摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态
非反相D触发器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC374A在引出线的LS374是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
满足建立时间数据的时钟到输出用的上升沿
时钟。输出使能输入，不影响的状态
触发器，但是，当输出使能为高时，输出被强制为
高阻抗状态;因此，数据可以被存储即使当输出
未启用。
该HC374A是相同的功能，以具有输入端的HC574A
在所述封装的输出的相对侧引脚。该装置是
在功能上已反相输出HC534A相似。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
MC54/74HC374A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
SD后缀
SSOP封装
CASE 940C -03
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948E -02
20
1
20
1
逻辑图
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
订购信息
陶瓷的
MC54HCXXXAJ
塑料
MC74HCXXXAN
SOIC
MC74HCXXXADW
SSOP
MC74HCXXXASD
TSSOP
MC74HCXXXADT
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
引脚分配
产量
启用
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
OUTPUT ENABLE
1
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
D3
Q3
GND
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
L，H，
X
X =无关
Z =高阻抗
8/96
摩托罗拉公司1996年
3–1
第七版
MC54/74HC374A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
SSOP或TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SSOP或TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VIH
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.48
2.98
5.48
v
85
_
C
v
125
_
C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.34
3.84
5.34
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.20
3.70
5.20
单位
U I
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
V
摩托罗拉
3–2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
S B升
VOL
tPLZ
tPHZ
tPLZ
tPHZ
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
电力迪我I C
P
耗散电容（ P·E BL D 2 O
i
（每启用输出） *
)*
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输入时钟Q
（图1和5）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
测试条件
3–3
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
0.10
0.10
0.10
150
100
30
26
150
100
30
26
125
80
25
21
15
10
75
27
15
13
6
15
30
35
4
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
0.10
0.10
0.10
190
125
38
33
190
125
38
33
155
110
31
26
15
10
95
32
19
16
40
5
10
24
28
34
MC54/74HC374A
±
1.0
0.40
0.40
0.40
0.10
0.10
0.10
±
10
225
150
45
38
225
150
45
38
190
130
38
32
160
110
36
22
19
15
10
4
8
20
24
摩托罗拉
兆赫
单位
U I
单位
A
A
A
pF
pF
pF
F
ns
ns
ns
ns
V
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
摩托罗拉
MC54/74HC374A
符号
S B升
TR ， TF
TSU
时钟
tw
th
Q
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
50%
10%
90%
10%
tr
90%
50%
tW
TPLH
tTLH
图1 。
1/fmax
tf
参数
P
的TPH1
TTHL
时钟
数据
开关波形
GND
VCC
50%
TSU
网络连接gure 3 。
50%
3–4
有效
图。
Fi
1
1
3
3
th
产量
启用
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
Q
Q
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
60
23
12
10
50
40
10
9
50%
50%
50%
1000
800
500
400
GND
GND
VCC
VCC
最大
tPZL
tpZH
图2中。
保证限额
民
5.0
50
5.0
5.0
75
27
15
13
65
50
13
11
tPHZ
tPLZ
v
85
_
C
1000
800
500
400
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
最大
民
10%
90%
5.0
5.0
5.0
5.0
90
32
18
15
75
60
15
13
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
高
阻抗
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
单位
U I
ns
ns
ns
ns
MC74HC374A
八路三态非反相
FL IP- FL运
高性能硅栅CMOS
该MC74HC374A在引出线的LS374是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
满足建立时间数据的时钟到输出端与所述上升
在时钟的边缘。输出使能输入，不影响状态
的触发器，但是，当输出使能为高时，输出被强制
到高阻抗状态;因此，数据可以被即使当所存储的
输出未启用。
该HC374A是相同的功能，以具有所述的HC574A
输入引脚上的包从输出的相对侧。这
装置在功能上已反转HC534A类似
输出。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HC374AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948G
HC374A
AWLYYWW
20
HC
374A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
产量
启用
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
OUTPUT ENABLE
1
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
订购信息
设备
MC74HC374AN
MC74HC374ADW
MC74HC374ADWR2
MC74HC374ADT
MC74HC374ADTR2
1
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
L，H，
X
X =无关
Z =高阻抗
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC374A/D
MC74HC374A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.48
2.98
5.48
v
85
_
C
v
125
_
C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.34
3.84
5.34
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.20
3.70
5.20
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
V
http://onsemi.com
2
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
VOL
ICC
IOZ
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
tPLZ
tPHZ
tPLZ
tPHZ
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
COUT
CIN
功率耗散电容（每启用输出） *
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输入时钟Q
（图1和5）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
参数
v
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC374A
3
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
0.10
0.10
0.10
150
100
30
26
150
100
30
26
125
80
25
21
6
15
30
35
15
10
75
27
15
13
4
保证限额
保证限额
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
0.10
0.10
0.10
190
125
38
33
190
125
38
33
155
110
31
26
5
10
24
28
15
10
95
32
19
16
40
±
1.0
0.40
0.40
0.40
0.10
0.10
0.10
±
10
225
150
45
38
225
150
45
38
190
130
38
32
160
110
36
22
19
4
8
20
24
15
10
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
34
兆赫
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
参数
时钟
Q
50%
10%
90%
10%
tr
90%
50%
tW
TPLH
tTLH
图1 。
1/fmax
tf
的TPH1
TTHL
时钟
数据
开关波形
GND
VCC
http://onsemi.com
MC74HC374A
50%
TSU
网络连接gure 3 。
图。
50%
1
1
3
3
4
有效
产量
启用
th
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
Q
Q
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
60
23
12
10
50
40
10
9
50%
50%
50%
1000
800
500
400
最大
GND
VCC
VCC
GND
tPZL
tpZH
图2中。
保证限额
民
5.0
50
5.0
5.0
75
27
15
13
65
50
13
11
tPHZ
tPLZ
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
10%
民
90%
5.0
5.0
5.0
5.0
90
32
18
15
75
60
15
13
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
单位
ns
ns
ns
ns
高
阻抗
MC74HC374A
八路三态非反相
D触发器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC374A在引出线的LS374是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
满足建立时间数据的时钟到输出端与所述上升
在时钟的边缘。输出使能输入，不影响状态
的触发器，但是，当输出使能为高时，输出被强制
到高阻抗状态;因此，数据可以被即使当所存储的
输出未启用。
该HC374A是相同的功能，以具有所述的HC574A
输入引脚上的包从输出的相对侧。这
装置在功能上已反转HC534A类似
输出。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC374A
AWLYYWWG
MC74HC374AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
374A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC374A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HC374A/D
MC74HC374A
引脚分配
产量
启用
Q0
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
11
功能表
OUTPUT ENABLE
1
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
输入
产量
启用
L
L
L
H
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
L，H，
X
X =无关
Z =高阻抗
订购信息
设备
MC74HC374AN
MC74HC374ANG
MC74HC374ADW
MC74HC374ADWG
MC74HC374ADWR2
MC74HC374ADWR2G
MC74HC374ADT
MC74HC374ADTG
MC74HC374ADTR2
MC74HC374ADTR2G
MC74HC374AF
MC74HC374AFG
MC74HC374AFEL
MC74HC374AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/箱
18单位/箱
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC374A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.34
3.84
5.34
0.10
0.10
0.10
0.33
0.33
0.33
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.48
2.98
5.48
0.10
0.10
0.10
0.26
0.26
0.26
v
125_C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.90
4.40
5.90
2.20
3.70
5.20
0.10
0.10
0.10
0.40
0.40
0.40
单位
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
http://onsemi.com
3
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
I
CC
I
OZ
I
in
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏电流
参数
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
测试条件
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
PLZ
t
PHZ
t
PLZ
t
PHZ
C
OUT
t
PLH
t
PHL
C
PD
t
TLH
t
THL
f
最大
C
in
功率耗散电容（每启用输出） *
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输入时钟Q
（图1和5）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
参数
http://onsemi.com
MC74HC374A
4
V
CC
V
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
- 55
25_C
±
0.5
±
0.1
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
150
100
30
26
150
100
30
26
125
80
25
21
6
15
30
35
15
10
75
27
15
13
4
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
±
5.0
±
1.0
190
125
38
33
190
125
38
33
155
110
31
26
5
10
24
28
15
10
95
32
19
16
40
±
1.0
±
10
225
150
45
38
225
150
45
38
190
130
38
32
160
110
36
22
19
4
8
20
24
15
10
34
v
125_C
v
125_C
兆赫
单位
单位
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
