MC74HC373A
八路三态非反相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC373A在引出线的LS373是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据满足建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到
高阻抗状态。因此，数据可以被即使当锁存
输出未启用。
该HC373A是相同的功能，以具有所述的HC573A
在封装的从输出的相对侧的数据输入
方便的PC板布局。
该HC373A是HC533A的非反相版本。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC373A
AWLYYWWG
MC74HC373AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
373A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC373A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 12牧师
出版订单号：
MC74HC373A/D
MC74HC373A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
订购信息
设备
MC74HC373AN
MC74HC373ANG
MC74HC373ADW
MC74HC373ADWG
MC74HC373ADWR2
MC74HC373ADWR2G
MC74HC373ADT
MC74HC373ADTG
MC74HC373ADTR2
MC74HC373ADTR2G
MC74HC373AF
MC74HC373AFG
MC74HC373AFEL
MC74HC373AFELG
包
PDIP20
航运
18单位/箱
18单位/箱
38单位/铁
38单位/铁
1000个/卷
1000个/卷
75单位/铁
75单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
40单位/铁
40单位/铁
2000个/卷
2000个/卷
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
3
MC74HC373A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±
1.0
±
5.0
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
I
in
I
OZ
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±
0.1
±
0.5
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
±
1.0
±
10
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
in
= V
CC
或GND
6.0
4.0
40
160
mA
I
OUT
= 0
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
I
CC
符号
t
PLH
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
155
110
31
26
175
120
35
30
190
125
38
33
190
125
38
33
75
27
15
13
10
15
- 55 25_C
125
80
25
21
140
90
28
24
150
100
30
26
150
100
30
26
60
23
12
10
10
15
v
125_C
190
130
38
32
210
140
42
36
225
150
45
38
225
150
45
38
90
32
18
15
10
15
单位
ns
t
PLH
t
PHL
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
ns
t
PLZ
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
t
PZL
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
t
TLH
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
ns
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
36
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
2
F +我
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
MC74HC373A
八路三态非反相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC373A在引出线的LS373是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据满足建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到
高阻抗状态。因此，数据可以被即使当锁存
输出未启用。
该HC373A是相同的功能，以具有所述的HC573A
在封装的从输出的相对侧的数据输入
方便的PC板布局。
该HC373A是HC533A的非反相版本。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HC373AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948G
HC373A
AWLYYWW
20
HC
373A
ALYW
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74HC373AN
MC74HC373ADW
MC74HC373ADWR2
MC74HC373ADT
MC74HC373ADTR2
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC373A/D
MC74HC373A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
http://onsemi.com
3
MC74HC373A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
TPLH
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
125
80
25
21
140
90
28
24
150
100
30
26
150
100
30
26
60
23
12
10
10
15
v
85
_
C
v
125
_
C
155
110
31
26
175
120
35
30
190
125
38
33
190
125
38
33
75
27
15
13
10
15
190
130
38
32
210
140
42
36
225
150
45
38
225
150
45
38
90
32
18
15
10
15
单位
ns
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
TPLH
的TPH1
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
ns
tPLZ
tPHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
tPZL
tpZH
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
ns
tTLH
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
ns
CIN
最大输入电容
pF
pF
COUT
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
36
CPD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
参数
产量
启用
输入端D
Q
Q
Q
TPLH
tr
tTLH
50%
50%
1.3 V
90%
50%
10%
90%
50%
10%
网络连接gure 3 。
图1 。
tPZL
tpZH
tPHZ
tPLZ
tf
10%
90%
的TPH1
TTHL
开关波形
高
阻抗
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
GND
VCC
http://onsemi.com
MC74HC373A
图。
1
2
4
4
5
LATCH ENABLE
LATCH ENABLE
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
输入端D
- 55 25
_
C
民
Q
5.0
5.0
5.0
5.0
25
20
5.0
5.0
60
23
12
10
1000
800
500
400
最大
50%
50%
保证限额
tw
TPLH
图4中。
民
50%
5.0
5.0
50
5.0
30
25
6.0
6.0
75
27
15
13
图2中。
v
85
_
C
TSU
1000
800
500
400
有效
最大
的TPH1
50%
民
th
5.0
5.0
5.0
5.0
40
30
8.0
7.0
90
32
18
15
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
GND
VCC
单位
GND
GND
VCC
VCC
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态非反相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC373A在引出线的LS373是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能变低，
满足建立和保持时间的数据变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但是，当
输出使能为高，所有设备的输出被强制为高阻抗
状态。因此，即使当未启用的输出数据可以被锁存。
该HC373A是相同的功能，以具有所述数据的HC573A
从输出端输入在包装的相反侧以便于个人电脑
电路板布局。
该HC373A是HC533A的非反相版本。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
3
4
7
8
13
14
17
18
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
MC54/74HC373A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
SD后缀
SSOP封装
CASE 940C -03
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948E -02
20
1
20
1
订购信息
MC54HCXXXAJ
陶瓷的
MC74HCXXXAN
塑料
MC74HCXXXADW
SOIC
MC74HCXXXASD
SSOP
MC74HCXXXADT
TSSOP
引脚分配
产量
启用
Q0
D0
D1
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
同相
输出
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LATCH
启用
OUTPUT ENABLE
10/95
摩托罗拉公司1995年
LATCH ENABLE
1
设计标准
价值
46.5
1.5
5.0
单位
ea
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
0.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
11
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
LATCH
启用
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
X =无关
Z =高阻抗
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SSOP或TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC373A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
SSOP或TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
3.98
5.48
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
VOL
tPZL
tpZH
tPLZ
tPHZ
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
功率耗散电容（每启用输出） *
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
VIN = VCC或GND
|电流输出| = 0
A
VIN = VCC或GND
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
测试条件
3
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
150
30
26
150
30
26
140
28
24
125
25
21
4.0
0.1
0.1
0.1
15
10
60
12
10
保证限额
保证限额
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
190
38
33
190
38
33
175
35
30
155
31
26
0.1
0.1
0.1
15
10
75
15
13
40
36
±
1.0
±
10
225
45
38
225
45
38
210
42
36
190
38
32
160
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
15
10
90
18
15
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
MC54/74HC373A
摩托罗拉
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
摩托罗拉
MC54/74HC373A
符号
产量
启用
输入端D
TR ， TF
TSU
tw
th
Q
Q
Q
TPLH
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
tr
50%
tTLH
50%
1.3 V
90%
50%
10%
90%
50%
10%
网络连接gure 3 。
图1 。
tPZL
tpZH
tPHZ
tPLZ
参数
tf
10%
90%
的TPH1
TTHL
开关波形
高
阻抗
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
GND
VCC
图。
4
1
2
4
4
LATCH ENABLE
LATCH ENABLE
VCC
伏
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
输入端D
Q
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
25
5.0
5.0
60
12
10
50%
1000
500
400
最大
50%
tw
TPLH
50%
民
5.0
50
5.0
30
6.0
6.0
75
15
13
TSU
保证限额
图4中。
图2中。
v
85
_
C
有效
的TPH1
1000
500
400
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
最大
50%
th
民
5.0
5.0
5.0
40
8.0
7.0
90
18
15
v
125
_
C
1000
500
400
最大
GND
VCC
GND
VCC
VCC
单位
ns
ns
ns
ns
GND
QQ：2881677436 复制
