi.com
MC74HC374A
4
V
CC
V
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
- 55
25_C
±
0.5
±
0.1
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
150
100
30
26
150
100
30
26
125
80
25
21
6
15
30
35
15
10
75
27
15
13
4
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
±
5.0
±
1.0
190
125
38
33
190
125
38
33
155
110
31
26
5
10
24
28
15
10
95
32
19
16
40
±
1.0
±
10
225
150
45
38
225
150
45
38
190
130
38
32
160
110
36
22
19
4
8
20
24
15
10
34
v
125_C
v
125_C
兆赫
单位
单位
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
