MC74HC373A
八路三态非反相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC373A在引出线的LS373是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据满足建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到
高阻抗状态。因此，数据可以被即使当锁存
输出未启用。
该HC373A是相同的功能，以具有所述的HC573A
在封装的从输出的相对侧的数据输入
方便的PC板布局。
该HC373A是HC533A的非反相版本。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC373A
AWLYYWWG
MC74HC373AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
373A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC373A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 12牧师
出版订单号：
MC74HC373A/D
MC74HC373A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
订购信息
设备
MC74HC373AN
MC74HC373ANG
MC74HC373ADW
MC74HC373ADWG
MC74HC373ADWR2
MC74HC373ADWR2G
MC74HC373ADT
MC74HC373ADTG
MC74HC373ADTR2
MC74HC373ADTR2G
MC74HC373AF
MC74HC373AFG
MC74HC373AFEL
MC74HC373AFELG
包
PDIP20
航运
18单位/箱
18单位/箱
38单位/铁
38单位/铁
1000个/卷
1000个/卷
75单位/铁
75单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
40单位/铁
40单位/铁
2000个/卷
2000个/卷
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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3
MC74HC373A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±
1.0
±
5.0
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
I
in
I
OZ
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±
0.1
±
0.5
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
±
1.0
±
10
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
in
= V
CC
或GND
6.0
4.0
40
160
mA
I
OUT
= 0
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
I
CC
符号
t
PLH
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
155
110
31
26
175
120
35
30
190
125
38
33
190
125
38
33
75
27
15
13
10
15
- 55 25_C
125
80
25
21
140
90
28
24
150
100
30
26
150
100
30
26
60
23
12
10
10
15
v
125_C
190
130
38
32
210
140
42
36
225
150
45
38
225
150
45
38
90
32
18
15
10
15
单位
ns
t
PLH
t
PHL
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
ns
t
PLZ
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
t
PZL
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
t
TLH
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
ns
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
36
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
2
F +我
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
